一种含硼有机化合物及含有其的有机光电元件与应用制造技术

本发明专利技术提供了一种含硼有机化合物及包含其的有机光电元件，特别是有机电致发光二极管，其中含硼有机化合物的结构如式I所示：其中，Y1至Y7构成独立选自碳原子、氮原子、硼原子中的一个，且至少有一个为硼原子，相邻的Y1至Y7不形成B—N、N—N、或B—B键；环CY1至环CY5构成五元环、六元环或七元环，且CY1或CY2至少有一个为五元环；X1至X4独立地为不存在、或独立选自单键、O、S、NR6、CR6R7、SiR6R7、O＝P

【技术实现步骤摘要】
一种含硼有机化合物及含有其的有机光电元件与应用


[0001]本专利技术属于有机光电
，尤其涉及一种含硼有机化合物及含有其的有机光电元件，特别是有机电致发光二极管。

技术介绍

[0002]有机光电元件中，尤其是有机电致发光器件(OLED)、有机场效应晶体管(OFET)、有机太阳能电池(OPV)引起了众多科学家和产业界的研究。其中，OLED作为新一代的平板显示技术逐渐进入人们的视野，其广泛的应用前景和近年来技术上的突飞猛进使得OLED成为平板信息显示领域和科学研究产品开发最热门的研究之一。OLED技术在显示和照明领域的发展一直受蓝光OLED的效率和寿命的制约，高效率蓝光OLED可明显提高显示逼真性，降低显示和照明器件的功耗。尤其是蓝光OLED器件发光效率低的主要原因有两点，一、核心蓝光客体材料发光效率低；二、蓝光主体材料和客体材料之间能量传输效率低，主要是三线态激子利用率不高。

