半导体装置制造用片制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置制造用片，其具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层及所述膜状粘合剂而构成，所述基材、所述粘着剂层、所述中间层及膜状粘合剂以同心圆状配置，所述中间层的宽度的最大值小于所述粘着剂层的宽度的最大值及所述基材的宽度的最大值，所述膜状粘合剂的宽度的最大值小于所述粘着剂层的宽度的最大值及所述基材的宽度的最大值，所述中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分，选自由所述中间层及所述膜状粘合剂组成的组中的一种以上的总透光率为60％以下，选自由所述中间层及所述膜状粘合剂组成的组中的一种以上的总透光率小于由所述基材及所述粘着剂层构成的支撑片的总透光率。剂层构成的支撑片的总透光率。剂层构成的支撑片的总透光率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置制造用片


[0001]本专利技术涉及半导体装置制造用片。本申请基于2020年3月27日于日本提出申请的日本特愿2020
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058734号主张优先权，并将其内容援用于此。

技术介绍

[0002]在制造半导体装置时，会使用具备半导体芯片与设置在半导体芯片背面的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片。作为带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法的一个实例，例如可列举出如下方法。
[0003]即，首先，在半导体晶圆的背面贴附切割固晶片(dicing die bonding sheet)。作为切割固晶片，例如可列举出具备支撑片与设置在所述支撑片的一个面上的膜状粘合剂的切割固晶片，支撑片可用作切割片。作为支撑片，存在多种结构不同的支撑片，例如具备基材与设置在所述基材的一个面上的粘着剂层的支撑片；仅由基材构成的支撑片等。对于具备粘着剂层的支撑片，其粘着剂层侧的最外侧表面为设置膜状粘合剂的面。切割固晶片通过其中的膜状粘合剂贴附于半导体晶圆的背面。
[0004]接着，通过刀片切割，将支撑片上的半导体晶圆与膜状粘合剂一同切断。半导体晶圆的“切断”也被称为“分割”，由此半导体晶圆被单颗化(singulation)为目标半导体芯片。膜状粘合剂沿半导体芯片外周被切断。由此，可得到具备半导体芯片与设置在该半导体芯片背面的切断后的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片，且同时可得到多个这些带膜状粘合剂的半导体芯片以整齐排列的状态保持在支撑片上而构成的带膜状粘合剂的半导体芯片组。
[0005]接着，将带膜状粘合剂的半导体芯片从支撑片上拉离从而对其进行拾取。在使用具备固化性的粘着剂层的支撑片的情况下，此时，通过预先使粘着剂层固化而使粘着性降低，变得容易拾取。由此，可得到用于制造半导体装置的带膜状粘合剂的半导体芯片。
[0006]作为带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法的另一个实例，例如可列举出如下方法。即，首先，在半导体晶圆的电路形成面上贴附背磨胶带(有时也称为“表面保护胶带”)。接着，在半导体晶圆的内部设定预定分割的位置，以该位置所包含的区域为焦点，并以激光聚焦于该焦点的方式照射激光，由此在半导体晶圆的内部形成改质层。接着，使用研磨机(grinder)，对半导体晶圆的背面进行研磨，由此将半导体晶圆的厚度调节至目标值，且同时通过利用此时施加于半导体晶圆的研磨时的力，在改质层的形成部位分割半导体晶圆(单颗化)，制作多个半导体芯片。这种伴有改质层的形成的半导体晶圆的分割方法被称作Stealth Dicing(隐形切割)(注册商标)，其与通过对半导体晶圆照射激光从而一边切削照射部位的半导体晶圆一边自半导体晶圆的表面切断半导体晶圆的激光切割在本质
上完全不同。
[0007]接着，在固定于背磨胶带上的这些所有半导体芯片的进行了上述研磨的背面(换言之研磨面)贴附一片固晶片。作为固晶片，可列举出与上述切割固晶片相同的片材。如上所述，固晶片有时可以设计成与切割固晶片具有相同的结构，只是不会在切割半导体晶圆时使用。固晶片也可以通过固晶片中的膜状粘合剂贴附在半导体芯片的背面。
[0008]接着，从半导体芯片上去除背磨胶带后，一边冷却固晶片一边进行沿与固晶片的表面(例如，膜状粘合剂的贴附于半导体芯片的贴附面)平行的方向进行拉伸的所谓的扩展(冷扩展)，由此沿半导体芯片的外周切断膜状粘合剂。由此，可得到具备半导体芯片与设置在该半导体芯片背面的切断后的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片。
[0009]接着，以与上述采用刀片切割的情况相同的方式，将带膜状粘合剂的半导体芯片从支撑片上拉离从而对其进行拾取，由此得到用于制造半导体装置的带膜状粘合剂的半导体芯片。
[0010]切割固晶片及固晶片均可用于制造带膜状粘合剂的半导体芯片，且最终可制造目标半导体装置。在本说明书中，将切割固晶片及固晶片统称为“半导体装置制造用片”。
[0011]作为具备可通过扩展而切断的膜状粘合剂的半导体装置制造用片，例如公开了一种基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂依次层叠而构成的半导体装置制造用片(参照专利文献1)。
[0012]专利文献1中记载的半导体装置制造用片例如可通过如下所示的工序制造。首先，预先制作第一中间层叠体与第二中间层叠体，所述第一中间层叠体具有基材及粘着剂层层叠而成的构成，所述第二中间层叠体具有中间层及膜状粘合剂层叠而成的构成。接着，将第一中间层叠体中的粘着剂层与第二中间层叠体中的中间层贴合，制造半导体装置制造用片。
[0013]专利文献1所记载的半导体装置制造用片的制造方法中，要求用传感器等光学识别半导体装置制造用片的各个层。
[0014]对此，专利文献2中公开了一种半导体装置制造用的粘合片，其特征在于，含有吸收或反射波长范围在290～450nm的范围内的光的颜料。认为通过使用该粘合片，在半导体装置的制造方法中，在各制造工序间搬运半导体晶圆时，能够检测到是否存在贴附于半导体晶圆的粘合片。
[0015]此外，专利文献3中记载了如下所示的半导体装置制造用片的制造方法。首先，在由脱模膜与粘合剂层构成的粘合膜的粘合剂层中形成规定形状(例如圆形)的第一切口，从脱模膜上剥离第一切口的外侧的不需要的粘合剂层部分，得到在脱模膜上形成有规定形状的粘合剂层的粘合膜。接着，将该粘合膜和由粘着剂层与基材膜构成的粘着膜以粘合剂层与粘着剂层接触的方式进行贴合。
[0016]接着，识别形成于粘合膜的脱模膜的第一切口的位置并进行对齐后，在粘着膜中形成如包围粘合剂层的形状这种规定形状(例如圆形)的第二切口，从粘合膜(脱模膜)上剥离第二切口的外侧的不需要的粘着膜部分并对其进行卷绕，在粘合膜(脱模膜)上形成规定
形状的粘着膜。
[0017]专利文献3中记载的半导体装置制造用片的制造方法中，对形成于粘合膜的脱模膜的第一切口的深度进行调整。认为由此，可利用传感器检测出有切口部的位置的透射率与无切口部的位置的透射率之差(即，可识别第一切口的位置)。其结果，认为可在粘合膜(脱模膜)上形成规定形状的粘着膜。现有技术文献专利文献
[0018]专利文献1：国际公开第2020/179897号专利文献2：日本特开2009
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059917号公报专利文献3：日本特开2012
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080023号公报

