一种进气均匀的硅烷流化床制造技术

技术编号:35086168 阅读:30 留言:0更新日期:2022-09-28 12:00
本实用新型专利技术公开了一种进气均匀的硅烷流化床,一种进气均匀的硅烷流化床,包括反应炉和安装于反应炉底部的气体分布器;所述气体分布器包括内环分布器和外环分布器,所述内环分布器由若干相间分布的第一内环底盘和第二内环底盘构成,所述外环分布器连接于内环分布器外侧,所述外环分布器包括若干嵌套连接的外环底盘,所述第一内环底盘上设有硅烷喷气管,所述第二内环底盘和外环底盘上均设有氢气喷气管。本实用新型专利技术能够提高原料气体的混合均匀性,有利于提高反应效率和产品质量,能够降低反应炉炉壁区域原料气体的浓度,有利于降低反应炉炉壁结硅速度。应炉炉壁结硅速度。应炉炉壁结硅速度。

【技术实现步骤摘要】
一种进气均匀的硅烷流化床


[0001]本技术属于流化床
,具体涉及一种进气均匀的硅烷流化床。

技术介绍

[0002]硅烷流化床法生产颗粒硅工艺是以高纯硅烷为第一原料气,以氢气作为第二原料气,通过将含硅气体通入装有籽晶的流化床中,在高温高压下,含硅气体在流化床中热分解并沉积在籽晶上,进而在籽晶表面不断长大形成颗粒状的多晶硅产品。
[0003]目前,作为原料气的硅烷和氢气均是通过反应分布器进入反应炉中,气体混合均匀性差,影响生产效率和产品质量;此外,原料气在反应炉炉壁处易结硅,影响流化床的长期运行。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于克服现有技术中的不足,提供一种进气均匀的硅烷流化床,能够提高原料气体的混合均匀性,有利于提高反应效率和产品质量,能够降低反应炉炉壁区域原料气体的浓度,有利于降低反应炉炉壁结硅速度。
[0005]本技术提供了如下的技术方案:
[0006]一种进气均匀的硅烷流化床,包括反应炉和安装于反应炉底部的气体分布器;
[0007]所述气体分布器包括内环分布器和外环分布器,所述内环分布器由若干相间分布的第一内环底盘和第二内环底盘构成,所述外环分布器连接于内环分布器外侧,所述外环分布器包括若干嵌套连接的外环底盘,所述第一内环底盘上设有硅烷喷气管,所述第二内环底盘和外环底盘上均设有氢气喷气管。
[0008]进一步的,所述第一内环底盘和第二内环底盘的结构相同;所述第二内环底盘包括环形的底板、连接于底板内侧的内安装板以及连接于底板外侧的外安装板,所述氢气喷气管设于底板上。
[0009]进一步的,所述内安装板设有限位块,所述外安装板设有与限位块匹配的限位槽。
[0010]进一步的,所述气体分布器的底部连接有若干第一进气腔,各第一进气腔与各第一内环底盘一一对应设置,各第一进气腔均与硅烷进气管相连。
[0011]进一步的,所述气体分布器的底部连接有若干第二进气腔,各第二进气腔与各第二内环底盘一一对应设置,各第二进气腔均与氢气进气管相连。
[0012]进一步的,所述气体分布器的底部连接有第三进气腔,所述第三进气腔与外环底盘对应设置,所述第三进气腔与氢气进气管相连。
[0013]进一步的,所述第二进气腔通过第一氢气支管与氢气进气管相连,所述第三进气腔通过第二氢气支管与氢气进气管相连。
[0014]进一步的,所述反应炉底部连接有端盖,所述第一进气腔、第二进气腔和第三进气腔均设于端盖内部,所述气体分布器中部连接有产品出管,所述硅烷进气管、氢气进气管和产品出管均贯穿端盖设置。
[0015]与现有技术相比,本技术的有益效果是:
[0016](1)本技术的气体分布器包括内环分布器,内环分布器由若干相间分布的第一内环底盘和第二内环底盘构成,第一内环底盘上设有硅烷喷气管,第二内环底盘上设有氢气喷气管,使硅烷和氢气相间分布注入反应炉中,提高了原料气体的混合均匀性,有利于提高反应效率和产品质量;
[0017](2)本技术的气体分布器包括外环分布器,外环分布器连接于内环分布器外侧,外环分布器包括若干嵌套连接的外环底盘,外环底盘上设有氢气喷气管,能够对反应炉炉壁区域喷射氢气,降低炉壁区域原料气体的浓度,降低反应炉炉壁结硅速度,保证硅烷反应顺利进行。
附图说明
[0018]图1是本技术实施例1中流化床的结构示意图;
[0019]图2是本技术实施例1中气体分布器的俯视结构示意图;
[0020]图3是本技术实施例1中第二内环底盘的结构示意图;
[0021]图4是本技术实施例1中气体分布器安装处的结构示意图;
[0022]图5是本技术实施例2中气体分布器安装处的结构示意图;
[0023]图中标记为:1、反应炉;2、尾气出口;3、气体分布器;301、第一内环底盘;302、第二内环底盘;303、外环底盘;304、硅烷喷气管;305、氢气喷气管;3021、底板;3022、内安装板;3023、外安装板;3024、限位块;3025、限位槽;4、硅烷进气管;5、产品出管;6、氢气进气管;7、端盖;12、第一进气腔;13、第二进气腔;14、第三进气腔;15、第一氢气支管;16、第二氢气支管。
具体实施方式
[0024]下面结合附图对本技术作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案,而不能以此来限制本技术的保护范围。
[0025]需要说明的是,在本技术的描述中,术语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图中所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术而不是要求本技术必须以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。
[0026]实施例1
[0027]如图1

