【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于晶圆设备领域工艺设备的晶圆传送，尤其涉及一种晶圆传送平台及方法。
技术介绍
1、在半导体制造工艺中，去胶设备是整个生产工艺中不可或缺的设备。几乎每一道干法刻蚀后都需要经行一次针对晶圆表面光刻胶的处理工艺，由此可知一片晶圆在整个完整的生产过程中需要经历成百上千次针对表面光刻胶的处理工艺，所以传送模块的wph(waferpre hour)对于去胶设备至关重要。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种晶圆传送平台及方法，可实现晶圆的不间断传送。保证工艺腔室全时段保持有晶圆生产状态，从而提升生产效率。采用的技术方案如下：
2、一种晶圆传送平台，包括：
3、真空传送模块1，其内设置真空传送机械手11，其通过所述真空传送机械手11连接工艺腔室2和装载平台3；所述装载平台3的一侧连接前端晶圆传送模块4，所述前端晶圆传送模块4用于传送待处理的晶圆至装载平台3；所述工艺腔室2、装载平台3布设在真空传送模块1的外围；
4、真空冷却平台5，至少为一个，其用于对处理后的晶圆进行降温。
5、优选地，所述真空冷却平台5位于真空传送模块1内，且与工艺腔室2对应设置。
6、优选地，所述工艺腔室2和装载平台3分别沿真空传送模块1的不同边布设；工艺腔室2和装载平台3的数量之和，等于真空传送模块1的边总数。
7、优选地，所述真空传送模块1为五边形，所述工艺腔室2的数量为3；所述装载平台3的数量为2。
8、优选地，所
9、优选地，所述工艺腔室2的数量为2；所述装载平台3的数量为2；所述真空冷却平台5位于相邻工艺腔室2之间。
10、一种晶圆传送方法，包括以下步骤：
11、步骤1、前端晶圆传送模块4将晶舟送至装载平台3；
12、步骤2、装载平台3将晶舟举升至晶圆传送位置；
13、步骤3、真空传送模块1的阀门打开，真空传送机械手11将晶舟中的晶圆取出；
14、步骤4、真空传送机械手11将晶圆传送至其中一个工艺腔室2进行工艺处理；
15、步骤5、真空传送机械手11将处理后的晶圆取出，并放置到真空冷却平台5中冷却；
16、步骤6、真空传送机械手11将冷却后的晶圆送回至装载平台3处的晶舟。
17、与现有技术相比，本专利技术的优点为：
18、1、全新的双装载平台设计理念，实现两个晶圆同时取放，于此同时平台搭载2个装载平台，可实现晶圆不间断传送。
19、2、此平台可最大搭载3个工艺腔室，同时兼顾冷却的功能。
20、通过测试数据可知wph会随着chamber数量的增加而增加，当时在chamber数量大于3个后其增长率明显下降。故搭载3chamber为最有解。
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1.一种晶圆传送平台，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆传送平台，其特征在于，所述真空冷却平台(5)位于真空传送模块(1)内，且与工艺腔室(2)对应设置。
3.根据权利要求2所述的晶圆传送平台，其特征在于，所述工艺腔室(2)和装载平台(3)分别沿真空传送模块(1)的不同边布设；工艺腔室(2)和装载平台(3)的数量之和，等于真空传送模块(1)的边总数。
4.根据权利要求3所述的晶圆传送平台，其特征在于，所述真空传送模块(1)为五边形，所述工艺腔室(2)的数量为3；所述装载平台(3)的数量为2。
5.根据权利要求1所述的晶圆传送平台，其特征在于，所述真空冷却平台(5)位于真空传送模块(1)的外围。
6.根据权利要求5所述的晶圆传送平台，其特征在于，所述工艺腔室(2)的数量为2；所述装载平台(3)的数量为2；所述真空冷却平台(5)位于相邻工艺腔室(2)之间。
7.一种晶圆传送方法，其特征在于，包括以下步骤：
【技术特征摘要】
1.一种晶圆传送平台，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆传送平台，其特征在于，所述真空冷却平台(5)位于真空传送模块(1)内，且与工艺腔室(2)对应设置。
3.根据权利要求2所述的晶圆传送平台，其特征在于，所述工艺腔室(2)和装载平台(3)分别沿真空传送模块(1)的不同边布设；工艺腔室(2)和装载平台(3)的数量之和，等于真空传送模块(1)的边总数。
4.根据权利要求3所述的晶圆传送平台，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨平，
申请(专利权)人：上海稷以科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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