SiO2倾斜台面及其刻蚀方法技术

本申请公开了一种SiO2倾斜台面及其刻蚀方法，涉及半导体刻蚀的技术领域，刻蚀方法包括以下步骤：在去除待刻蚀的SiO2层上的光刻胶之后，根据期待的刻蚀后的SiO2层在衬底上形成的目标倾角，在设定的刻蚀约束下选择相应的刻蚀参数；根据选择的刻蚀参数，使用RIE设备对待刻蚀的SiO2层进行刻蚀直至刻蚀到所述衬底上，得到具有所述目标倾角的SiO2倾斜台面；刻蚀约束包括刻蚀气体的气流总量相同，所述刻蚀气体包括氧气O2和四氟化碳CF4，且不同气流量的O2或CF4各对应一目标倾角。本申请通过RIE刻蚀参数的调整选择，并依据SiO2倾斜台面的刻蚀方法制得的SiO2倾斜台面，有效改善光电器件电子束蒸发的金属电极引线在SiO2层侧壁覆盖差而导致电极引线容易断开引发的可靠性问题。电极引线容易断开引发的可靠性问题。电极引线容易断开引发的可靠性问题。

【技术实现步骤摘要】
SiO2倾斜台面及其刻蚀方法


[0001]本申请涉及半导体刻蚀的
，特别涉及一种SiO2倾斜台面及其刻蚀方法。

技术介绍

[0002]反应离子刻蚀RIE作为半导体制造工艺的重要部分，其中的RIE设备主要由上下平行的两个电极板构成，上电极(阳极)与反应腔室接地，下电极(阴极)接射频电源，射频电源的频率为13.56MHz。RIE刻蚀工艺的工作原理为待刻蚀的硅晶片wafer放在下电极上，通入反应腔室中的气体在高频电场的作用下反应气体被击穿，辉光放电，产生等离子体，而产生的等离子体具有较强的化学活性，可与被刻蚀物质表面起化学反应形成挥发性物质，从而达到刻蚀的目的。
[0003]在光电器件中，金属Pad将欧姆接触电极引出放置在SiO2钝化膜之上用来测试扎针。那么，在光电器件制备工艺中时，金属电极主要通过磁控溅射或电子束蒸发沉积，再通过光刻胶剥离工艺将非电极区域金属剥离掉，留下电极区域金属形成电极。
[0004]一方面，磁控溅射具有良好的台阶覆盖能力，但导致用于剥离的光刻胶侧壁和介质膜侧壁都形成良好的覆盖而使得金属连接在一起剥离困难，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiO2倾斜台面的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：在去除待刻蚀的SiO2层上的光刻胶之后，根据期待的刻蚀后的SiO2层在衬底上形成的目标倾角，在设定的刻蚀约束下选择相应的刻蚀参数；根据选择的刻蚀参数，使用RIE设备对待刻蚀的SiO2层进行刻蚀直至刻蚀到所述衬底上，得到具有所述目标倾角的SiO2倾斜台面；其中，刻蚀约束包括刻蚀气体的气流总量相同，所述刻蚀气体包括氧气O2和四氟化碳CF4，且不同气流量的O2或CF4各对应一目标倾角。2.如权利要求1所述的SiO2倾斜台面的刻蚀方法，其特征在于，所述O2的气流量在30sccm以下，所述CF4的气流量在20～50sccm之间。3.如权利要求1或2所述的SiO2倾斜台面的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀约束还包括刻蚀温度、射频功率和腔体压力；其中，所述刻蚀温度在18～22℃之间，所述射频功率在100～300W之间，所述腔体压力在20～100mTorr之间。4.如权利要求3所述的SiO2倾斜台面的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀温度包括20℃；或者，所述射频功率包括150W；或者，所述腔体压力包括30mTorr。5.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴细鹏，余琳，刘媛媛，
申请(专利权)人：武汉光谷量子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：