图4所示,本实施例提供一种进气均匀的硅烷流化床,包括反应炉1和安装于反应炉1底部的气体分布器3;气体分布器3包括内环分布器和外环分布器,内环分布器由若干相间分布的第一内环底盘301和第二内环底盘302构成,外环分布器连接于内环分布器外侧,外环分布器包括若干嵌套连接的外环底盘303,第一内环底盘301上设有硅烷喷气管304,第二内环底盘302和外环底盘303上均设有氢气喷气管305。
[0028]第一内环底盘301、第二内环底盘302和外环底盘303的结构相同;第二内环底盘302包括环形的底板3021、连接于底板3021内侧的内安装板3022以及连接于底板3021外侧的外安装板3023,氢气喷气管305设于底板3021上。内安装板3022设有限位块3024,外安装板3023设有与限位块3024匹配的限位槽3025,限位块3024和限位槽3025的横截面形状为梯
形。安装时,将第二内环底盘302的限位块3024卡入第一内环底盘301的限位槽中,使第一内环底盘301和第二内环底盘302相对固定,然后通过螺栓或者焊接方式将第二内环底盘302的内安装板3022与第一内环底盘301的外安装板固定连接。按前述相同操作可实现内环分布器与外环分布器以及相邻两个外环底盘303之间的连接安装。与一体式的气体分布器相比,本实施例中分体式的气体分布器更便于装运。
[0029]气体分布器3中部连接有产品出管5,用于产品取出。气体分布器3的底部连接有若干第一进气腔12,各第一进气腔12与各第一内环底盘301一一对应设置,各第一进气腔12均与硅烷进气管4相连。气体分布器3的底部连接有若干第二进气腔13,各第二进气腔13与各第二内环底盘302一一对应设置,各第二进气腔13均与氢气进气管6相连。气体分布器3的底部连接有第三进气腔14,第三进气腔14与外环底盘303对应设置,第三进气腔14与氢气进气管6相连。
[0030]第一进气腔12和第二进气腔13分隔设置,能够实现硅烷和氢气的相间分布式独立进气,提高硅烷和氢气两种原料气体的混合均匀性,有利于提本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种进气均匀的硅烷流化床,其特征在于,包括反应炉和安装于反应炉底部的气体分布器;所述气体分布器包括内环分布器和外环分布器,所述内环分布器由若干相间分布的第一内环底盘和第二内环底盘构成,所述外环分布器连接于内环分布器外侧,所述外环分布器包括若干嵌套连接的外环底盘,所述第一内环底盘上设有硅烷喷气管,所述第二内环底盘和外环底盘上均设有氢气喷气管。2.根据权利要求1所述的进气均匀的硅烷流化床,其特征在于,所述第一内环底盘和第二内环底盘的结构相同;所述第二内环底盘包括环形的底板、连接于底板内侧的内安装板以及连接于底板外侧的外安装板,所述氢气喷气管设于底板上。3.根据权利要求2所述的进气均匀的硅烷流化床,其特征在于,所述内安装板设有限位块,所述外安装板设有与限位块匹配的限位槽。4.根据权利要求1所述的进气均匀的硅烷流化床,其特征在于,所述气体分布器的底部连接有若干第一进气腔,各第一进气腔...

【专利技术属性】
技术研发人员:兰天石常露露蒋立民樊晓冬付绪光
申请(专利权)人:江苏中能硅业科技发展有限公司
类型:新型
国别省市:

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