【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳能光伏材料制备领域，特别是一种颗粒硅的生产方法。
技术介绍
1、高纯多晶硅是集成电路和硅基太阳能电池的基础原材料，高纯多晶硅的制备主要是通过将硅源通过热分解或者氢还原制备得到高纯单质硅，本领域将该方法称为化学气相沉积法(cvd)。目前主流制备高纯多晶硅的方法为改良西门子法和流化床法，是将含硅气体通过氢还原或热分解沉积在硅芯或籽晶上制得，其中改良西门子法是在一金属钟罩形反应炉内，将硅芯用电流加热至一定温度，然后通入氢气和含硅气体，当硅芯直径生长达到某一直径形成大直径硅棒后，停止施加电流加热和停止通入氢气和含硅气体，待温度降低至50-100℃以下后，将硅棒收割，该方法是一旦硅棒生长达到某一直径，必须中断收割，属于间歇方式操作，而非连续性操作；而流化床法是在流化床反应器内将含硅气体和氢气通入装有籽晶的流化床中，600-1200℃，含硅气体在流化床中热分解并沉积在籽晶上，进而在籽晶表面不断长大形成颗粒状的多晶硅产品通常颗粒状的多晶硅产品也被称之为颗粒硅，颗粒硅可以连续不断从流化床内取出，同时可以从流化床下部持续通入含硅气体和氢...
【技术保护点】
1.一种颗粒硅的生产方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种颗粒硅的生产方法，其特征在于，所述浓度圈层为在不同进气气体中硅源气体的浓度下形成的不同密度和结晶度的环形沉积硅层。
3.根据权利要求1所述的一种颗粒硅的生产方法，其特征在于，所述硅源气体为硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅、三溴氢硅。
4.根据权利要求1所述的一种颗粒硅的生产方法，其特征在于，所述浓度圈层为2-50层。
5.根据权利要求4所述的一种颗粒硅的生产方法，其特征在于，所述浓度圈层为5-30层。
6.根据权利要求1所述的...
【技术特征摘要】
1.一种颗粒硅的生产方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种颗粒硅的生产方法，其特征在于，所述浓度圈层为在不同进气气体中硅源气体的浓度下形成的不同密度和结晶度的环形沉积硅层。
3.根据权利要求1所述的一种颗粒硅的生产方法，其特征在于，所述硅源气体为硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅、三溴氢硅。
4.根据权利要求1所述的一种颗粒硅的生产方法，其特征在于，所述浓度圈层为2-50层。
5.根据权利要求4所述的一种颗粒硅的生产方法，其特征在于，所述浓度圈层为5-30层。
6.根据权利要求1所述的一种颗粒硅的生产方法，其特征在于，所述在形成浓度圈层时，所述硅源气体浓度的体积浓度差异为2-20％。
7.根据权利要求6所述的一种颗粒硅的生产方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈其国，兰天石，陈辉，王彬，
申请(专利权)人：江苏中能硅业科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：
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