一种获得对称图形的光刻方法技术

本申请涉及一种获得对称图形的光刻方法，在基片边缘做对齐标记线；在光刻版上确定出目标图形所在区域，并在光刻版上其余区域覆盖遮蔽层，以在遮蔽层与目标图形所在区域之间形成边界，并使边界与光刻版的第二基准线平行；基于对齐标记线、边界、第二基准线和基片的第一基准线，调整基片相对于覆盖有遮蔽层的光刻版的位置，以对齐；进行第一次曝光，以使目标图形刻于基片上；将覆盖有遮蔽层的光刻版旋转180

【技术实现步骤摘要】
一种获得对称图形的光刻方法


[0001]本申请涉及光刻
，特别涉及一种获得对称图形的光刻方法。

技术介绍

[0002]在基于手动光刻机进行光刻时，如果光刻版图形上下不对称却想在待曝光基片上获得对称图形，比如想利用2个半片进行试验对比，一般的做法就是重新设计一块光刻版，但这样做一来重新绘图需要人力和时间，二来新的光刻版加工周期一般得一个星期，影响项目进度，三来加工新光刻版也需要一笔费用。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种获得对称图形的光刻方法，能够利用已有的非对称光刻版在待曝光基片上形成对称的图形，简单易行，省时省力，降低费用，充分利用基片空间，同时保证光刻精度。
[0004]本申请实施例提供了一种获得对称图形的光刻方法，其包括：在基片边缘做对齐标记线；在光刻版上确定出目标图形所在区域，并在光刻版上其余区域覆盖遮蔽层，以在所述遮蔽层与目标图形所在区域之间形成边界，并使所述边界与光刻版的第二基准线平行；基于对齐标记线、边界、第二基准线和基片的第一基准线，调整基片相对于覆盖有遮蔽层的光刻版的位置，以对齐；进行第一次曝光，以使目标图形刻于所述基片上；将覆盖有遮蔽层的光刻版旋转180
°
，并再次调整基片相对于所述光刻版的位置，以对齐；进行第二次曝光，以使目标图形刻于所述基片上。
[0005]一些实施例中，基于对齐标记线、边界、第二基准线和基片的第一基准线，调整基片相对于覆盖有遮蔽层的光刻版的位置，以对齐，包括：调整基片，以使第一基准线和第二基准线重合；再次调整基片，以使对齐标记线与边界齐平。
[0006]一些实施例中，调整基片，以使第一基准线和第二基准线重合，包括：调整基片，以使第一基准线与第二基准线齐平；沿第一基准线长度方向，再次调整基片，以使第一基准线与第二基准线两端对齐。
[0007]一些实施例中，调整基片，以使第一基准线与第二基准线齐平，包括：当第一基准线与第二基准线不平行时，旋转基片，以使第一基准线与第二基准线平行，并沿垂直于第一基准线长度方向的方向，调整基片，直至第一基准线与第二基准线齐平；当第一基准线与第二基准线平行时，沿垂直于第一基准线长度方向的方向，调整
基片，直至第一基准线与第二基准线齐平。
[0008]一些实施例中，再次调整基片相对于所述光刻版的位置，以对齐，包括：沿垂直于第一基准线长度方向的方向，调整基片，直至对齐标记线与边界齐平。
[0009]一些实施例中，所述对齐标记线为刻痕线条；和/或，所述遮蔽层为锡箔纸。
[0010]一些实施例中，所述目标图形为左右轴对称图形时，所获得的对称图形为轴对称图形和中心对称图形；所述目标图形为左右非轴对称图形时，所获得的对称图形为中心对称图形。
[0011]一些实施例中，在基片上做对齐标记线之前，所述光刻方法还包括：在基片上进行匀胶和前烘。
[0012]一些实施例中，在进行第二次曝光之后，所述光刻方法还包括：显影和坚膜。
[0013]一些实施例中，所述光刻方法还包括套刻，所述套刻包括：在套刻光刻版上确定出套刻目标图形所在区域，并在该套刻光刻版上其余区域覆盖遮蔽层，以在该遮蔽层与该套刻目标图形所在区域之间形成边界；其中，该套刻光刻版上覆盖遮蔽层的区域位置与所述光刻版上覆盖遮蔽层的区域位置一致；调整所述基片相对于该覆盖有遮蔽层的套刻光刻版的位置，并进行套刻和曝光；将该覆盖有遮蔽层的套刻光刻版旋转180
°
，并再次进行套刻和曝光。
[0014]本申请提供的技术方案带来的有益效果包括：本申请提供的光刻方法，在不需要重新设计并制作新光刻版情况下，利用非对称的光刻版在基片上实现对称的图形转移，充分利用基片空间，并保证光刻精度，既简单易行，省时省力，又降低费用。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1为本申请实施例提供的基片示意图；图2为本申请实施例提供的光刻版示意图；图3为图2上覆盖遮蔽层后的示意图；图4为本申请实施例提供的第一次曝光时的示意图；图5为本申请实施例提供的第二次曝光时的示意图。
