一种高质量INP加工设备制造技术

本发明专利技术公开了一种高质量INP加工设备，包括工作台，废水收集盒工作台的背面活动安装有磨平装置，废水收集盒工作台的左右两侧均活动安装有冷却组件，废水收集盒工作台的正面活动安装有排除组件，废水收集盒排除组件的顶端活动安装有预留组件。利用磨平装置可以同时对两个INP晶片进行加工处理，从而提高了整体设备的加工效率，利用预留组件可以预先安排好INP晶片的安置动作，因此可以有效的节约整体的工作时间，因此达到了提高加工效率的效果，设置排除组件可以有效的将冷却组件与预留组件进行联动，使得其可以配合预留组件完成预备安置动作，配合冷却组件可以推动废液的集中回收进程，因此进一步的达到了提升整体装置环保性和实用性的效果。实用性的效果。实用性的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种高质量INP加工设备


[0001]本专利技术涉及INP加工
，更具体地说，本专利技术涉及一种高质量INP加工设备。

技术介绍

[0002]磷化铟(InP)晶体是重要的半导体材料，与砷化镓(GaAs)材料相比，它具有电子极限漂移速度高、耐辐射性能好、热导率高、击穿电场高等特点，因此，InP材料在微波、毫米波电路及高速数字集成电路的制备中是首选的衬底材料，磷化铟晶片在加工的时候会用到一种超精密的研磨抛光设备，将晶片放置在工作台的表面然后利用抛光装置对其表面进行转动抛光，此外还配有相应的出水机构对其进行清理冷却处理，使得整体加工的过程更为精准与完善。
[0003]现有的研磨抛光设备大部分的工作台单次只能对一个晶体进行抛光研磨，因此使得整体加工装置的实用性降低，浪费了抛光装置另外半面的转动空间，降低了空间利用率，其次晶片放置的过程中往往都需要专业的工作人员对其进行相关定位，这种定位过程需要工作人员的操作熟练度，因此使得整体设备对人的依赖性较高，降低了本身设备的自动化程度，提高了相应的使用门槛。
[0004]于是，专利技术人有鉴于此，秉持多年该相关行业丰富的设计开发及实际制作的经验，针对现有的结构及缺失予以研究改良，提供高质量INP加工设备，以期达到更具有实用性以及高自动化程度的目的。

