一种电浆碰撞强度监测方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本公开提供了一种电浆碰撞强度监测方法、装置、设备及存储介质，涉及半导体技术领域。方法主要包括：获取工艺腔的历史生产数据和当前试生产数据，当前试生产数据包括当前试生产离子信号强度；根据历史生产数据和当前试生产离子信号强度，计算当前保养周期对应的离子信号强度范围；将正式生产过程中监测所得的当前保养周期内工艺腔的当前离子信号强度，与当前保养周期对应的离子信号强度范围进行比较，得到工艺腔的电浆碰撞强度的监测结果。本公开提供的一种电浆碰撞强度监测方法、装置、设备及存储介质，可以对正式生产过程中工艺腔的当前离子信号强度进行实时监测，并且可以在当前离子信号强度不满足离子信号强度范围时发出报警信息。信息。信息。

【技术实现步骤摘要】
一种电浆碰撞强度监测方法、装置、设备及存储介质


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种电浆碰撞强度监测方法、装置、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]芯片制造过程中需要进行介质层蚀刻，在进行介质层蚀刻时，随着接触孔蚀刻深度的加深，可能出现蚀刻终止现象，即Contact Open。通常情况下，在介质层蚀刻速率及均匀度保持不变的情况下，当工艺腔电浆碰撞强度发生变化时，对于蚀刻深宽比相对较小的区域影响不大，但对于蚀刻深宽比相对较大的区域影响较大，甚至会出现蚀刻终止的现象，导致晶圆边缘出现漏电流现象。
[0003]针对由于工艺腔电浆碰撞强度发生变化而导致出现蚀刻终止的问题，目前业界还没有提出相应的解决方案。

技术实现思路

[0004]本公开提供了一种电浆碰撞强度监测方法、装置、设备及存储介质，以至少解决现有技术中存在的以上技术问题。
[0005]根据本公开的第一方面，提供了一种电浆碰撞强度监测方法，该方法包括：获取工艺腔的历史生产数据和当前试生产数据，所述当前试生产数据包括当前试生产离子信号强度；根据所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电浆碰撞强度监测方法，其特征在于，所述方法包括：获取工艺腔的历史生产数据和当前试生产数据，所述当前试生产数据包括当前试生产离子信号强度；根据所述历史生产数据和所述当前试生产离子信号强度，计算当前保养周期对应的离子信号强度范围；将正式生产过程中监测所得的当前保养周期内工艺腔的当前离子信号强度，与所述当前保养周期对应的离子信号强度范围进行比较，得到所述工艺腔的电浆碰撞强度的监测结果。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述历史生产数据和所述当前试生产离子信号强度，计算当前保养周期对应的离子信号强度范围，包括：根据所述历史生产数据中的第一信号波动范围，计算当前保养周期的第二信号波动范围；根据所述当前试生产离子信号强度以及所述历史生产数据中的信号强度平均值和历史试生产离子信号强度，计算当前保养周期的信号强度目标值；根据所述第二信号波动范围和所述信号强度目标值，计算当前保养周期对应的所述离子信号强度范围。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据以下公式计算所述第二信号波动范围：Range＝ax1+bx2+Cx3+
…
+mx
n
，其中，Range为所述第二信号波动范围，a、b、c、m分别为当前保养周期的前n个保养周期对应的权重，x1、x2、x3、x
n
分别为当前保养周期的前n个保养周期对应的第一信号波动范围。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述当前试生产离子信号强度以及所述历史生产数据中的信号强度平均值和历史试生产离子信号强度，计算当前保养周期的信号强度目标值，包括：计算所述信号强度平均值与所述历史试生产离子信号强度的差值；根据所述当前试生产离子信号强度和所述差值，计算所述信号强度目标值。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，根据以下公式计算所述信号强度目标值：Target＝A+ay
l
+by2+cy3+
…
+my
n
，其中，Target为所述信号强度目标值，A为所述当前试生产离子信号强度，a、b、c、m分别为当前保养周期的前n个保养周期对应的权重，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶余超，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：