一种双路直流马达驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双路直流马达驱动电路，其技术方案要点是：包括MX1919L驱动芯片，所述MX1919L驱动芯片的13引脚和16引脚上电性连接有马达M1，所述MX1919L驱动芯片的9引脚和12引脚上电性连接有马达M2，所述MX1919L驱动芯片的4引脚和8引脚电性相连成功率电源端，所述MX1919L驱动芯片的1引脚和5引脚电性相连相连成逻辑控制电源端，所述MX1919L驱动芯片的15引脚、14引脚、11引脚和10引脚电性相连成接地端，所述接地端与所述功率电源端和所述逻辑控制电源端之间电性连接有电池组，所述接地端与所述逻辑控制电源端之间电性连接有电容C2，所述接地端与所述功率电源端之间电性连接有电容C1。本实用新型专利技术能够稳定实现驱动，并且保持安全运行。并且保持安全运行。并且保持安全运行。

【技术实现步骤摘要】
一种双路直流马达驱动电路


[0001]本技术涉及驱动电路领域，特别涉及一种双路直流马达驱动电路。

技术介绍

[0002]驱动电路用于实现对马达进行驱动，并且实现对驱动信号进行有效的控制调节。
[0003]参照现有公开号为CN104467548A的中国专利，其公开了直流马达驱动电路，上述的这种用于家具加工设备的板材定位装置采用以同极的四颗场效电晶体组成H桥接电路，并通过稳压电路、无稳态震荡电路及倍压电路驱动直流马达正反转，具有切换速度快、寿命长、成本低且可靠度高的优势，且仅需单一电源即可提供驱动电路中的所有被动元件及场效电晶体驱动电源，由两双极性电晶体即可达到直流马达正反转的控制，以此提升直流马达驱动电路的品质。但是上述装置依旧存在着一些缺点，如：一、无法有效的进行多路驱动控制调节；二、无法实现对驱动芯片进行有效的安全防护。

