一种耐压高电流晶体管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种耐压高电流晶体管，其技术方案要点是：包括输入端B，所述输入端B上电性连接有第一电阻，所述第一电阻上电性连接有第一ULN2803A晶体管，所述第一ULN2803A晶体管的发射基上电性连接有第二ULN2803A晶体管的基极，所述第一ULN2803A晶体管的集电极电性连接输出端C，所述第二ULN2803A晶体管的发射极上电性连接公共端E，所述第二ULN2803A晶体管的集电极与所述输出端C电性连接，所述第二ULN2803A晶体管的基极上电性连接有第二电阻。本实用新型专利技术包含八个独立的达林顿管驱动单路。单个达林顿管集电极可输出500mA电流。ULN2803A晶体管的每一路达林顿管串联一个2.7K的基极电阻，可直接与TTL/CMOS电路连接，处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。

【技术实现步骤摘要】
一种耐压高电流晶体管


[0001]本技术涉及晶体管领域，特别涉及一种耐压高电流晶体管。

技术介绍

[0002]晶体管是一种半导体器件，由于其响应速度快，准确性高，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能，包括放大，开关，稳压，信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域，可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。
[0003]参照现有公开号为CN202549846U的中国专利，其公开了一种新型半导体场效应晶体管，该器件单元在导通态时，漂移区电流被引导沿漂移区纵向均匀分布，明显改善扩展电阻、电导调制效应均匀性，从而显著改善SOILDMOS器件通态电流、压降、功耗和断态耐压等性能及耐高温等可靠性，如：一、现有的晶体管在使用的时候，容易造成晶体管击穿，无法有效的实现耐压防护；二、无法实现输入兼容TTL/CMOS逻辑信号；三、无法广泛应用于继电器驱动。