[0017]图中：1、基片；10、对齐标记线；11、第一基准线；2、光刻版；20、目标图形；21、第二基准线；3、遮蔽层；4、边界。
具体实施方式
[0018]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人
员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0019]参见图1、图2、图3、图4和图5所示，本申请实施例提供了一种获得对称图形的光刻方法，该光刻方法包括如下步骤：101：按照常规方法，在基片1上进行匀胶和前烘。
[0020]102：参见图1所示，在基片1边缘做对齐标记线10，可以使用镊子等器具的尖端轻轻地在基片1的边缘处划一道刻痕线条，该对齐标记线10长度要比较短，以在目标图形20之外为原则；此外，还可以使用其他方式做对齐标记线10，比如使用小刀等等。
[0021]基片1上具有一个第一基准线11，该第一基准线11是基片1自身的物理形状形成的。
[0022]103：参见图2和图3所示，在光刻版2上确定出目标图形20所在区域，并在光刻版2上其余区域覆盖遮蔽层3，以在遮蔽层3与目标图形20所在区域之间形成边界4，需要注意的是，该边界4并不是画/刻出来的线条，而是因为遮蔽层3的存在而形成的，并且上述边界4需要与光刻版2的基准线，也即第二基准线21平行，该第二基准线21是光刻版2上图形设计自身绘制的标记，且第二基准线21通常是与第一基准线11等长的；利用遮蔽层3，将光刻版2上不需要的图形挡住，遮蔽层3可以使用不透明的材料，以不透过紫外光为准，比如作为一个示例，遮蔽层3采用锡箔纸等等，遮蔽层3的固定方式也有多种，比如作为一个示例，遮蔽层3可以采用粘接的方式覆盖在光刻版上。
[0023]需要说明的是，步骤102和步骤103可以同时进行，也可以先覆盖遮蔽层3，后在基片1上做对齐标记线10。
[0024]104：将覆盖有遮蔽层3的光刻版2和基片1放在光刻机上，通常光刻版2是在基片1的上方，借助对齐标记线10、边界4、第一基准线11和第二基准线21，利用光刻机的水平调节旋钮及X方向位移旋钮、Y方向位移旋钮，调整基片1相对于覆盖有遮蔽层3的光刻版2的位置，以使基片1和光刻版2进行对齐。其中，X方向为第一基准线11的长度方向，Y方向为垂直于第一基准线11的长度方向的方向。
[0025]105：参见图4所示，针对基片1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种获得对称图形的光刻方法，其特征在于，其包括：在基片（1）边缘做对齐标记线（10）；在光刻版（2）上确定出目标图形（20）所在区域，并在光刻版（2）上其余区域覆盖遮蔽层（3），以在所述遮蔽层（3）与目标图形（20）所在区域之间形成边界（4），并使所述边界（4）与光刻版（2）的第二基准线（21）平行；基于对齐标记线（10）、边界（4）、第二基准线（21）和基片（1）的第一基准线（11），调整基片（1）相对于覆盖有遮蔽层（3）的光刻版（2）的位置，以对齐；进行第一次曝光，以使目标图形（20）刻于所述基片（1）上；将覆盖有遮蔽层（3）的光刻版（2）旋转180
°
，并再次调整基片（1）相对于所述光刻版（2）的位置，以对齐；进行第二次曝光，以使目标图形（20）刻于所述基片（1）上。2.如权利要求1所述的获得对称图形的光刻方法，其特征在于，基于对齐标记线（10）、边界（4）、第二基准线（21）和基片（1）的第一基准线（11），调整基片（1）相对于覆盖有遮蔽层（3）的光刻版（2）的位置，以对齐，包括：调整基片（1），以使第一基准线（11）和第二基准线（21）重合；再次调整基片（1），以使对齐标记线（10）与边界（4）齐平。3.如权利要求2所述的获得对称图形的光刻方法，其特征在于，调整基片（1），以使第一基准线（11）和第二基准线（21）重合，包括：调整基片（1），以使第一基准线（11）与第二基准线（21）齐平；沿第一基准线（11）长度方向，再次调整基片（1），以使第一基准线（11）与第二基准线（21）两端对齐。4.如权利要求3所述的获得对称图形的光刻方法，其特征在于，调整基片（1），以使第一基准线（11）与第二基准线（21）齐平，包括：当第一基准线（11）与第二基准线（21）不平行时，旋转基片（1），以使第一基准线（11）与第二基准线（21）平行，并沿垂直于第一基准线...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡勤伟，彭博士，
申请(专利权)人：武汉光谷量子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：