技术实现思路

[0004]针对
技术介绍
中提到的问题，本技术的目的是提供一种双路直流马达驱动电路，以解决
技术介绍
中提到的问题。
[0005]本技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：
[0006]一种双路直流马达驱动电路，包括MX1919L驱动芯片，所述MX1919L驱动芯片的13引脚和16引脚上电性连接有马达M1，所述MX1919L驱动芯片的9引脚和12引脚上电性连接有马达M2，所述MX1919L驱动芯片的4引脚和8引脚电性相连成功率电源端，所述MX1919L驱动芯片的1引脚和5引脚电性相连相连成逻辑控制电源端，所述MX1919L驱动芯片的15引脚、14引脚、11引脚和10引脚电性相连成接地端，所述接地端与所述功率电源端和所述逻辑控制电源端之间电性连接有电池组，所述接地端与所述逻辑控制电源端之间电性连接有电容C2，所述接地端与所述功率电源端之间电性连接有电容C1。
[0007]通过采用上述技术方案，该驱动MX1919L驱动芯片，采用高可靠性功率管工艺，特别适合驱动线圈、马达等感性负载。电路内部集成N沟道和P沟道功率MOSFET，工作电压范围覆盖2V到8V。27℃，VDD＝6.5V，两个通道同时工作的条件下，1通道最大持续输出电流达到1.45A，最大峰值输出电流达到3A；2通道最大持续输出电流达到1.45A，最大峰值输出电流达到3A。
[0008]电路设计有芯片级温度检测电路，实时监控芯片内部发热，当芯片内部温度超过设定值时，产生功率管关断信号，关闭负载电流，避免因异常使用导致的温度持续升高，芯片内置的温度迟滞电路，确保电路恢复到安全温度后，才允许重新对功率管进行控制。
[0009]本技术的低导通内阻MOSFET功率开关管，采用MOS工艺设计功率管，1通道1.9安功率管内阻0.35欧姆，2通道1.9安功率管内阻0.35欧姆，内部集成续流二极管，无需外接续流二极管；较小的输入电流，集成约15K对地下拉电阻，3V驱动信号平均190uA输入电流。
[0010]较佳的，所述MX1919L驱动芯片中包括有四个电平转换电路，四个所述电平转换电
路的一侧电性连接有两个二极管，一侧所述二极管上并联连接有一个电阻。
[0011]通过采用上述技术方案，电平转换电路用于实现对电压进行调解处理，并且通过二极管和电阻进行有效的控制调节。
[0012]较佳的，四个所述电平转换电路分别电性连接所述MX1919L驱动芯片的第一正转逻辑输入、第一反转逻辑输入、第二正转逻辑输入和第二反转逻辑输入。
[0013]通过采用上述技术方案，电平转换电路用于实现对第一正转逻辑输入、第一反转逻辑输入、第二正转逻辑输入和第二反转逻辑输入的电压信号进行调节、处理。
[0014]较佳的，所述MX1919L驱动芯片中包括有两个逻辑电路，四个所述电平转换电路分别与两个所述逻辑电路电性连接。
[0015]通过采用上述技术方案，逻辑电路用于接收电平转换电路实现对输入的控制信号进行计算处理。
[0016]较佳的，所述MX1919L驱动芯片中包括有两个栅驱动电路，两个所述栅驱动电路分别与所述逻辑电路电性连接。
[0017]通过采用上述技术方案，栅驱动电路分别用于实现对马达1和马达2进行驱动控制调节。
[0018]较佳的，两个所述逻辑电路分别与1引脚和5引脚的所述逻辑控制电源端电性连接，两个所述逻辑电路分别10引脚和14引脚的所述接地端电性连接，两个所述逻辑电路上分别电性连接有过热保护电路。
[0019]通过采用上述技术方案，为了实现对逻辑电路进行驱动，并且实现对逻辑电路进行安全保护，检测MX1919L驱动芯片内的热量。
[0020]较佳的，两个所述栅驱动电路上分别电性连接有两个MOS管，两个所述MOS管的漏极之间电性连接，两个所述MOS管的一个源极电性连接所述MX1919L驱动芯片的所述功率电源端，两个所述MOS管的一个源极电性连接所述MX1919L驱动芯片的所述接地端。
[0021]通过采用上述技术方案，MOS管设定可以有效的调节输出，完成对后续负载进行驱动。
[0022]较佳的，所述MOS管之间分别电性连接两个正转输出和两个反转输出，其中一个所述正转输出和所述反转输出与所述马达M1电性连接，其中另一个所述正转输出和所述反转输出与所述马达M2电性连接。
[0023]通过采用上述技术方案，MOS管的设定实现对驱动电压进行输出，完成对马达1和马达2进行有效的驱动。
[0024]综上所述，本技术主要具有以下有益效果：
[0025]该驱动MX1919L驱动芯片，采用高可靠性功率管工艺，特别适合驱动线圈、马达等感性负载。电路内部集成N沟道和P沟道功率MOSFET，工作电压范围覆盖2V到8V。27℃，VDD＝6.5V，两个通道同时工作的条件下，1通道最大持续输出电流达到1.45A，最大峰值输出电流达到3A；2通道最大持续输出电流达到1.45A，最大峰值输出电流达到3A。
[0026]电路设计有芯片级温度检测电路，实时监控芯片内部发热，当芯片内部温度超过设定值时，产生功率管关断信号，关闭负载电流，避免因异常使用导致的温度持续升高，芯片内置的温度迟滞电路，确保电路恢复到安全温度后，才允许重新对功率管进行控制。
[0027]本技术的低导通内阻MOSFET功率开关管，采用MOS工艺设计功率管，1通道1.9
安功率管内阻0.35欧姆，2通道1.9安功率管内阻0.35欧姆，内部集成续流二极管，无需外接续流二极管；较小的输入电流，集成约15K对地下拉电阻，3V驱动信号平均190uA输入电流。
附图说明
[0028]图1是本技术的系统结构示意图；
[0029]图2是本技术的芯片内部结构示意图；
[0030]图3是本技术的波形示意图；
[0031]图4是本技术的小车运行系统示意图；
[0032]图5是本技术的运行状态示意图；
[0033]图6是本技术的PWM模式A信号波形示意图；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双路直流马达驱动电路，包括MX1919L驱动芯片，其特征在于：所述MX1919L驱动芯片的13引脚和16引脚上电性连接有马达M1，所述MX1919L驱动芯片的9引脚和12引脚上电性连接有马达M2，所述MX1919L驱动芯片的4引脚和8引脚电性相连成功率电源端，所述MX1919L驱动芯片的1引脚和5引脚电性相连相连成逻辑控制电源端，所述MX1919L驱动芯片的15引脚、14引脚、11引脚和10引脚电性相连成接地端，所述接地端与所述功率电源端和所述逻辑控制电源端之间电性连接有电池组，所述接地端与所述逻辑控制电源端之间电性连接有电容C2，所述接地端与所述功率电源端之间电性连接有电容C1。2.根据权利要求1所述的一种双路直流马达驱动电路，其特征在于：所述MX1919L驱动芯片中包括有四个电平转换电路，四个所述电平转换电路的一侧电性连接有两个二极管，一侧所述二极管上并联连接有一个电阻。3.根据权利要求2所述的一种双路直流马达驱动电路，其特征在于：四个所述电平转换电路分别电性连接所述MX1919L驱动芯片的第一正转逻辑输入、第一反转逻辑输入、第二正转逻辑输入和第二反转逻辑输入。4.根据权利要求3所述的一种双路直流马达驱动电路，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑石磊，鲁统迎，温智晓，孙宁宁，李建强，
申请(专利权)人：浙江和睿半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：