【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及多晶硅制备设备与方法，特别涉及通过流化床设备制备颗粒硅的设备与方法，具体涉及去除流化床在多晶硅生产过程中内壁沉积硅的设备与方法。
技术介绍
1、作为半导体与太阳能电池领域的基础材料，多晶硅被广泛地应用于生产包括各种电子逻辑器件、存储器件、分立器件等在内的尺寸微小却功能复杂的精密系统，更是太阳能电池板中用于光电转换的pn结的直接原料。可以这么说，当今的人类文明从很大程度上是建立在硅原子之上的。随着人类文明的进一步发展，对于高精度的电子系统的需求以及对于太阳能等清洁能源的需求更加旺盛，导致对于多晶硅的需求进一步的增长。因此，需要提供一种成本低、产量高、环境安全性好的多晶硅生产设备与工艺。
2、现有的生产多晶硅的工艺主要包括改良西门子法与流化床法。在现阶段，改良西门子法是最常用的一种工艺，其多晶硅产量占全球多晶硅产量的绝大多数，相比之下，流化床法是近些年来逐渐推广的工艺方法，其多晶硅产量占比正在逐年上升。
3、西门子法(包括改良西门子法)又可以称为氢还原法，其采用的主要设备为钟罩式反应器，主要原料为三氯氢...
【技术保护点】
1.一种清洁流化床内壁结硅的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：
7.根据权利要求3至6所述的方法，其特征在于：
8.根据权利要求1至6所述的方法，其特征在于：
9.一种适用于流化床内壁清洁的方法，所述流化床在竖直方向上设置有第一蚀刻气体入口以及第二蚀刻气体入口，第二蚀刻气体入口的...
【技术特征摘要】
1.一种清洁流化床内壁结硅的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：
...【专利技术属性】
技术研发人员：朱共山，兰天石，王永亮，樊晓东，黄金发，常露露，邓光付，邱香龙，吴用，谢岩，吴德智，
申请(专利权)人：江苏中能硅业科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：
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