一种有机金属配合物及包含其的有机光电元件制造技术

本发明专利技术提供了一种有机金属配合物及包含其的有机光电元件，特别是有机电致发光二极管，其中有机金属配合物的结构如式I所示：其中，X1至X5独立选自C

【技术实现步骤摘要】
一种有机金属配合物及包含其的有机光电元件


[0001]本专利技术属于有机光电领域，具体涉及一种有机金属配合物及包含其的光电元件，特别是有机电致发光二极管。

技术介绍

[0002]有机电致发光二极管(OLED)作为一种新型的显示技术，目前OLED组件中的发光层几乎全部使用主客体发光体系机构，常用的有机客体材料为有机金属化合物，目前铱金属化合物应用于商业OLED材料已经成为主流，但仍然存在一些技术难点，比如OLED要求效率高，寿命更长，操作电压更低。
[0003]本专利技术发现拓展铱金属化合物配体的共轭，引入特定的环状结构、取代基等可以改善铱金属化合物的发光效率，保障铱金属化合物热稳定性前提下，将其应用于有机光电元件，特别是在有机电致发光器件中，可以提升电流效率、降低元器件的操作电压，提升寿命。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种有机金属配合物及包含其的光电元件，特别是有机电致发光二极管。
[0005]本专利技术提供的一种有机金属配合物，其结构如式(I)示：
[0006][0007]其中，X1至X5独立选自C
‑
R5或N，Z1、Z2独立地选自O、S、N
‑
R6、B
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R6、P
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R6、O＝P
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R6、C
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R6R7、或Si
‑
R6R7的一种或多种；R1至R7各自独立地选自氢、氘、CN、卤素、C1～C60的烷基、C1～C60的烷氧基、C1～C60的环烷基、C1～C60的杂烷基、C6～C60的芳基、C1～C60的杂芳基、C1～C60烷基硅基、C1～C60烷氧基硅基、C6～C60的芳基硅基、C1～C60的杂芳基硅基、C6～C60的芳基氧硅基、C1～C60的杂芳基氧硅基、C6～C60的芳基酰基、C1～C60的杂芳基酰基、C6～C60的芳基氧膦基中的任意一种；L^Z为二齿辅助配体，其中与上述结构式左侧的主配体相同或不同；所有基团可以被部分氘代、或全部氘代、或部分氟代、或全部氟代；杂芳基是指含有B、N、O、S、Si中至少1个杂原子；n为1、或2、或3。
[0008]优选的，本专利技术所述的有机金属配合物式(I)中(L^Z)选自以下代表结构式的一
种，但不代表限于此：
[0009][0010]其中，Y1和Y2独立选自O或N
‑
R11；R8至R11独立地选自C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40的芳基、C1～C40的杂芳基；A和B成环或未成环地选自含C1～C60烷基、含C1～C60烷氧基、含C1～C60烷硅基、含C1～C60烷氧硅基、含C6～C40的芳基，含C1～C40的杂芳基，A和B可以根据价键原则进行一取代或多取代；所有基团可以被部分氘代、或全氘代、或部分氟代、或全部氟代；杂芳基是指含有B、N、O、S、Si中至少1个杂原子。
[0011]优选地，本专利技术所述的有机金属配合物，选自下列结构的一种，但不代表限于此：
[0012][0013]其中，X1至X5，Z1至Z2，R1至R7与上述的定义相同；Y1和Y2，R8至R11与上述的定义相同。
[0014]优选地，本专利技术所述的有机金属配合物，式(I)中(L^Z)选自以下代表结构式的一种，但不代表限于此：
[0015][0016]其中X选自NR12、O、S、CR11R13、SiR12R13、O＝P
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R12或B
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R12；R8至R13独立地选自C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40的芳基、C1～C40的杂芳基；可以被部分氘代、或全氘代、或部分氟代、或全部氟代；杂芳基是指含有B、N、O、S、Si中至少1个杂原子。
[0017]优选地，本专利技术所述的有机金属配合物，选自下列结构的一种，但不代表限于此：
[0018][0019]X,X1至X5,Z1、Z2，R1至R13与上述的定义相同。
[0020]优选地，本专利技术所述的有机金属配合物，选自以下代表结构式的一种，但不代表限于此：