技术实现思路

[0005]为了克服现有技术的上述缺陷，本专利技术的实施例提供一种高质量INP加工设备，利用磨平装置对两个INP晶片进行加工处理可以进一步的提高整体装置实用性的效果，提高了整体设备的加工效率；设置排除组件可以有效的将冷却组件与预留组件进行联动，使得其可以配合预留组件完成预备安置动作，配合冷却组件可以推动废液的集中回收进程，因此进一步的达到了提升整体装置环保性和实用性的效果；利用预留组件可以预先安排好INP晶片的安置动作，因此可以有效的节约整体的工作时间，因此达到了提高加工效率的效果，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种高质量INP加工设备，包括工作台，所述工作台的背面活动安装有磨平装置，所述工作台的左右两侧均活动安装有冷却组件，所述工作台的正面活动安装有排除组件，所述排除组件的顶端活动安装有预留组件；
[0007]所述工作台的侧面固定连通有进水管，所述工作台的顶面固定安装有安置台，所述工作台的顶面开设有排水槽，所述工作台的正面固定安装有导轨，所述工作台的底部固定安装有接收盒，所述接收盒的侧面开设有引流槽，所述接收盒的底面与工作台的内部均开设有斜方槽，所述工作台的侧面固定安装有废水收集盒，所述废水收集盒的底端固定连通有导出管。
[0008]在一个优选地实施方式中，所述排水槽的形状与安置台的形状相适配，所述排水
槽和引流槽相互连通，所述进水管的一端固定连通有输水装置。
[0009]在一个优选地实施方式中，所述冷却组件包括冷却管，所述冷却管的表面固定安装有安装环，所述安装环的侧面固定安装有直杆，所述直杆的底端固定安装有固定板，所述固定板的内部活动套接有传动板，所述传动板的右端固定安装有清理垫，所述固定板的底端螺纹安装有螺杆。
[0010]在一个优选地实施方式中，所述清理垫的材质设置为吸水海绵材料，所述螺杆的右端转动安装在工作台的内部，所述螺杆的左端固定套接有驱动装置，所述冷却管的底端固定连通在工作台的侧面，且与进水管相互连通。
[0011]在一个优选地实施方式中，所述排除组件包括安装管，所述安装管的表面开设有滑动槽，所述安装管的内侧固定安装有T形连接轴，所述T形连接轴的底端固定安装有限位柱，所述限位柱的底端固定安装有直板，所述直板的底端一体形成有推板。
[0012]在一个优选地实施方式中，所述限位柱的左右两端均滑动安装在导轨的内部，所述推板的左右两侧均贴合在接收盒内壁的左右两侧，所述滑动槽的数量为四个，所述安装管的数量为两个，两个所述安装管的大小和安置台的大小相适配。
[0013]在一个优选地实施方式中，所述预留组件包括垫环，所述垫环的侧面固定安装有U形管，所述U形管的一端一体形成有连接盘，所述连接盘的内壁固定连接有弹簧，所述连接盘的侧面固定安装有螺纹环，所述螺纹环的内部螺纹安装有双纹螺杆，所述U形管的表面活动套接有安装盒，所述安装盒的侧面固定安装有连接柱，所述预留组件的数量为两个。
[0014]在一个优选地实施方式中，所述垫环的大小和滑动槽的大小相适配，所述连接柱的一端固定安装在安装管的正面，所述安装盒的左侧表面开设有方槽，所述方槽的形状和弹簧的形状相适配。
[0015]本专利技术的技术效果和优点：
[0016]1、本专利技术在当将两个INP晶片加工结束后，通过驱动装置带动螺杆进行旋转，带动清理垫对INP的表面进行清理，废液经过排水槽通过引流槽进入到接收盒的内部，配合排除组件的推动，将废液从斜方槽的底端流入到废水收集盒的内部，因此可以进一步的达到了提高整体装置环保性的效果，利用磨平装置对两个INP晶片进行加工处理可以进一步的提高整体装置实用性的效果，提高了整体设备的加工效率。
[0017]2、本专利技术通过设置排除组件可以有效的将冷却组件与预留组件进行联动，使得其可以配合预留组件完成预备安置动作，配合冷却组件可以推动废液的集中回收进程，因此进一步的达到了提升整体装置环保性和实用性的效果。
[0018]3、本专利技术当磨平装置对安置台内部的INP进行加工的时候，此时将下一组的INP放置在垫环的顶面，最后完成安置，安置好后将双纹螺杆转动至初始位置，然后将后两片INP安置在垫环的顶面进行下一次的加工预备动作，利用预留组件可以预先安排好INP晶片的安置动作，因此可以有效的节约整体的工作时间，因此达到了提高加工效率的效果。
附图说明
[0019]图1为本专利技术的整体结构示意图。
[0020]图2为本专利技术的立体装配结构示意图。
[0021]图3为本专利技术的安装盒连接结构示意图。
[0022]图4为本专利技术的安装盒结构示意图。
[0023]图5为本专利技术的缓震组件结构示意图。
[0024]图6为本专利技术的卡扣组件结构示意图。
[0025]图7为本专利技术的封隔组件结构示意图。
[0026]附图标记为：1、工作台；2、磨平装置；3、冷却组件；4、排除组件；5、预留组件；11、进水管；12、安置台；13、排水槽；14、导轨；15、接收盒；16、引流槽；17、斜方槽；18、废水收集盒；31、冷却管；32、安装环；33、固定板；34、传动板；35、清理垫；36、螺杆；41、安装管；42、滑动槽；43、T形连接轴；44、限位柱；45、直板；46、推板；51、垫环；52、U形管；53、连接盘；54、弹簧；55、螺纹环；56、双纹螺杆；57、安装盒；58、连接柱。
具体实施方式
[0027]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高质量INP加工设备，包括工作台(1)，其特征在于，所述工作台(1)的背面活动安装有磨平装置(2)，所述工作台(1)的左右两侧均活动安装有冷却组件(3)，所述工作台(1)的正面活动安装有排除组件(4)，所述排除组件(4)的顶端活动安装有预留组件(5)；所述工作台(1)的侧面固定连通有进水管(11)，所述工作台(1)的顶面固定安装有安置台(12)，所述工作台(1)的顶面开设有排水槽(13)，所述工作台(1)的正面固定安装有导轨(14)，所述工作台(1)的底部固定安装有接收盒(15)，所述接收盒(15)的侧面开设有引流槽(16)，所述接收盒(15)的底面与工作台(1)的内部均开设有斜方槽(17)，所述工作台(1)的侧面固定安装有废水收集盒(18)，所述废水收集盒(18)的底端固定连通有导出管。2.根据权利要求1所述的高质量INP加工设备，其特征在于：所述排水槽(13)的形状与安置台(12)的形状相适配，所述排水槽(13)和引流槽(16)相互连通，所述进水管(11)的一端固定连通有输水装置。3.根据权利要求1所述的高质量INP加工设备，其特征在于：所述冷却组件(3)包括冷却管(31)，所述冷却管(31)的表面固定安装有安装环(32)，所述安装环(32)的侧面固定安装有直杆，所述直杆的底端固定安装有固定板(33)，所述固定板(33)的内部活动套接有传动板(34)，所述传动板(34)的右端固定安装有清理垫(35)，所述固定板(33)的底端螺纹安装有螺杆(36)。4.根据权利要求3所述的高质量INP加工设备，其特征在于：所述清理垫(35)的材质设置为吸水海绵材料，所述螺杆(36)的右端转动安装在工作台(1)的内部，所述螺杆(36)的左端固定套接有驱动...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘砚滨，赵中阳，赵春锋，于会永，
申请(专利权)人：大庆溢泰半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：