本申请涉及一种改善晶圆选择性窗口扩散均匀性的工艺，包括如下步骤：在晶圆表面沉积扩散掩膜；光刻，以在扩散掩膜表面形成扩散窗口以及环绕扩散窗口的扩散环；在扩散窗口和扩散环内进行杂质扩散，以形成扩散区。本申请在通过在扩散窗口周围增设扩散环，扩...

本申请涉及一种防止信号串扰的焦平面阵列器件及其制作方法，包括如下步骤：在衬底表面制作依次包括第一接触层、吸收层、第二接触层、腐蚀停刻层的外延层；刻蚀外延层以形成焦平面阵列台面；焦平面阵列台面表面制备钝化膜；刻蚀去除焦平面阵列台面底部的钝...

本发明公开了一种基于开关矩阵的焦平面阵列探测器及其制作方法，涉及FPA技术领域。该方法的步骤包括：制作行列独立探测器芯片，探测器芯片中所有行的像元共用P电极、且所有列的像元共用N电极；或者探测器芯片中所有行的像元共用N电极、且所有列的像...

本申请公开了一种SiO2倾斜台面及其刻蚀方法，涉及半导体刻蚀的技术领域，刻蚀方法包括以下步骤：在去除待刻蚀的SiO2层上的光刻胶之后，根据期待的刻蚀后的SiO2层在衬底上形成的目标倾角，在设定的刻蚀约束下选择相应的刻蚀参数；根据选择的刻...

本发明涉及一种光敏二极管的制备方法及光敏二极管，其包括：在衬底上外延生长缓冲层、吸收层和帽层，形成外延结构；在外延结构的表面沉积介质膜，并在介质膜上形成蜂窝状的扩散掩膜窗口；通过蜂窝状的扩散掩膜窗口向帽层和吸收层扩散杂质，使每个扩散掩膜...

本发明公开了一种基于牛顿环的光电探测器贴装方法及系统，涉及光电探测器制备技术领域。其中，基于牛顿环的光电探测器贴装方法，包括以下步骤：利用凸透镜与光电探测器的光敏面之间形成的牛顿环进行对准，以将凸透镜贴装至光电探测器上。本发明实现成本较...

本发明涉及一种用于单光子雪崩光电二极管SPAD的接触层，其为由外延晶圆的阻挡层上表面、从两侧向中间逐级向下凹陷形成的N级同轴对称台阶结构。本发明还涉及一种用于SPAD的接触层的制备方法，其包括：对外延晶圆的阻挡层进行N次刻蚀得到接触层。...

本申请公开了一种SPAD同轴型TO器件及其制作方法，涉及同轴型光电器件技术领域，该制作方法包括：将SPAD进行管帽封焊后，安装至耦合焊接平台器件底座，获取SPAD的初始耦光位置；依次在多个预设的对准偏置电压下，通过逐行扫描方式获取每个耦...

本发明涉及一种背照式平面型单光子雪崩光电二极管SPAD，包括盖层、吸收层和衬底，盖层上表面设置有介质

本申请涉及一种获得对称图形的光刻方法，在基片边缘做对齐标记线；在光刻版上确定出目标图形所在区域，并在光刻版上其余区域覆盖遮蔽层，以在遮蔽层与目标图形所在区域之间形成边界，并使边界与光刻版的第二基准线平行；基于对齐标记线、边界、第二基准线...

本发明涉及InP基雪崩二极管器件关键参数技术领域，具体涉及一种获取雪崩二极管关键参数的方法，该方法通过实测待测雪崩二极管的多个测点的测点光电流和测点电压，根据测点光电流确定对应的测点增益；将对应测点的测点增益和测点电压进行数学变换后进行...

本申请涉及一种深台面型光电子器件及其电极光刻制备方法，方法包括步骤：加工形成深台面刻蚀器件；在深台面刻蚀器件上匀涂第一层反转光刻胶，并进行第一次坚膜烘烤，使第一层反转光刻胶固化；在第一层反转光刻胶上匀涂第二层反转光刻胶，并进行第二次坚膜...

本申请涉及一种平面型APD的外延结构、APD及其制作方法，所述平面型APD的外延结构包括倍增层，所述倍增层包括至少一组倍增单元，所述倍增单元从上到下依次包括载流子加速区和碰撞电离区，且所述载流子加速区为本征InAlAs材料，所述碰撞电离...

本申请涉及一种雪崩光电二极管，所述雪崩光电二极管自下而上依次包括衬底、缓冲层、吸收层、过渡层、电荷层和帽层，所述帽层包括扩散区，所述吸收层包括掺杂环，且所述掺杂环在所述帽层上的投影覆盖所述扩散区的边缘，以降低所述扩散区边缘的电场强度。本...

本申请涉及一种半导体掺杂工艺的表征方法、装置及系统，所述表征方法包括步骤：根据光致发光测试设备测得的半导体材料的特征光谱曲线，得到所述半导体材料的半峰宽；根据所述半导体材料的半峰宽来表征半导体材料的掺杂浓度和掺杂深度，并根据半峰宽的均匀...

本申请涉及一种分布式布拉格反射镜及其制作方法和设计方法，所述分布式布拉格反射镜的制作方法包括步骤：通过非选择性干法刻蚀和选择性湿法腐蚀相结合的方式，在反射镜层内形成N组高折射率对比度的两层薄膜，其中，折射率对比度大于2。相对于现有的低折...

本申请涉及一种雪崩光电二极管及其制作方法，所述雪崩光电二极管自下而上依次包括衬底、缓冲层、吸收层、过渡层、电荷层和帽层，所述帽层包括扩散区，所述吸收层包括掺杂环，且所述掺杂环在所述帽层上的投影覆盖所述扩散区的边缘，以降低所述扩散区边缘的...

本申请涉及一种窄光谱响应的光电探测器及其制作方法和设计方法，所述光电探测器自上而下依次包括第一反射镜、功能区和第二反射镜；所述第一反射镜为通过气相沉积法形成的分布式布拉格DBR反射镜；所述第二反射镜为高折射率对比度的悬空反射镜，且所述第...

本申请涉及一种台面型二极管及其制作方法、阵列芯片的制作方法，所述台面型二极管自下而上依次包括倍增层、杂质控制层和高掺杂P型层，所述倍增层包括扩散区和倍增区，且所述扩散区和所述杂质控制层均由所述高掺杂P型层中的杂质在加热过程中向下扩散而成...

本实用新型公开了一种高增益带宽积的光探测器，涉及光探测器技术领域，包括以下步骤：衬底、波半导体光放大器TWSOA和波导雪崩光电二极管WGAPD。所述TWSOA和WGAPD沿入射光方向间隔设置在所述衬底上。所述WGAPD与TWSOA一一对...