技术实现思路

本专利技术要解决的技术问题
[0019]然而，由于专利文献2中记载的粘合片含有颜料，因此粘合片的可靠性、剪切强度有时会降低。此外，专利文献3中记载的半导体装置制造用片的制造方法中，有时无法利用传感器检测出有切口部的位置的透射率与无切口部的位置的透射率之差。
[0020]因此，本专利技术的目的在于提供一种可利用传感器光学识别中间层或膜状粘合剂的半导体装置制造用片。解决技术问题的技术手段
[0021]本专利技术具有以下的方案。(1)一种半导体装置制造用片，其具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置制造用片，其具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层及所述膜状粘合剂而构成，所述基材、所述粘着剂层、所述中间层及膜状粘合剂以同心圆状配置，所述中间层的宽度的最大值小于所述粘着剂层的宽度的最大值及所述基材的宽度的最大值，所述膜状粘合剂的宽度的最大值小于所述粘着剂层的宽度的最大值及所述基材的宽度的最大值，所述中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分，选自由所述中间层及所述膜状粘合剂组成的组中的一种以上的总透光率为60％以下，选自由所述中间层及所述膜状粘合剂组成的组中的一种以上的总透光率小于由所述基材及所述粘着剂层构成的支撑片的总透光率。2.一种半导体装置制造用片，其中，所述支撑片的总透光率为70％以上。3.一种半导体装置制造用片，其中，所述中间层的宽度的最大值及所述膜状粘合剂的宽度的最大值为150～160mm、200～210mm或300～310mm。4.一种带膜状...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩屋涉，佐藤阳辅，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：