技术实现思路

[0004]针对
技术介绍
中提到的问题，本技术的目的是提供一种耐压高电流晶体管，以解决
技术介绍
中提到的问题。
[0005]本技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：
[0006]一种耐压高电流晶体管，包括输入端B，所述输入端B上电性连接有第一电阻，所述第一电阻上电性连接有第一ULN2803A晶体管，所述第一ULN2803A晶体管的发射基上电性连接有第二ULN2803A晶体管的基极，所述第一ULN2803A晶体管的集电极电性连接输出端C，所述第二ULN2803A晶体管的发射极上电性连接公共端E，所述第二ULN2803A晶体管的集电极与所述输出端C电性连接，所述第二ULN2803A晶体管的基极上电性连接有第二电阻。
[0007]通过采用上述技术方案，本技术的ULN2803A晶体管是单片集成高耐压、大电流达林顿管阵列，电路内部包含八个独立的达林顿管驱动单路。电路内部设计有续流二极管，即第一二极管，可用于驱动继电器、步进电机等电感性负载。单个达林顿管集电极可输出500mA电流。将达林顿管并联可实现更高的输出电流能力。该电路可广泛应用于继电器驱动、照明驱动、显示屏驱动(LED)、步进电机驱动和逻辑缓冲器。ULN2803A晶体管的每一路达林顿管串联一个2.7K的基极电阻，在5V的工作电压下可直接与TTL/CMOS电路连接，可直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。
[0008]较佳的，所述第一ULN2803A晶体管的集电极上电性连接有钳位二极管，所述钳位二极管上电性连接有公共端COM。
[0009]通过采用上述技术方案，钳位二极管的设定可以有效的实现对电压进行控制调节，提高系统的驱动能力。
[0010]较佳的，所述输出端C和所述公共端E之间电性连接有第一二极管，所述第一二极管和所述第二ULN2803A晶体管并联连接。
[0011]通过采用上述技术方案，通过第一二极管实现对后续的负载进行有效的驱动调节。
[0012]较佳的，所述第二电阻的另一端与所述第一ULN2803A晶体管的基极电性连接，且第二电阻的另一端连接在所述第一电阻的一侧。
[0013]通过采用上述技术方案，为了实现有效的串联连接，使得电路在5V的工作电压下可直接与TTL/CMOS电路连接。
[0014]较佳的，所述第一ULN2803A晶体管的发射极上电性连接有第三电阻，所述第二ULN2803A晶体管的基极也与所述第三电阻的基极电性连接。
[0015]通过采用上述技术方案，为了实现对系统进行接地处理，提高系统的安全防护性。
[0016]较佳的，所述第一电阻的一端电性连接有第三二极管，所述第三二极管的另一端与所述第三电阻的另一端电性连接。
[0017]通过采用上述技术方案，为了提高系统的耐压冲击性，提高系统的安全性。
[0018]较佳的，所述第三电阻的另一端电性接地。
[0019]通过采用上述技术方案，为了实现系统的回路，使得系统能够有效的实现运行，并且提高安全性。
[0020]较佳的，该晶体管中包括有八个独立的达林顿管驱动单路，八个所述独立的达林顿管驱动单路中均包括有非门，所述非门的一端电性连接有输入管脚，所述非门的另一端电性连接有输出管脚，所述非门的另一端电性连接有钳位二极管。
[0021]通过采用上述技术方案，为了有效的实现多路驱动控制，盖晶体管设有八个独立的达林顿管驱动单路，提高适用性。
[0022]综上所述，本技术主要具有以下有益效果：
[0023]本技术的ULN2803A晶体管是单片集成高耐压、大电流达林顿管阵列，电路内部包含八个独立的达林顿管驱动单路。电路内部设计有续流二极管，即第一二极管，可用于驱动继电器、步进电机等电感性负载。单个达林顿管集电极可输出500mA电流。将达林顿管并联可实现更高的输出电流能力。该电路可广泛应用于继电器驱动、照明驱动、显示屏驱动(LED)、步进电机驱动和逻辑缓冲器，ULN2803A晶体管的每一路达林顿管串联一个2.7K的基极电阻，在5V的工作电压下可直接与TTL/CMOS电路连接，可直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。
附图说明
[0024]图1是本技术的单路驱动电路原理图；
[0025]图2是本技术的八个独立的达林顿管驱动单路逻辑图；
[0026]图3是本技术的参数测试原理图；
[0027]图4是本技术的输入输出示意图；
[0028]图5是本技术的传输延时波形图；
[0029]图6是本技术的ULN2803A晶体管应用示意图。
具体实施方式
[0030]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行
清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0031]实施例一：
[0032]参考图1
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5，一种耐压高电流晶体管，包括输入端B，所述输入端B上电性连接有第一电阻，所述第一电阻上电性连接有第一ULN2803A晶体管，所述第一ULN2803A晶体管的发射基上电性连接有第二ULN2803A晶体管的基极，所述第一ULN2803A晶体管的集电极电性连接输出端C，所述第二ULN2803A晶体管的发射极上电性连接公共端E，所述第二ULN2803A晶体管的集电极与所述输出端C电性连接，所述第二ULN2803A晶体管的基极上电性连接有第二电阻。
[0033]通过采用上述技术方案，本技术的ULN2803A晶体管是单片集成高耐压、大电流达林顿管阵列，电路内部包含八个独立的达林顿管驱动单路。电路内部设计有续流二极管，即第一二极管，可用于驱动继电器、步进电机等电感性负载。单个达林顿管集电极可输出500mA电流。将达林顿管并联可实现更高的输出电流能力。该电路可广泛应用于继本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耐压高电流晶体管，包括输入端B，其特征在于：所述输入端B上电性连接有第一电阻，所述第一电阻上电性连接有第一ULN2803A晶体管，所述第一ULN2803A晶体管的发射基上电性连接有第二ULN2803A晶体管的基极，所述第一ULN2803A晶体管的集电极电性连接输出端C，所述第二ULN2803A晶体管的发射极上电性连接公共端E，所述第二ULN2803A晶体管的集电极与所述输出端C电性连接，所述第二ULN2803A晶体管的基极上电性连接有第二电阻。2.根据权利要求1所述的一种耐压高电流晶体管，其特征在于：所述第一ULN2803A晶体管的集电极上电性连接有钳位二极管，所述钳位二极管上电性连接有公共端COM。3.根据权利要求1所述的一种耐压高电流晶体管，其特征在于：所述输出端C和所述公共端E之间电性连接有第一二极管，所述第一二极管和所述第二ULN2803A晶体管并联连接。4.根据权利要求1所述的一种耐压高电流晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑石磊，鲁统迎，温智晓，孙宁宁，李建强，
申请(专利权)人：浙江和睿半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：