一种电浆碰撞强度监测方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本公开提供了一种电浆碰撞强度监测方法、装置、设备及存储介质，涉及半导体技术领域。方法主要包括：获取工艺腔的历史生产数据和当前试生产数据，当前试生产数据包括当前试生产离子信号强度；根据历史生产数据和当前试生产离子信号强度，计算当前保养周期对应的离子信号强度范围；将正式生产过程中监测所得的当前保养周期内工艺腔的当前离子信号强度，与当前保养周期对应的离子信号强度范围进行比较，得到工艺腔的电浆碰撞强度的监测结果。本公开提供的一种电浆碰撞强度监测方法、装置、设备及存储介质，可以对正式生产过程中工艺腔的当前离子信号强度进行实时监测，并且可以在当前离子信号强度不满足离子信号强度范围时发出报警信息。信息。信息。

【技术实现步骤摘要】
一种电浆碰撞强度监测方法、装置、设备及存储介质


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种电浆碰撞强度监测方法、装置、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]芯片制造过程中需要进行介质层蚀刻，在进行介质层蚀刻时，随着接触孔蚀刻深度的加深，可能出现蚀刻终止现象，即Contact Open。通常情况下，在介质层蚀刻速率及均匀度保持不变的情况下，当工艺腔电浆碰撞强度发生变化时，对于蚀刻深宽比相对较小的区域影响不大，但对于蚀刻深宽比相对较大的区域影响较大，甚至会出现蚀刻终止的现象，导致晶圆边缘出现漏电流现象。
[0003]针对由于工艺腔电浆碰撞强度发生变化而导致出现蚀刻终止的问题，目前业界还没有提出相应的解决方案。

