一种抗强电磁脉冲的驾驶室制造技术

技术编号:35153501 阅读:56 留言:0更新日期:2022-10-05 10:32
本发明专利技术公开了一种抗强电磁脉冲的驾驶室,包括驾驶室本体,驾驶室本体上设有车门框和风窗,车门框上铰接有车门板,车门板上的翻转窗包括翻转窗框,翻转窗框外侧从外至内依次设有第一压环、第一导电橡胶圈和第一屏蔽玻璃,第一屏蔽玻璃的四周包裹有第一铜箔,翻转窗框内侧设有第二压环,车门板嵌有与第二压环匹配的第二导电橡胶圈,车门板嵌有第三导电橡胶圈,车门框上设有与第三导电橡胶圈匹配的第三压环,风窗的风窗框从外至内依次设有第四压环、第四导电橡胶圈、第二屏蔽玻璃、第五导电橡胶圈、导电固定框、密封橡胶圈和第六导电橡胶圈。本发明专利技术使驾驶室具备一定的抗强电磁脉冲能力,实现对驾驶室内电子设备的保护。实现对驾驶室内电子设备的保护。实现对驾驶室内电子设备的保护。

【技术实现步骤摘要】
一种抗强电磁脉冲的驾驶室


[0001]本专利技术涉及特种驾驶室
,更为具体来说,本专利技术为一种抗强电磁脉冲的驾驶室。

技术介绍

[0002]高空核爆电磁脉冲具有的超强电磁能力,能够在短时间内干扰甚至毁坏覆盖范围内的电子系统。新一代特种车辆的电子信息化程度不断提高,驾驶室内部集成的电子系统越来越多,极易受到高空核爆电磁脉冲的影响。传统的特种车辆驾驶室大多采用板材拼焊而成,风窗、车窗、车门、设备孔隙等位置处未采用抗强电磁脉冲设计,当驾驶室处于场强峰20

50kV/m、上升沿2.5ns、半高宽23ns(双指数波)的高空核爆电磁脉冲环境中,难以保证驾驶室对核电磁脉冲的整体电场屏蔽能力不低于20dB。
[0003]因此,如何保证驾驶室具备抗电磁脉冲能力,保护驾驶室内的电子设备稳定运行,成为了本领域技术人员亟待解决的技术问题和始终研究的重点。

