大庆溢泰半导体材料有限公司专利技术

大庆溢泰半导体材料有限公司共有48项专利

  • 一种热稳定处理回收系统,涉及单晶生长技术领域,包括生长炉,生长炉包括炉壳体、加热器和保温层,炉壳体内设置有齿圈、驱动齿轮和连接杆,齿圈位于炉壳体的内侧,驱动齿轮不少于三个,驱动齿轮位于炉壳体与保温层之间,驱动齿轮与齿圈啮合,驱动齿轮间接...
  • 一种四英寸锑化镓单晶生长炉,涉及单晶生长技术领域,包括生长区和化料区,两个区域使用不同的温场、不同的坩埚,多晶料先在化料区融化,融化的多晶料及覆盖剂会缓慢的流入下部生长区的坩埚内,通过测温点能够了解物料是否全部流入生长区,待纵向温梯和生...
  • 本发明公开了一种温场稳定的加热炉,具体涉及冶金技术领域,包括基座,基座的顶部固定安装有加热炉主体,加热炉主体的顶部活动安装有顶盖,顶盖的表面连通有通风管,基座表面的一侧开设有开槽,开槽的内部固定安装有流动组件;本发明通过流动组件与测温组...
  • 一种热稳定性高的还原炉,涉及多晶硅生产技术领域。尾气管外侧包裹有蒸发腔,还原炉外侧包裹有冷凝腔,在冷凝腔内的炉体外侧附着一层毛细多孔材料,蒸发腔内的尾气管外侧附着一层毛细多孔材料,蒸发腔和冷凝腔之间通过蒸发管和冷凝管连接成为一个密闭的空...
  • 一种利于回收的卡塞及回收方法,涉及晶圆分选卡塞领域,包括上端板、下端板和滑动板,所述的上端板与下端板之间设置有用于分层卡放晶圆的卡放组件,卡放组件不少于三组,卡放组件包括导向轴和隔块,导向轴的两端分别与上端板和下端板固定连接,隔块一字排...
  • 本发明公开了一种还原炉高温区隔热装置,具体涉及还原炉技术领域,包括还原炉主体,还原炉主体的顶部活动安装有顶盖,还原炉主体底部的一侧固定安装有支撑脚,支撑脚的底部固定安装有基座,还原炉主体的一侧连通有通气管,基座的正面固定安装有操作平台,...
  • 一种晶片定向解理设备,涉及半导体晶片加工设备技术领域,结构包括支架、往复转动轮组A、粗切割线、X轴轨道、滑套、往复转动轮组B和细切割线;往复转动轮组A安装在支架上且沿着Y轴方向滑动,每条粗切割线等间距的分布在往复转动轮组A上,往复转动轮...
  • 一种高效的晶体线切割机,涉及半导体材料加工技术领域,包括导线轮、切割线和工作台,所述的导线轮有两个,两个导线轮的轮轴平行设置,导线轮带有螺旋线槽,切割线缠绕于两个导线轮的螺旋线槽内;在两个导线轮之间,设置有四组定位器,四组定位器两两对位...
  • 一种用于处理砷化镓废料的设备,涉及半导体废料处理技术领域,包括加热炉、分解炉、冷凝箱和真空泵,分解炉位于加热炉的内侧,分解炉出口与冷凝箱入口连通,冷凝箱的下方设置有砷料排出口,所述的真空泵与冷凝箱连接,所述的分解炉的两端伸出于加热炉外,...
  • 一种晶片包装用圆盒,涉及半导体晶片包装技术领域,包括圆环状的盒体,盒体内设置有圆环状的旋转座,旋转座与盒体转动配合,旋转座内侧带有齿牙,盒体上固定安装有与齿牙配合的齿轮,拨动齿轮驱动旋转座转动;旋转座沿着周向均匀设置有晶片放置滑块,晶片...
  • 一种均匀加入粗砷的下料装备,涉及三氧化二砷加料装置技术领域,包括回型的壳体,壳体的两端为圆弧形,回型壳体伸入到碳化硅炉膛内且与炉膛内壁无接触,壳体内设置有输送装置,输送装置包括两个输送轮和一条输送带,两个输送轮置于壳体的两端,输送带套装...
  • 一种粗砷自动进料装置,涉及粗砷进料装置技术领域,包括加料漏斗、下料总管A、下料总管B,下料总管A的上端与加料漏斗连通,下料总管A的下端分为三个支管,每个支管上设置一个容料筒,三个容料筒的容积不同,下料总管A上设置有主控阀门,每一个容料筒...
  • 一种转化炉头加热装置,晶体加热装置的辅助装置技术领域,包括用于连接炉头和炉体的法兰及法兰颈,其特征在于:法兰颈的外侧设置有加热装置,所述的加热装置包括螺旋加热线圈,螺旋加热线圈通过轴截面分割开,分割处的线与线之间插接,被轴截面分割开的两...
  • 本发明公开了一种INP单片减薄设备,一种INP单片减薄设备,包括减薄机主体,减薄机主体左部顶面的中部可拆卸安装有输液组件,减薄机主体左部顶面的后侧可拆卸安装有防磨组件,减薄机主体中部的顶面固定安装有清理组件,减薄机主体顶部的左侧开设有矩...
  • 一种INP晶片取放装置,涉及半导体晶片加工技术领域,包括无尘盒和滑杆,无尘盒内放置有一卷无尘膜,无尘膜具有无尘无痕的效果,无尘盒外的一侧固接有两根相互平行的插杆,两根插杆上带有相互镜像的滑动轨道,滑动轨道包括沿插杆长度方向上开设的两条直...
  • 本发明公开了一种钽酸锂单晶生长设备,包括生长罐,生长罐的内部固定安装有外侧坩埚,外侧坩埚的顶部固定安装有抚平装置,生长罐的侧边固定安装有水冷装置,水冷装置的侧边固定安装有惰性气体输入装置,设置惰性气体输入装置,使氩气罐内部的氩气,通过出...
  • 本发明公开了一种高电导率钽酸理晶片黑化的装置,包括基座,基座的顶部固定安装有反应罐,反应罐的一侧连通有通气组件,反应罐内腔的底部可拆卸安装有加热装置,加热装置的顶部可拆卸安装有顶出组件,顶出组件的顶部固定安装有振动组件,基座的顶部开设有...
  • 本实用新型公开了低位错INP单晶生长用的单晶炉,包括炉体,炉体的表面开设有进料口,炉体的顶面可拆卸安装有副体,炉体的表面活动安装有移动装置,炉体的底面可拆卸安装有排气装置。上述方案中,设置移动装置,使得连接板能够带动滚轮接触地面,因此当...
  • 本实用新型公开了一种高质量INP加工用边角研磨装置,涉及高质量INP加工技术领域,包括驱动装置,驱动装置的侧边活动安装有运动带,运动带的内部活动安装有固定底座,固定底座的顶部固定安装有夹持装置。上述方案,在装置工作过程中,INP经过研磨...
  • 晶片机械解理与切割设备,涉及晶片机械解理与切割设备技术领域,包括底座、固定架、移动架、在竖立面内转动的转动架A、在水平面内转动的转动架B和晶圆载装盘,固定架竖立固定安装于底座上,转动架A、转动架B分别纵向和水平向连接于固定架和移动架上,...