技术实现思路

[0004]本公开提供了一种电浆碰撞强度监测方法、装置、设备及存储介质，以至少解决现有技术中存在的以上技术问题。
[0005]根据本公开的第一方面，提供了一种电浆碰撞强度监测方法，该方法包括：获取工艺腔的历史生产数据和当前试生产数据，所述当前试生产数据包括当前试生产离子信号强度；根据所述历史生产数据和所述当前试生产离子信号强度，计算当前保养周期对应的离子信号强度范围；将正式生产过程中监测所得的当前保养周期内工艺腔的当前离子信号强度，与所述当前保养周期对应的离子信号强度范围进行比较，得到所述工艺腔的电浆碰撞强度的监测结果。
[0006]在一可实施方式中，所述根据所述历史生产数据和所述当前试生产离子信号强度，计算当前保养周期对应的离子信号强度范围，包括：根据所述历史生产数据中的第一信号波动范围，计算当前保养周期的第二信号波动范围；根据所述当前试生产离子信号强度以及所述历史生产数据中的信号强度平均值和历史试生产离子信号强度，计算当前保养周期的信号强度目标值；根据所述第二信号波动范围和所述信号强度目标值，计算当前保养周期对应的所述离子信号强度范围。
[0007]在一可实施方式中，根据以下公式计算所述第二信号波动范围：Range＝ax1+bx2+cx3+
…
+mx
n
，其中，Range为所述第二信号波动范围，a、b、c、m分别为当前保养周期的前n个保养周期对应的权重，x1、x2、x3、x
n
分别为当前保养周期的前n个保养周期对应的第一信号波动范围。
[0008]在一可实施方式中，所述根据所述当前试生产离子信号强度以及所述历史生产数据中的信号强度平均值和历史试生产离子信号强度，计算当前保养周期的信号强度目标值，包括：计算所述信号强度平均值与所述历史试生产离子信号强度的差值；根据所述当前试生产离子信号强度和所述差值，计算所述信号强度目标值。
[0009]在一可实施方式中，根据以下公式计算所述信号强度目标值：Target＝A+ay1+by2+cy3+
…
+my
n
，其中，Target为所述信号强度目标值，A为所述当前试生产离子信号强度，a、b、c、m分别为当前保养周期的前n个保养周期对应的权重，y1、y2、y3、y
n
分别为当前保养周期的前n个保养周期对应的信号强度平均值与历史试生产离子信号强度的差值。
[0010]在一可实施方式中，所述当前试生产数据包括当前试生产晶圆的工艺参数，在所述将正式生产过程中监测所得的当前保养周期内工艺腔的当前离子信号强度，与所述当前保养周期对应的离子信号强度范围进行比较，得到所述工艺腔的电浆碰撞强度的监测结果之前，所述方法还包括：根据所述工艺参数，对所述当前试生产晶圆进行失效分析，得到分析结果；所述分析结果表征所述当前试生产晶圆存在蚀刻终止时，发送当前保养周期异常的第一报警信息。
[0011]在一可实施方式中，所述将正式生产过程中监测所得的当前保养周期内工艺腔的当前离子信号强度，与所述当前保养周期对应的离子信号强度范围进行比较，得到所述工艺腔的电浆碰撞强度的监测结果，包括：判断所述当前离子信号强度是否满足所述离子信号强度范围，得到判断结果；所述判断结果为是，则所述电浆碰撞强度正常；所述判断结果为否，则所述电浆碰撞强度异常，并发出所述电浆碰撞强度异常的第二报警信息。
[0012]根据本公开的第二方面，提供了一种电浆碰撞强度监测装置，该装置包括：获取模块，用于获取工艺腔的历史生产数据和当前试生产数据，所述当前试生产数据包括当前试生产离子信号强度；计算模块，用于根据所述历史生产数据和所述当前试生产离子信号强度，计算当前保养周期对应的离子信号强度范围；监测模块，用于将正式生产过程中监测所得的当前保养周期内工艺腔的当前离子信号强度，与所述当前保养周期对应的离子信号强度范围进行比较，得到所述工艺腔的电浆碰撞强度的监测结果。
[0013]根据本公开的第三方面，提供了一种电子设备，包括：
[0014]至少一个处理器；以及
[0015]与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
[0016]所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行本公开所述的方法。
[0017]根据本公开的第四方面，提供了一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质，所述计算机指令用于使所述计算机执行本公开所述的方法。
[0018]本公开的一种电浆碰撞强度监测方法、装置、设备及存储介质，首先获取工艺腔的历史生产数据和当前试生产数据，然后根据历史生产数据和当前试生产数据中的当前试生产离子信号强度，计算当前保养周期对应的离子信号强度范围，并将正式生产过程中监测所得的当前保养周期内工艺腔的当前离子信号强度，与当前保养周期对应的离子信号强度范围进行比较，得到工艺腔的电浆碰撞强度的监测结果。由此，可以对正式生产过程中工艺腔的当前离子信号强度(即工艺腔电浆碰撞强度)进行实时监测，并且可以在当前离子信号强度不满足离子信号强度范围时，发出报警信息，操作人员可以根据报警信息停止生产，并重新对工艺腔进行保养，从而避免由于工艺腔电浆碰撞强度发生变化而导致的蚀刻终止现象。
[0019]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本公开的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0020]通过参考附图阅读下文的详细描述，本公开示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本公开的若干实施方式，其中：
[0021]在附图中，相同或对应的标号表示相同或对应的部分。
[0022]图1示出了本公开第一实施例一种电浆碰撞强度监测方法的流程示意图；
[0023]图2示出了本公开第二实施例一种电浆碰撞强度监测方法的流程示意图；
[0024]图3示出了本公开第三实施例一种电浆碰撞强度监测方法的流程示意图；
[0025]图4示出了本公开第六实施例一种电浆碰撞强度监测装置的结构示意图；
[0026]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电浆碰撞强度监测方法，其特征在于，所述方法包括：获取工艺腔的历史生产数据和当前试生产数据，所述当前试生产数据包括当前试生产离子信号强度；根据所述历史生产数据和所述当前试生产离子信号强度，计算当前保养周期对应的离子信号强度范围；将正式生产过程中监测所得的当前保养周期内工艺腔的当前离子信号强度，与所述当前保养周期对应的离子信号强度范围进行比较，得到所述工艺腔的电浆碰撞强度的监测结果。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述历史生产数据和所述当前试生产离子信号强度，计算当前保养周期对应的离子信号强度范围，包括：根据所述历史生产数据中的第一信号波动范围，计算当前保养周期的第二信号波动范围；根据所述当前试生产离子信号强度以及所述历史生产数据中的信号强度平均值和历史试生产离子信号强度，计算当前保养周期的信号强度目标值；根据所述第二信号波动范围和所述信号强度目标值，计算当前保养周期对应的所述离子信号强度范围。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据以下公式计算所述第二信号波动范围：Range＝ax1+bx2+Cx3+
…
+mx
n
，其中，Range为所述第二信号波动范围，a、b、c、m分别为当前保养周期的前n个保养周期对应的权重，x1、x2、x3、x
n
分别为当前保养周期的前n个保养周期对应的第一信号波动范围。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述当前试生产离子信号强度以及所述历史生产数据中的信号强度平均值和历史试生产离子信号强度，计算当前保养周期的信号强度目标值，包括：计算所述信号强度平均值与所述历史试生产离子信号强度的差值；根据所述当前试生产离子信号强度和所述差值，计算所述信号强度目标值。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，根据以下公式计算所述信号强度目标值：Target＝A+ay
l
+by2+cy3+
…
+my
n
，其中，Target为所述信号强度目标值，A为所述当前试生产离子信号强度，a、b、c、m分别为当前保养周期的前n个保养周期对应的权重，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶余超，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：