技术实现思路

[0004]为解决现驾驶室处于场强峰20

50kV/m、上升沿2.5ns、半高宽23ns(双指数波)的高空核爆电磁脉冲环境中,难以保证驾驶室对核电磁脉冲的整体电场屏蔽能力不低于20dB的技术问题,本专利技术创新地提供了一种抗强电磁脉冲的驾驶室,从保证驾驶室的整体电连续性的角度出发在车门处、翻转窗处和风窗处与驾驶室形成整体的电连续性,可使驾驶室具备一定的抗强电磁脉冲能力,并可使驾驶室内的电子设备处于稳定的电磁环境中。
[0005]为实现上述的技术目的,本专利技术实施例公开了一种抗强电磁脉冲的驾驶室,包括驾驶室本体,所述驾驶室本体上设有车门框和风窗,所述车门框上通过第一铰链铰接有车门,所述车门包括车门板,所述车门板上通过第二铰链铰接有翻转窗,所述翻转窗包括翻转窗框,所述翻转窗框的外侧面上从外至内依次设有第一压环、第一导电橡胶圈和第一屏蔽玻璃,所述第一屏蔽玻璃的四周包裹有第一铜箔,所述翻转窗框的内侧面上设有第二压环,所述车门板的外侧面内嵌有与第二压环匹配的第二导电橡胶圈,所述车门板的内侧面内嵌有第三导电橡胶圈,所述车门框的外侧面上设有与第三导电橡胶圈匹配的第三压环,所述风窗包括风窗框,所述风窗框的外侧面上从外至内依次设有第四压环、第四导电橡胶圈、第二屏蔽玻璃、第五导电橡胶圈、导电固定框和密封橡胶圈,所述第二屏蔽玻璃的四周包裹有第二铜箔,所述第四压环、导电固定框和风窗框三者的侧壁围成一个安装腔,所述安装腔内嵌有第六导电橡胶圈。
[0006]进一步的,本专利技术一种抗强电磁脉冲的驾驶室,其中所述第一压环与第一导电橡胶圈相对的侧面上涂覆第一导电涂层。
[0007]进一步的,本专利技术一种抗强电磁脉冲的驾驶室,其中所述翻转窗框与第一屏蔽玻璃相对的外侧面上涂覆第二导电涂层,所述第一屏蔽玻璃通过第一铜箔与翻转窗框的第二导电涂层电连接。
[0008]进一步的,本专利技术一种抗强电磁脉冲的驾驶室,其中所述第二压环与第二导电橡胶圈相对的侧面上涂覆第三导电涂层。
[0009]进一步的,本专利技术一种抗强电磁脉冲的驾驶室,其中所述第三压环与第三导电橡胶圈相对的侧面上涂覆第四导电涂层。
[0010]进一步的,本专利技术一种抗强电磁脉冲的驾驶室,其中所述风窗框设有上端止口和下端止口,所述下端止口的深度大于上端止口的深度形成台阶状结构,所述导电固定框粘接于风窗框的下端止口内,所述第四压环通过第一固定螺栓固定于风窗框的上端止口内,所述第六导电橡胶圈处于风窗框的上端止口和下端止口交界处并与导电固定框和第四压环相抵,所述第四压环的中部通过第二固定螺栓与导电固定框连接,所述第四导电橡胶圈、第二屏蔽玻璃和第五导电橡胶圈压紧在第四压环与导电固定框之间。
[0011]进一步的,本专利技术一种抗强电磁脉冲的驾驶室,其中所述风窗框的上端止口内涂覆第五导电涂层。
[0012]进一步的,本专利技术一种抗强电磁脉冲的驾驶室,其中所述第四压环的内侧面上涂覆第六导电涂层。
[0013]进一步的,本专利技术一种抗强电磁脉冲的驾驶室,其中所述第一导电涂层和第六导电涂层的厚度为0.5

1mm。
[0014]进一步的,本专利技术一种抗强电磁脉冲的驾驶室,其中所述第二导电涂层、第三导电涂层、第四导电涂层和第五导电涂层的厚度为1

2mm。
[0015]本专利技术的有益效果为:通过设置第一压环和第一导电橡胶圈并在第一屏蔽玻璃的四周设置第一铜箔,实现了第一屏蔽玻璃与翻转窗框处的电连续性;通过设置第二压环和第二导电橡胶圈,实现了翻转窗框与车门板处的电连续性;通过设置第三导电橡胶圈和第三压环,实现了车门板与车门框处的电连续性;通过设置第四压环、第四导电橡胶圈第五导电橡胶圈、导电固定框、密封橡胶圈和第六导电橡胶圈,并在第二屏蔽玻璃的四周设置第二铜箔,实现了风窗与驾驶室本体的电连续性;通过以上设置驾驶室就形成了一个全封闭的法拉第笼式屏蔽结构,使得驾驶室处于场强峰值20

