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本申请涉及一种获得对称图形的光刻方法，在基片边缘做对齐标记线；在光刻版上确定出目标图形所在区域，并在光刻版上其余区域覆盖遮蔽层，以在遮蔽层与目标图形所在区域之间形成边界，并使边界与光刻版的第二基准线平行；基于对齐标记线、边界、第二基准线和基...
该专利属于武汉光谷量子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉光谷量子技术有限公司授权不得商用。

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