模板、被加工构件及对准方法技术

模板具备对准标记。对准标记包含第1主图案和第1辅助图案。第1主图案由第1部分和第2部分以规定的重复图案配置而成。第1辅助图案在第1主图案的端部外侧的区域以与重复图案相反的图案构成。的图案构成。的图案构成。

【技术实现步骤摘要】
模板、被加工构件及对准方法
相关申请本申请以由2021年3月23日提交的在先的第2021
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049180号日本专利技术专利申请所产生的优先权之利益为基础，且请求其利益，其全部内容通过援引而包含于本申请。


[0001]本专利技术的实施方式涉及模板、被加工构件及对准方法。

技术介绍

[0002]半导体装置的制造工序中，使用在晶圆等被加工构件上形成细小的图案的压印法。在压印法中，进行将形成有图案的模板与被加工构件之间的位置对准的对准处理。在对准处理中，使用分别设置于模板和被加工构件的对准标记。如果向对准标记照射检查光，则有可能在对准标记的端部产生散射光导致的噪声。为了使对准的精度提高，需要抑制在对准标记的端部产生的噪声导致的影响。

技术实现思路

[0003]本专利技术的实施方式提供能够抑制对准标记的端部处的噪声的模板、被加工构件及对准方法。
[0004]根据本专利技术的一个实施方式，提供一种模板。模板具备对准标记。对准标记包括第1主图案和第1辅助图案。第1主图案由第1部分和第2部分以规定的重复图案配置而成。第1辅助图案在第1主图案的端部外侧的区域以与重复图案相反的图案构成。
[0005]根据上述构成，能够提供能抑制对准标记的端部处的噪声的模板、被加工构件及对准方法。
附图说明
[0006]图1是表示第1实施方式所涉及的模板的构成的一个例子的俯视图。图2是表示第1实施方式所涉及的模板的对准标记区域的构成的一个例子的局部放大俯视图。图3是表示第1实施方式所涉及的晶圆的构成的一个例子的俯视图。图4是表示第1实施方式所涉及的晶圆的对准区域的构成的一个例子的局部放大俯视图。图5是表示第1实施方式所涉及的对准装置的构成的一个例子的图。图6是表示第1实施方式所涉及的对准方法的一个例子的流程图。图7是表示第1实施方式所涉及的第1LS图案和第1LS辅助图案的构成的一个例子的局部放大俯视图。图8是表示第1实施方式所涉及的第2LS图案和第2LS辅助图案的构成的一个例子的局部放大俯视图。
图9是表示第1实施方式所涉及的第1LS辅助图案的辅助膜的构成的一个例子的局部放大俯视图。图10是表示第1实施方式所涉及的第1LS辅助图案的辅助膜的作用效果的一个例子的示意图。图11是表示第1实施方式所涉及的棋盘格图案及棋盘格辅助图案的构成的一个例子的局部放大俯视图。图12是表示第2实施方式所涉及的第1LS图案及第1LS辅助图案的构成的一个例子的局部放大俯视图。图13是表示第3实施方式所涉及的第1LS图案及第1LS辅助图案的构成的一个例子的局部放大俯视图。图14是表示第4实施方式所涉及的第1LS图案及第1LS辅助图案的构成的一个例子的局部放大俯视图。图15是表示第5实施方式所涉及的第1LS图案及第1LS辅助图案的构成的一个例子的局部放大俯视图。图16是表示第6实施方式所涉及的第1LS图案及第1LS辅助图案的构成的一个例子的局部放大俯视图。图17是表示第7实施方式所涉及的模板的对准区域的构成的一个例子的局部放大俯视图。图18是表示第7实施方式所涉及的晶圆的对准区域的构成的一个例子的局部放大俯视图。
具体实施方式
[0007]以下，结合附图对本专利技术的实施方式进行说明。此外，本专利技术并不由实施方式限定。另外，实施方式中的构成要素包括本领域技术人员容易想到的要素或实质性相同的要素。
[0008][第1实施方式]＜模板＞图1是表示第1实施方式所涉及的模板1的构成的一个例子的俯视图。图中，X轴对应水平面的左右方向，Y轴对应水平面的前后方向，Z轴对应与水平面垂直的垂直(上下)方向。
[0009]模板1是使可见光线及紫外线透射的透明材料，是例如以石英作为主要成分的材料构成的板状的构件。这里所例示的模板1为矩形，例如为边长150mm左右的正方形。
[0010]在模板1的中央部形成有向下方凸出的台状的台面(mesa)部10。台面部10的下表面形成有装置图案区域11及对准区域12。此外，图1例示了在平面观察(俯视或仰视)时为圆形的台面部10，但台面部10也可以平面视图为矩形。装置图案区域11形成有压印到被加工构件的图案(凹部或凸部)。
[0011]对准区域12形成有在进行模板1与被加工构件的位置对准的对准处理中使用的对准标记。此外，对准区域12也可以形成于装置图案区域11内。
