磨削方法技术

本发明专利技术提供磨削方法，降低磨削磨具的状况的恶化程度并去除氧化膜，使晶片薄化。磨削方法对在第1面具有氧化膜的晶片的第1面侧进行磨削，该磨削方法具有如下步骤：第1磨削步骤，一边使磨削磨轮旋转一边将磨削单元进行磨削进给并使吸引保持着第2面侧的卡盘工作台以第1转速旋转，由此在磨削磨具的下表面突破了氧化膜之后利用磨削磨具的侧面削刮氧化膜，在第1面侧形成晶片的周向上的阶梯差；上升步骤，在第1磨削步骤之后，通过使磨削单元上升而使磨削磨具从晶片分离；和第2磨削步骤，在上升步骤之后，在使吸引保持着第2面的卡盘工作台以比第1转速快的第2转速旋转的状态下一边使磨削磨轮旋转一边将磨削单元进行磨削进给而对晶片进行磨削。片进行磨削。片进行磨削。

【技术实现步骤摘要】
磨削方法


[0001]本专利技术涉及对带氧化膜的晶片进行磨削的磨削方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件芯片的制造工艺中，为了形成规定的厚度的半导体器件芯片，利用磨削装置对形成有器件的晶片的与正面侧相反侧的背面侧进行磨削而使晶片薄化(例如，参照专利文献1)。
[0003]磨削装置具有能够绕规定的旋转轴旋转的圆板状的卡盘工作台，在卡盘工作台的上方配置有磨削单元，该磨削单元具有与铅垂方向大致平行地配置的主轴。在主轴的下端部隔着圆板状的安装座而安装有圆环状的磨削磨轮。磨削磨轮具有：环状的基台；以及多个磨削磨具，它们在基台的一个面上沿着基台的周向配置。
[0004]在对晶片进行磨削时，以晶片的背面侧向上方露出的方式利用卡盘工作台对晶片的正面侧进行吸引保持。然后，使主轴和卡盘工作台分别旋转，并且将磨削单元向下方进行磨削进给，由此对晶片的背面侧进行磨削。
[0005]专利文献1：日本特开2009
‑
90389号公报
[0006]另外，有时在晶片的背面侧形成有氧化膜。若对氧化膜进行磨削，则磨削磨具的状况容易恶化。例如，容易产生磨削磨具的钝化、漏孔、堵塞等。

