N-Si基板的化学机械抛光工艺制造技术

技术编号:35694072 阅读:17 留言:0更新日期:2022-11-23 14:44
本发明专利技术提供了N

【技术实现步骤摘要】
N

Si基板的化学机械抛光工艺


[0001]本专利技术属于化学机械抛光
,涉及N

Si基板的化学机械抛光工艺。

技术介绍

[0002]基板是制造PCB的基本材料,一般情况下,基板就是覆铜箔层压板,单、双面印制板在制造中是在基板材料

覆铜箔层压板上,有选择地进行孔加工、化学镀铜、电镀铜、蚀刻等加工,得到所需电路图形,另一类多层印制板的制造,也是以内芯薄型覆铜箔板为底基,将导电图形层与半固化片交替地经一次性层压黏合在一起,形成3层以上导电图形层间互连,具有导电、绝缘和支撑三个方面的功能,印制板的性能、质量、制造中的加工性、制造成本、制造水平等,在很大程度上取决于基板材料。
[0003]现有的N

Si基板抛光工艺大多只进行粗抛和精抛,导致基板的抛光程度存在达不到要求的可能性,并且现有的基板抛光工艺在抛光完成后大多只经过简单处理,导致其表面可能残留废渣和氧化物,从而降低了其质量,基于此,我们N

Si基板的化学机械抛光工艺。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供N

Si基板的化学机械抛光工艺,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]本专利技术的目的可通过下列技术方案来实现:N

Si基板的化学机械抛光工艺,包括以下步骤:
[0006]S1:配置氧化铝抛光液,将需要抛光的N

Si基板粗抛光置于氧化铝抛光液中,控制抛光压力为2.5g/cm2,抛光盘转速为60rpm/min;
[0007]S2:配置PH为10.2,浓度为15%的硅溶液,并保证硅溶液内部硅物质的粒径为25nm,以高锰酸钾和硅溶液比为1:6的比例范围加入高锰酸钾,进行混合搅拌得到的溶液作为抛光液进行抛光,控制抛光机的压力为1.5g/cm2,抛光盘转速为80rpm/min;
[0008]S3:对步骤S2得到的N

Si基板进行进行切割,将切割后的N

Si基板放置在装有丙酮溶液的烧杯中,通过超声波振荡器清洗30分钟;
[0009]S4:清洗完成后将N

Si基板放置于装有甲醇溶液的烧杯中,利用超声波振荡器清洗25分钟;完成清洗后将N

Si基板放置于装有去离子水的烧杯中;完成操作后,检查基板表面是否有残留物;
[0010]S5:使用惰性气体将N

Si基板表面吹干,放置烤箱中,温度为120

150℃,烘烤5分钟,即完成化学机械抛光工艺。
[0011]在上述的N

Si基板的化学机械抛光工艺中,所述步骤S1中,氧化铝抛光液由阴离子型化合物、纳米氧化铝研磨颗粒、氧化剂、柠檬酸和pH调节剂组成。
[0012]在上述的N

Si基板的化学机械抛光工艺中,所述阴离子型化合物含有磺酸根以及非极性有机碳链,且阴离子型化合物的分子量大于300。
[0013]在上述的N

Si基板的化学机械抛光工艺中,所述纳米氧化铝研磨颗粒的粒径在10μm

15μm。
[0014]在上述的N

Si基板的化学机械抛光工艺中,所述氧化剂为过氧化氢、硝酸铁、高锰酸钾和过硫酸盐的一种或多种,且氧化剂含量范围为5wt%

7wt%。
[0015]在上述的N

Si基板的化学机械抛光工艺中,所述步骤S1

S2中,需要使用到抛光垫辅助进行,所述抛光垫包括聚合物基体、位于聚合物基体内的空心聚合物颗粒以及位于聚合物基体内表面的纳米纤维层。
[0016]与现有技术相比,本专利技术N

Si基板的化学机械抛光工艺的优点为:采用PH为10.2,浓度为15%,粒径为25nm的硅溶液,以高锰酸钾和硅溶液比为1:6的比例范围加入高锰酸钾,进行混合搅拌得到的溶液作为抛光液进行抛光,实现对于N