[0012]图2是表示第1实施方式所涉及的模板1的对准区域12的构成的一个例子的局部放大俯视图。对准区域12中形成有第1对准标记22及第2对准标记23。
[0013]第1对准标记22是用于检测模板1与被加工构件之间的X轴方向的位置偏移的标记，包含第1LS图案22A(第1主图案)及第1LS辅助图案22B(第1辅助图案)。
[0014]第1LS图案22A是反射检查光的多个线状的反射膜和透射检查光的线状的透射区域以与Y轴平行的方式交替配置而成的图案、即与Y轴平行的线和间隔(line and space)状的图案。反射膜含有例如铬等反光性材料作为主成分。
[0015]第1LS辅助图案22B形成于第1LS图案22A的Y轴的端部，是实现抑制在该端部附近产生的噪声的作用的图案。
[0016]第2对准标记23是用于检测模板1与被加工构件之间的Y轴方向的位置偏移的标记，包含第2LS图案23A(第1主图案)及第2LS辅助图案23B(第1辅助图案)。
[0017]第2LS图案23A是反射检查光的多个线状的反射膜和透射检查光的线状的透射区域以与X轴平行的方式交替配置而成的图案、即与X轴平行的线和间隔(line and space)状的图案。
[0018]第2LS辅助图案23B形成于第2LS图案23A的X轴的端部，是实现抑制在该端部附近产生的噪声的作用的图案。
[0019]＜被加工构件＞图3是表示第1实施方式所涉及的晶圆51的构成的一个例子的俯视图。晶圆51是通过利用模板1的压印处理而被加工的被加工构件的一个例子。晶圆51例如可以是包括由硅等构成的基板、形成于基板上的基底图案、形成于基底图案上的被加工层等的构件。被加工层例如可以是绝缘膜、金属膜(导电膜)、半导体膜等。
[0020]如图3所示，本实施方式所涉及的晶圆51的上表面(被加工面)形成有多个装置区域61及多个对准区域62。
[0021]装置区域61是形成规定的装置构造(例如三维NAND等)的区域。在装置区域61处，规定的层(保护层、抗蚀层等)成膜后，进行利用模板1的压印。在多个装置区域61分别形成规定的装置构造后，切割各装置区域61而单片化，从而制造半导体装置。
[0022]对准区域62形成有在进行晶圆51与模板1之间的位置对准的对准处理中使用的对准标记。此外，对准区域62也可以形成于装置区域61内。
[0023]图4是表示第1实施方式所涉及的晶圆51的对准区域62的构成的一个例子的局部放大俯视图。对准区域62中形成有对准标记71。
[0024]晶圆51中形成的对准标记71包含棋盘格图案71A(第2主本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种模板，其具备对准标记，所述对准标记包含：第1部分和第2部分以规定的重复图案配置而成的第1主图案；以及第1辅助图案，其在所述第1主图案的端部外侧的区域以与所述重复图案相反的图案构成。2.根据权利要求1所述的模板，其中，所述第1部分是反射检查光的部分，所述第2部分是透射所述检查光的部分，所述第1辅助图案是在反转区域中配置反射所述检查光的第3部分而成，所述反转区域是所述端部外侧的区域，且在所述重复图案中为所述第2部分。3.根据权利要求2所述的模板，其中，在所述第3部分的所述端部的延伸方向的宽度为W2、所述第1部分的所述端部的延伸方向的宽度为W1时，W2＜W1的关系成立。4.根据权利要求3所述的模板，其中，W2＜W1/2的关系成立。5.根据权利要求3或4所述的模板，其中，所述W2越是远离所述第1部分就越小。6.根据权利要求2至5中任一项所述的模板，其中，在1个所述反转区域配置多个所述第3部分。7.根据权利要求2所述的模板，其中，1个所述第1部分包含多个线状的膜，1个所述第3部分包含多个线状的膜。8.根据权利要求1至7中任一项所述的模板，其中，所述重复图案为线和间隔。9.根据权利要求1至7中任一项所述的模板，其中，所述重复图案为棋盘格花纹。10.一种被加工构件，其通过利用模板的压印处理而被加工，所述被加工构件具备用于与所述模板进行位置对准的对准标记，所述对准标记包含：第4部分和第5部分以规定的重复图案配置而成的第2主图案；以及第2辅助图案，其在所述第2主图案的端部外侧的区域以与所述重复图案相反的图案构成。11.根据权利要求10所述的被加工构件，其中，所述第4部分是反射检查光的部分，所述第5部分是透射所述检查光的部分，所述第2辅助图案...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤隆，三木聪，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：