技术实现思路

[0007]本专利技术是鉴于该问题点而完成的，其目的在于降低磨削磨具的状况的恶化程度并且去除氧化膜，并使晶片薄化。
[0008]根据本专利技术的一个方式，提供一种磨削方法，使用安装有磨削磨轮的磨削单元对在第1面具有氧化膜的带氧化膜晶片的该第1面侧进行磨削，该磨削磨轮呈环状配置有多个磨削磨具，其中，该磨削方法具有如下的步骤：第1磨削步骤，一边使该磨削磨轮旋转一边将该磨削单元进行磨削进给，并且使吸引保持着与该第1面位于相反侧的第2面侧的卡盘工作台以第1转速旋转，由此，在该磨削磨具的下表面突破了该氧化膜之后，利用该磨削磨具的侧面削刮该氧化膜，在该第1面侧形成该晶片的周向上的阶梯差；上升步骤，在该第1磨削步骤之后，通过使该磨削单元上升而使该磨削磨具从该晶片离开；以及第2磨削步骤，在该上升步骤之后，在使吸引保持着该第2面的该卡盘工作台以比第1转速快的第2转速旋转的状态下，一边使该磨削磨轮旋转一边将该磨削单元进行磨削进给而对该晶片进行磨削。
[0009]优选该第1磨削步骤中的该卡盘工作台的该第1转速为10rpm以上且60rpm以下。并且，优选该第2磨削步骤中的该卡盘工作台的该第2转速为100rpm以上且500rpm以下。
[0010]在本专利技术的一个方式的磨削方法中，对在第1面具有氧化膜的带氧化膜的晶片的第1面侧进行磨削。因此，首先，一边使磨削磨轮旋转一边将磨削单元进行磨削进给，并且使吸引保持着晶片的第2面侧的卡盘工作台以第1转速旋转，由此，在磨削磨具的下表面突破了氧化膜之后，利用磨削磨具的侧面削刮氧化膜，在第1面侧形成晶片的周向上的阶梯差
(第1磨削步骤)。
[0011]因此，与通过使卡盘工作台以在晶片的周向上不形成阶梯差的程度的快的转速旋转而主要利用磨削磨具的下表面削刮氧化膜的情况相比，能够降低磨削磨具的下表面的状况的恶化程度并且去除氧化膜。
[0012]在第1磨削步骤之后，通过使磨削单元上升而使磨削磨具从晶片离开(上升步骤)。在上升步骤之后，在使卡盘工作台以比第1转速快的第2转速旋转的状态下，一边使磨削磨轮旋转一边将磨削单元进行磨削进给而将晶片磨削至规定的厚度(第2磨削步骤)。
[0013]通过在上升步骤之后将磨削单元进行磨削进给而进行第2磨削步骤，不仅利用磨削磨具的侧面，而是能够利用磨削磨具的下表面和侧面这双方对第1面侧进行磨削。特别是，在第2磨削步骤中，由于第2转速比第1转速快，因此能够逐渐磨削晶片的包含阶梯差的背面侧。
[0014]因此，与不使卡盘工作台旋转而在背面侧形成比氧化膜的厚度深的槽然后在磨削磨具配置于该槽的状态下使卡盘工作台开始旋转而对包含氧化膜的背面侧一气呵成地进行磨削的情况相比，能够降低对磨削磨具的负荷，因此能够降低磨削磨具的磨损量。
[0015]另外，在第1磨削步骤中，与主要利用磨削磨具的下表面削刮氧化膜的情况相比，能够良好地保持磨削磨具的下表面的状况，因此，在第2磨削步骤中，磨削磨具的下表面能够充分地有助于磨削。
附图说明
[0016]图1是磨削装置的立体图。
[0017]图2是磨削方法的流程图。
[0018]图3是示出第1磨削步骤的图。
[0019]图4的(A)是磨削磨具突破了氧化膜时的晶片的俯视图，图4的(B)是图4的(A)的侧视图。
[0020]图5的(A)是第1磨削步骤完成时的晶片的俯视图，图5的(B)是图5的(A)的侧视图。
[0021]图6是示出上升步骤的图。
[0022]图7是示出第2磨削步骤的图。
[0023]图8的(A)是第2磨削步骤开始时的晶片的俯视图，图8的(B)是图8的(A)的侧视图。
[0024]图9的(A)是示出磨削磨具最初与阶梯差的上端部接触的情形的图，图9的(B)是示出磨削磨具第2次与阶梯差的上端部接触的情形的图，图9的(C)是示出磨削磨具第3次与阶梯差的上端部接触的情形的图，图9的(D)是示出无火花磨削的情形的图。
[0025]标号说明
[0026]2：磨削装置；4：基台；4a：开口；6：X轴方向移动机构；8：工作台罩；10：卡盘工作台；12：框体；14：多孔板；14a：保持面；11：晶片；11a：正面(第2面)；11b：背面(第1面)；11c：单晶层；11d：氧化膜；11e：周向；11f：阶梯差；11g：厚度；11h：规定的厚度；13：保护带；16：旋转轴；16a：第1转速；16b：第2转速；18：轴承；20：支承板；22：工作台底座；24a：固定支承部；24b：可动支承部；26：罩；28：支承构造；30：Z轴方向移动机构；32：Z轴导轨；34：Z轴方向移动板；36：丝杠轴；38：Z轴脉冲电动机；40：支承器具；42：磨削单元；44：主轴壳体；46：主轴；48：磨轮安装座；50：磨削磨轮；52：磨轮基台；54：磨削磨具；54a：下表面；54b：侧面；56：高度计；
58：控制单元；A、B、C、D、E、F、G、H、I、J：位置。
具体实施方式
[0027]参照附图，对本专利技术的一个方式所涉及的实施方式进行说明。首先，对本实施方式中使用的磨削装置2进行说明。图1是磨削装置2的局部剖视侧视图。在图1中，用功能块表示磨削装置2的构成要素的一部分。
[0028]另外，图1所示的X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向(上下方向、磨削进给方向)是相互垂直的方向。磨削装置2具有搭载各构成要素的基台4。在基台4的上表面形成有沿着X轴方向具有长条部的开口4a。
[0029]在开口4a的内部配置有滚珠丝杠式的X轴方向移动机构6。X轴方向移动机构6具有沿着X轴方向配置的一对导轨(未图示)。在一对导轨之间，沿着X轴方向配置有丝杠轴(未图示)。
[0030]在丝杠轴的一端连结有用于使丝杠轴旋转的脉冲电动机(未图示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磨削方法，使用安装有磨削磨轮的磨削单元对在第1面具有氧化膜的带氧化膜晶片的该第1面侧进行磨削，该磨削磨轮呈环状配置有多个磨削磨具，其特征在于，该磨削方法具有如下的步骤：第1磨削步骤，一边使该磨削磨轮旋转一边将该磨削单元进行磨削进给，并且使吸引保持着与该第1面位于相反侧的第2面侧的卡盘工作台以第1转速旋转，由此，在该磨削磨具的下表面突破了该氧化膜之后，利用该磨削磨具的侧面削刮该氧化膜，在该第1面侧形成该晶片的周向上的阶梯差；上升步骤，在该第1磨削步骤之后，通过使该磨削...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木佳一，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：