50kV/m、上升沿2.5ns、半高宽23ns(双指数波)的高空核爆电磁脉冲环境中,驾驶室对核电磁脉冲的整体电场屏蔽能力不低于20dB。同时本专利技术还具有设计合理、结构紧凑,可靠度高,通用性强的优点。
附图说明
[0016]图1为本专利技术一种抗强电磁脉冲的驾驶室的结构示意图;
[0017]图2为本专利技术一种抗强电磁脉冲的驾驶室中车门的结构示意图;
[0018]图3为本专利技术一种抗强电磁脉冲的驾驶室中风窗的结构示意图。
具体实施方式
[0019]下面结合说明书附图对本专利技术的一种抗强电磁脉冲的驾驶室进行详细的解释和说明。
[0020]本专利技术实施例公开了一种抗强电磁脉冲的驾驶室具体包括驾驶室本体1,参见图1,驾驶室本体1包括上下相对设置的底板总成和顶盖总成以及设置在底板总成与顶盖总成四周的左围总成、右围总成、前围总成和后围总成。
[0021]本专利技术实施例中,驾驶室本体1上设有车门框2和风窗3,车门框2和风窗3的设置位置以及数量可以按照图1所示进行布置。更为具体地,左围总成和右围总成结构相同,可以将车门框2在左围总成和右围总成上各设置两个,在左围总成和右围总成靠近前围总成的位置处各设置1个风窗3,在前围总成上设置两个风窗3。
[0022]如图2所示,本专利技术实施例中,车门框2上通过第一铰链4铰接有车门,车门包括车门板5,车门板5上通过第二铰链6铰接有翻转窗7,翻转窗7包括翻转窗框8。翻转窗框8的外侧面上从外至内依次设有第一压环9、第一导电橡胶圈10和第一屏蔽玻璃11。为了进一步保证第一压环9和第一导电橡胶圈10之间电连续性的稳定性,在第一导电压环9与第一导电橡胶圈10相对的侧面上涂覆第一导电涂层,第一导电涂层的涂覆厚度为0.5

1mm。为了进一步保证翻转窗框8和第一屏蔽玻璃11之间电连续性的稳定性,翻转窗框8与第一屏蔽玻璃11相对的外侧面上涂覆第二导电涂层,第二导电涂层的涂覆厚度为1

2mm。第一屏蔽玻璃11通过第一铜箔12与翻转窗框8的第二导电涂层电连接。为了实现第一屏蔽本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗强电磁脉冲的驾驶室,其特征在于:包括驾驶室本体(1),所述驾驶室本体(1)上设有车门框(2)和风窗(3),所述车门框(2)上通过第一铰链(4)铰接有车门,所述车门包括车门板(5),所述车门板(5)上通过第二铰链(6)铰接有翻转窗(7),所述翻转窗(7)包括翻转窗框(8),所述翻转窗框(8)的外侧面上从外至内依次设有第一压环(9)、第一导电橡胶圈(10)和第一屏蔽玻璃(11),所述第一屏蔽玻璃(11)的四周包裹有第一铜箔(12),所述翻转窗框(8)的内侧面上设有第二压环(13),所述车门板(5)的外侧面内嵌有与第二压环(13)匹配的第二导电橡胶圈(14),所述车门板(5)的内侧面内嵌有第三导电橡胶圈(15),所述车门框(2)的外侧面上设有与第三导电橡胶圈(15)匹配的第三压环(16),所述风窗(3)包括风窗框(17),所述风窗框(17)的外侧面上从外至内依次设有第四压环(18)、第四导电橡胶圈(19)、第二屏蔽玻璃(20)、第五导电橡胶圈(21)、导电固定框(22)和密封橡胶圈(23),所述第二屏蔽玻璃(20)的四周包裹有第二铜箔(24),所述第四压环(18)、导电固定框(22)和风窗框(17)三者的侧壁围成一个安装腔,所述安装腔内嵌有第六导电橡胶圈(25)。2.根据权利要求1所述的一种抗强电磁脉冲的驾驶室,其特征在于:所述第一压环(9)与第一导电橡胶圈(10)相对的侧面上涂覆第一导电涂层。3.根据权利要求2所述的一种抗强电磁脉冲的驾驶室,其特征在于:所述翻转窗框(8)与第一屏蔽玻璃(11)相对的外侧面上涂覆第二导电涂层,所述第一屏蔽玻璃(11)通过第一铜箔(12)与翻转窗框(8)的第二导电涂层电连接。4.根据权利要求3所述的一种抗强电磁脉...

【专利技术属性】
技术研发人员:李玉根赵长冠李洪彪杨波张斌李慧郭毅董鑫王海涛刘鹏飞
申请(专利权)人:北京航天发射技术研究所
类型:发明
国别省市:

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