一种加热温度分布均匀的晶圆加热载盘制造技术

本实用新型专利技术公开了一种加热温度分布均匀的晶圆加热载盘，包括载盘主体，所述载盘主体包括导热盘，所述导热盘底部连接有导热柱，导热柱内置有加热棒，所述导热盘上内置有加热盘。本实用新型专利技术与现有技术相比的优点是：本实用新型专利技术通过加热棒和加热盘共同对载盘进行加热，这样能使载盘表面温度分布均匀，对于工艺去胶均匀性有很大改善，提升设备工艺能力。提升设备工艺能力。提升设备工艺能力。

【技术实现步骤摘要】
一种加热温度分布均匀的晶圆加热载盘


[0001]本技术涉及晶圆加热载盘，尤其涉及一种加热温度分布均匀的晶圆加热载盘。

技术介绍

[0002]在晶圆制造的工艺中，等离子体灰化设备是整个生产工艺中不可或缺的设备，随着制造工艺要求的不断提高，对等离子体灰化工艺过程的稳定性要求越来越高。设备腔体内部的晶圆承载平台作为等离子设备的重要部件，对晶圆进行加热和承载作用的加热载盘对晶圆光刻胶灰化尤为重要；但对于传统的加热载盘，其温度是通过四根竖直的加热棒a进行加热的如图1所示，这样的加热方式，能满足目前的工艺需求，但会出现中心位置加热棒直接加热的部分，温度比较高，边缘温度比较低，出现热分布不均匀情况，如90℃温度图(图2)和250℃温度Map(图3)所示，这样就会导致晶圆表面的光刻胶受热不均匀，受不同温度影响，导致去胶均匀性比较差，从而影响加工产品的良率。因此，研发一种加热温度分布均匀的晶圆加热载盘，成为本领域技术人员亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]本技术是为了解决上述不足，提供了一种加热温度分布均匀的晶圆加热载盘。
[0004]本技术的上述目的通过以下的技术方案来实现：一种加热温度分布均匀的晶圆加热载盘，包括载盘主体，所述载盘主体包括导热盘，所述导热盘底部连接有导热柱，导热柱内置有加热棒，其特征在于：所述导热盘上内置有加热盘。
[0005]进一步地，所述加热棒和加热盘通过导线与电源连接。
[0006]进一步地，所述加热棒和加热盘串联或并联。
[0007]进一步地，所述导热盘与导热柱之间设有倒锥部。
[0008]进一步地，所述导热盘、导热柱和倒锥部一体成型。
[0009]本技术与现有技术相比的优点是：本技术通过加热棒和加热盘共同对载盘进行加热，这样能使载盘表面温度分布均匀，对于工艺去胶均匀性有很大改善，提升设备工艺能力。
附图说明
[0010]图1是传统加热载盘的结构示意图。
[0011]图2是热源为90℃时，传统加热载盘的导热盘表面温度分布图。
[0012]图3是热源为250℃时，传统加热载盘的导热盘表面温度分布图。
[0013]图4是本技术的结构示意图。
[0014]图5是热源为90℃时，本技术中导热盘表面的温度分布图。
[0015]图6是热源为250℃时，本技术中导热盘表面的温度分布图。
具体实施方式
[0016]下面结合附图对本技术进一步详述。
[0017]如图1所示，一种加热温度分布均匀的晶圆加热载盘，包括载盘主体1，所述载盘主体1包括导热盘101，所述导热盘101底部连接有导热柱102，导热柱102内置有加热棒2，所述导热盘101上内置有加热盘3。
[0018]进一步地，所述加热棒2和加热盘3通过导线与电源连接。
[0019]进一步地，所述加热棒2和加热盘3串联或并联。
[0020]进一步地，所述导热盘101与导热柱102之间设有倒锥部103。
[0021]进一步地，所述导热盘101、导热柱102和倒锥部103一体成型。
[0022]本技术由加热棒2和加热盘3的共同加热方式，来提升加热载盘的导热盘表面温度均匀性，这样能确保导热盘表面温度分布均匀，如图5、图6所示，从而改善去胶均匀性。
[0023]以上所述仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种加热温度分布均匀的晶圆加热载盘，包括载盘主体，所述载盘主体包括导热盘，所述导热盘底部连接有导热柱，导热柱内置有加热棒，其特征在于：所述导热盘上内置有加热盘。2.根据权利要求1所述的一种加热温度分布均匀的晶圆加热载盘，其特征在于：所述加热棒和加热盘通过导线与电源连接。3.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鑫，夏欢，
申请(专利权)人：上海稷以科技有限公司，
类型：新型
国别省市：