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本申请公开了一种SiO2倾斜台面及其刻蚀方法，涉及半导体刻蚀的技术领域，刻蚀方法包括以下步骤：在去除待刻蚀的SiO2层上的光刻胶之后，根据期待的刻蚀后的SiO2层在衬底上形成的目标倾角，在设定的刻蚀约束下选择相应的刻蚀参数；根据选择的刻蚀参...
该专利属于武汉光谷量子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉光谷量子技术有限公司授权不得商用。

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