技术实现思路

[0003]为了解决现有OLED技术中存在的OLED元件电流效率低，操作电压高等问题，本专利技术的目的在于提供一种新型有机化合物及含有该化合物的有机光电元件，从新材料设计角度给出具有高效发光效率的有机化合物；从有机光电元件角度，明显改善有机光电器件中电荷传输平衡性好和三线态激子能量利用率高的元件结构，可以使得使用本专利技术提供的有机化合物和含有该化合物的有机光电元件，特别是OLED具有更高电流效率，低的操作电压，明显改善OLED的综合性能。
[0004]本专利技术提供了一种新型的含硼有机化合物，所述的含硼有机化合物的结构由式(I)表示：
[0005][0006]其中，Y1至Y7构成独立选自碳原子、氮原子、硼原子中的一个，且至少有一个为硼原子，相邻的Y1至Y7不形成B—N、N—N、或B—B键；环CY1至环CY5独立构成五元环、或六元环、或七元环，且CY1或CY2至少有一个为五元环；X1至X4独立地为不存在、或独立选自单键、O、S、NR6、CR6R7、SiR6R7、O＝P
‑
R6、B
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R6中的一种；R1至R7独立选自氢、氘、CN、卤素、C1～C60烷基、C1～C60烷氧基、含C1～C60烷硅基、含C1～C60烷氧硅基、取代或未取代C6～C60的芳
基、取代或未取代C1～C60的杂芳基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基、取代或未取代的氧膦基中的任意一种；杂芳基是指含有B、N、O、S、P(＝O)、Si、P中至少一个杂原子；当R1至R6为两个或以上时，可以相同或不同，相邻的基团可以成环；n根据价键原理独立选自0，1，2，3，4，5，或6；所有基团可以被部分氘代或全氘代，可以被部分氟代或全氟代。
[0007]本专利技术要保护的含硼有机化合物的结构由式I
‑
1至式I
‑
6表示，但不代表限于此：
[0008]在式I
‑
1至式I
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6中，X1至X4独立地为不存在、或独立选自单键、O、S、NR6、CR6R7、SiR6R7、O＝P
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R6、B
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R6中的一种；Y1至Y4构成独立选自碳原子、氮原子、硼原子中的一个，且至少有一个为硼原子，相邻的Y1至Y4不形成B—N、N—N、或B—B键；Z独立选自O、S、NR2、CR2R1、SiR2R2、O＝P
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R2、B
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R2中的一种；Z1、Z2、Z4、Z5、Z6独立选自N或CR1；Z3选自N或B，Y1—Z3不形成B—N、N—N、或B—B键；环CY3至CY5独立构成五元环或六元环，R1至R7独立选自氢、氘、CN、卤素、C1～C60烷基、C1～C60烷氧基、含C1～C60烷硅基、含C1～C60烷氧硅基、取代或未取代C6～C60的芳基、取代或未取代C1～C60的杂芳基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基、取代或未取代的氧膦基中的任意一种；杂芳基是指含有B、N、O、S、P(＝O)、Si、P中至少一个杂原子；当R1至R7为两个或以上时，可以相同或不同，相邻的基团可以成环；n根据价键原理独立选自0，1，2，3，4，5，或6；所有基团可以被部分氘代或全氘代，可以被部分氟代或全氟代。
[0009]优选地，本专利技术的含硼有机化合物的结构由式I
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1A至式I
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6F表示，但不代表限于此：
[0010][0011]其中，Z7至Z10选自N或CR3；X1至X4、Y1至Y4、Z、Z1至Z6、环CY4至CY5、R1至R7与上述的定义相同。
[0012]优选地，本专利技术要求保护的含硼有机化合物代表地独立选自式1至式76所表示的代表结构中的一种或多种，但不代表限于此：
[0013][0014][0015]其中，X1至X4，Z,Z1至Z10，环CY4、CY5，R1至R7与上述的定义相同。
[0016]特别优选地，本专利技术所述的含硼有机化合物选自以下结构的一种或多种，但不代表限于此：
[0017][0018][0019][0020][0021][0022][0023][0024][0025][0026][0027][0028][0029][0030][0031][0032][0033][0034][0035][0036]其中，R1至R7独立选自氢、氘、CN、卤素、C1～C60烷基、C1～C60烷氧基、含C1～C60烷硅基、含C1～C60烷氧硅基、取代或未取代C6～C60的芳基、取代或未取代C1～C60的杂芳基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基、取代或未取代的氧膦基中的任意一种；杂芳基是指含有B、N、O、S、P(＝O)、Si、P中至少一个杂原子；当R1至R7为两个或以上时，可以相同或不同，相邻的基团可以成环；n根据价键原理独立选自0，1，2，3，4，5，或6；所有基团可以被部分氘代或全氘代，可以被部分氟代或全氟代。
[0037]优选地，以上系列结构式中的R1至R7独立选自以下结构的一种或多种的组合，但不代表限于此：
[0038][0039][0040]优选地，本专利技术所述的含硼有机化合物选自以下代表结构的一种，但不代表本专利技术限于此：
[0041][0042][0043][0044][0045]本专利技术还提供一种制剂，用本专利技术所述的含硼有机化合物可以和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构如式(I)所示：其中，Y1至Y7构成独立选自碳原子、氮原子、硼原子中的一个，且至少有一个为硼原子，相邻的Y1至Y7不形成B—N、N—N、或B—B键；环CY1至环CY5构成五元环、六元环或七元环，且CY1或CY2至少有一个为五元环；X1至X4独立地为不存在、或独立选自单键、O、S、NR6、CR6R7、SiR6R7、O＝P
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R6、B
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R6中的一种；R1至R7独立选自氢、氘、CN、卤素、C1～C60烷基、C1～C60烷氧基、含C1～C60烷硅基、含C1～C60烷氧硅基、取代或未取代C6～C60的芳基、取代或未取代C1～C60的杂芳基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基、取代或未取代的氧膦基中的任意一种；杂芳基是指含有B、N、O、S、P(＝O)、Si、P中至少一个杂原子；当R1至R6为两个或以上时，可以相同或不同，相邻的基团可以成环；n根据价键原理独立选自0，1，2，3，4，5，或6；所有基团可以被部分氘代或全氘代，可以被部分氟代或全氟代。2.一种含硼有机化合物，其特征在于，由式I
‑
1至式I
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6所示的结构所示：其中，X1至X4独立地为不存在、或独立选自单键、O、S、NR6、CR6R7、SiR6R7、O＝P
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R6、B
‑
R6中的一种；Y1至Y4构成独立选自碳原子、氮原子、硼原子中的一个，且至少有一个为硼原子，相邻的Y1至Y4不形成B—N、N—N、或B—B键；Z独立选自O、S、NR2、CR2R1、SiR2R2、O＝P
‑
R2、B
‑
R2中的一种；Z1、Z2、Z4、Z5、Z6独立选自N或CR1；Z3选自N或B；Y1—Z3不形成B—N、N—
N、或B—B键；环CY3至CY5独立地构成五元环或六元环；R1至R7独立选自氢、氘、CN、卤素、C1～C60烷基、C1～C60烷氧基、含C1～C60烷硅基、含C1～C60烷氧硅基、取代或未取代C6～C60的芳基、取代或未取代C1～C60的杂芳基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基、取代或未取代的氧膦基中的任意一种；杂芳基是指含有B、N、O、S、P(＝O)、Si、P中至少一个杂原子；当R1至R7为两个或以上时，可以相同或不同，相邻的基团可以成环；n根据价键原理独立选自0，1，2，3，4，5，或6；所有基团可以被部分氘代或全氘代，可以被部分氟代或全氟代。3.根据权利要求1或2所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物选自由式I
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1A至式I
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6F所示的结构中的一个或多个：
其中，Z7至Z10选自N或CR3；X1至X4、Y1至Y4、Z、Z1至Z6...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：上海弗屈尔光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：