[0021][0022][0023][0024][0025][0026][0027][0028][0029][0030][0031][0032][0033][0034][0035][0036][0037][0038][0039][0040][0041][0042][0043][0044][0045][0046][0047][0048][0049][0050][0051][0052][0053][0054][0055][0056][0057][0058][0059]本专利技术涉及一种包含式(I)所述有机金属配合物与一种或多种与溶剂形成的制剂，所用的溶剂没有特别限制，可以使用本领域技术人员熟知的例如甲苯、二甲苯、均三甲苯、四氢化萘、十氢萘、双环己烷、正丁基苯、仲丁基苯、叔丁基苯等不饱和烃溶剂、四氯化碳、氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、氯丁烷、溴丁烷、氯戊烷、溴戊烷、氯己烷、溴己烷、氯环己烷、溴环己烷等卤化饱和烃溶剂，氯苯、二氯苯、三氯苯等卤化不饱和烃溶剂，四氢呋喃、四氢吡
喃等醚溶剂，苯甲酸烷基酯等酯类溶剂。
[0060]本专利技术还涉及一种有机光电器件，包括：第一电极；
[0061]第二电极，与所述第一电极相面对；
[0062]有机功能层，夹设于所述第一电极和所述第二电极之间；
[0063]其中，有机功能层包含所述的有机金属配合物。
[0064]本专利技术所述的有机电致器件是有机光伏器件、有机发光器件(OLED)、有机太阳电池(OSC)、电子纸(e
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paper)、有机感光体(OPC)、有机薄膜晶体管(OTFT)及有机内存器件(Organic Memory Element)、照明和显示装置中任意一种。
[0065]本专利技术还涉及一种有机电致发光器件，包括阴极层、阳极层和有机层，该有机层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子注入层、电子传输层中至少一层，其中至少该器件的发光层中含有所述的有机金属配合物。
[0066]本专利技术所述的有机电致发光器件发光层中含有所述有机金属配合物和相应的主体材料，其中所述有机金属配合物的质量百分数在0.1％
‑
50％。
[0067]在本专利技术中，有机光电器件是可以利用喷溅涂覆法、电子束蒸发、真空蒸镀等方法在基板上蒸镀金属或具有导电性的氧化物以及它们的合金形成阳极；在制备得到的阳极表面按顺序蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层和电子传输层，以后再蒸镀阴极的方法制备。除以上方法以外在基板上按阴极、有机物层、阳极顺序蒸镀制作有机光电器件。
[0068]根据本专利技术的有机电致发光器件所使用的材料可以分为顶发射、底发射或双面发射。
[0069]根据本专利技术实施方案的有机电致器件的化合物可以有机发光器件类似的原理适用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机金属配合物，其特征在于，所述有机金属配合物的结构如式(I)所示：其中，X1至X5独立选自C
‑
R5或N，Z1、Z2独立地选自O、S、N
‑
R6、B
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R6、P
‑
R6、O＝P
‑
R6、C
‑
R6R7、或Si
‑
R6R7的一种；R1至R7各自独立地选自氢、氘、CN、卤素、C1～C60的烷基、C1～C60的烷氧基、C1～C60的环烷基、C1～C60的杂烷基、C6～C60的芳基、C1～C60的杂芳基、C1～C60烷基硅基、C1～C60烷氧基硅基、C6～C60的芳基硅基、C1～C60的杂芳基硅基、C6～C60的芳基氧硅基、C1～C60的杂芳基氧硅基、C6～C60的芳基酰基、C1～C60的杂芳基酰基、C6～C60的芳基氧膦基中的任意一种；L^Z为二齿辅助配体，其中与上述结构式左侧的主配体相同或不同；所有基团可以被部分氘代、或全部氘代、或部分氟代、或全部氟代；杂芳基是指含有B、N、O、S、Si中至少1个杂原子；n为1、或2、或3。2.根据权利要求1所述的有机金属配合物，其特征在于，所述的有机金属配合物结构式(I)中(L^Z)选自以下代表结构式的一种：其中，Y1和Y2独立选自O或N
‑
R11；R8至R11独立地选自C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40的芳基、C1～C40的杂芳基；A和B成环或未成环地选自含C1～C60烷基、含C1～C60烷氧基、含C1～C60烷硅基、含C1～C60烷氧硅基、含C6～C40的芳基，含C1～C40的杂芳基，A和B可以根据价键原则进行一取代或多取代；所有基团可以被部分氘代、或全氘代、或部分氟代、或全部氟代；杂芳基是指含有B、N、O、S、Si中至少1个杂原子。3.根据权利要求1或2所述的有机金属配合物，其特征在于，所述有机金属配合物式(I)选自一下代表结构的一种：
其中，X1至X5，Z1至Z2，R1至R7与权利要求1定义相同；Y1和Y2，R8至R11与权利要求2定义相同。4.根据权利要求1所述的有机金属配合物，其特征在于，所述有机金属配合物式(I)中(L^Z)选自以下代表结构式的一种：其中X选自NR12、O、S、CR11R13、SiR12R13、O＝P
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R12或B

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：上海弗屈尔光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：