Si基板进一步精准抛光,增加抛光的平滑度,同时使用惰性气体将N

Si基板表面吹干,放置烤箱中烘烤5分钟,减小表面氧化物的产生,防N

Si基板表面残留的废渣和氧化物降低N

Si基板质量。
具体实施方式
[0017]下面对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本专利技术保护的范围。
[0018]实施例一
[0019]S1:配置氧化铝抛光液,将需要抛光的N

Si基板粗抛光置于氧化铝抛光液中,控制抛光压力为2.5g/cm2,抛光盘转速为60rpm/min;
[0020]其中:氧化铝抛光液由阴离子型化合物、纳米氧化铝研磨颗粒、氧化剂、柠檬酸和pH调节剂组成;阴离子型化合物含有磺酸根以及非极性有机碳链,且阴离子型化合物的分子量大于300;纳米氧化铝研磨颗粒的粒径在10μm

15μm;氧化剂为过氧化氢、硝酸铁、高锰酸钾和过硫酸盐的一种或多种,且氧化剂含量范围为5wt%,优选的高锰酸钾和过硫酸盐。
[0021]S2:配置PH为10.2,浓度为15%的硅溶液,并保证硅溶液内部硅物质的粒径为25nm,以高锰酸钾和硅溶液比为1:6的比例范围加入高锰酸钾,进行混合搅拌得到的溶液作为抛光液进行抛光,控制抛光机的压力为1.5g/cm2,抛光盘转速为80rpm/min;
[0022]S3:对步骤S2得到的N

Si基板进行进行切割,将切割后的N

Si基板放置在装有丙酮溶液的烧杯中,通过超声波振荡器清洗30分钟;
[0023]S4:清洗完成后将N

Si基板放置于装有甲醇溶液的烧杯中,利用超声波振荡器清洗25分钟;完成清洗后将N

Si基板放置于装有去离子水的烧杯中;完成操作后,检查基板表面是否有残留物;
[0024]S5:使用惰性气体将N

Si基板表面吹干,放置烤箱中,温度为120℃,烘烤5分钟,即完成化学机械抛光工艺。
[0025]在S1

S2进行的过程中,需要使用到抛光垫辅助进行,抛光垫包括聚合物基体、位于聚合物基体内的空心聚合物颗粒以及位于聚合物基体内表面的纳米纤维层。
[0026]实施例二
[0027]S1:配置氧化铝抛光液,将需要抛光的N

Si基板粗抛光置于氧化铝抛光液中,控制
抛光压力为2.5g/cm2,抛光盘转速为60rpm/min;
[0028]其中:氧化铝抛光液由阴离子型化合物、纳米氧化铝研磨颗粒、氧化剂、柠檬酸和本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.N

Si基板的化学机械抛光工艺,其特征在于,包括以下步骤:S1:配置氧化铝抛光液,将需要抛光的N

Si基板粗抛光置于氧化铝抛光液中,控制抛光压力为2.5g/cm2,抛光盘转速为60rpm/min;S2:配置PH为10.2,浓度为15%的硅溶液,并保证硅溶液内部硅物质的粒径为25nm,以高锰酸钾和硅溶液比为1:6的比例范围加入高锰酸钾,进行混合搅拌得到的溶液作为抛光液进行抛光,控制抛光机的压力为1.5g/cm2,抛光盘转速为80rpm/min;S3:对步骤S2得到的N

Si基板进行进行切割,将切割后的N

Si基板放置在装有丙酮溶液的烧杯中,通过超声波振荡器清洗30分钟;S4:清洗完成后将N

Si基板放置于装有甲醇溶液的烧杯中,利用超声波振荡器清洗25分钟;完成清洗后将N

Si基板放置于装有去离子水的烧杯中;完成操作后,检查基板表面是否有残留物;S5:使用惰性气体将N

Si基板表面吹干,放置烤箱中,温度为120

150℃,烘烤5分钟,即完...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄安基
申请(专利权)人:福建省南安市宏炜新材料有限公司
类型:发明
国别省市:

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