一种氮杂螺二芴化合物及包含其的制剂、有机发光元件及显示或照明装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于有机光电领域，具体涉及一种氮杂螺二芴化合物和使用该化合物的有机发光元件，其中氮杂螺二芴化合物的结构如式(I)所示：其中，Ar1和Ar2独立选自取代或未取代的C6

【技术实现步骤摘要】
一种氮杂螺二芴化合物及包含其的制剂、有机发光元件及显示或照明装置


[0001]本专利技术涉及一种氮杂螺二芴化合物，具体尤其涉及此类氮杂螺二芴化合物和含有其的制剂、有机发光元件及显示或照明装置，属于有机半导体发光领域。

技术介绍

[0002]有机发光元件(OLED器件)具有视角广阔、响应速度快、色彩质量高、可实现柔性发光等优点，其具有广阔的应用前景。常见的OLED器件通常包括以下种类的有机材料：空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料以及各色的发光材料(染料或者掺杂客体材料)和相应的主体材料等。通常，空穴传输材料的电子迁移速率比电子传输材料的电子迁移速率高出两个数量级。因此，为了使电子和空穴在发光层能够很好地复合形成激子并发光，通常在制作有机发光器件中采用空穴阻挡层阻止空穴到达电子传输层。空穴阻挡材料应具有较低的HOMO能级、更高的电子迁移速率、更高的三线态能级及较高的氧化电位和较宽的带隙，以提高其电子的传输能力及空穴和激子的阻挡能力，使激子限制在发光层中，减少光能量的损失，从而大大提高有机发光器件的效率。
[0003]很多有机材料能够有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.氮杂螺二芴化合物，其特征在于，所述的化合物的结构式如式(I)所示：其中，Ar1和Ar2独立选自取代或未取代的C6
‑
C30的芳基、取代或未取代的C2
‑
C30的杂芳基；X1至X9中有一个为N，其他的为C
‑
R1；R1至R3独立选自H、D、F、取代或未取代的C1～C40的烷基、取代或未取代的C1～C40的烷氧基、取代或未取代的C1～C40的环烷基、取代或未取代的C1～C40的杂烷基、取代或未取代的C6～C40的芳基、取代或未取代的C1～C40的杂芳基、取代或未取代的C1～C60的硅基、取代或未取代的C6～C60的芳族稠环、取代或未取代的C1～C60的杂芳族稠环中的一种，n为0至10的整数，m为0或1，p为0至4的整数。2.根据权利要求1所述的氮杂螺二芴化合物，其特征在于，所述的化合物选自以下结构的群组：
其中，Ar1和Ar2独立选自取代或未取代的C6
‑
C30的芳基、取代或未取代的C2
‑
C30的杂芳基；X1至X9中有一个为N，其他的为C
‑
R1；R1至R3独立选自H、D、F、取代或未取代的C1～C40的烷基、取代或未取代的C1～C40的烷氧基、取代或未取代的C1～C40的环烷基、取代或未取代的C1～C40的杂烷基、取代或未取代的C6～C40的芳基、取代或未取代的C1～C40的杂芳基、取代或未取代的C1～C60的硅基、取代或未取代的C6～C60的芳族稠环、取代或未取代的C1～C60的杂芳族稠环中的一种，n为0至10的整数，m为0或1，p为0至4的整数。3.根据权利要求1或2所述的氮杂螺二芴化合物，其特征在于，所述的化合物中R选自以下结构的一个或多个：
其中，以上未被氘代的基团，可...

【专利技术属性】
技术研发人员：张震，王子兴，王志盛，
申请(专利权)人：上海弗屈尔光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：