一种硅片表面残胶去除装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种硅片表面残胶去除装置，包括具有片腔的箱体，所述箱体中设有风腔；在所述片腔中配设有放置槽；所述风腔能够使硅片被竖直放置在所述放置槽中时朝所述硅片上的残胶吹热风，以使所述硅片上的残胶受热软化后易于与所述硅片分离。本实用新型专利技术一种硅片表面残胶去除装置，结构简单，利用电能加热的方式对硅片端面上的残胶进行加热，以达到无杂质、无污染且无残留的去除效果，并可批量去除多组硅片上的残胶，工作效率高且残胶去除效果好，提升硅片良品率。提升硅片良品率。提升硅片良品率。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片表面残胶去除装置


[0001]本技术属于硅片脱胶
，尤其是涉及一种硅片表面残胶去除装置。

技术介绍

[0002]切片机完成硅片加工后，需将硅片从塑胶板上脱胶分离下来，不可避免地有些硅片中与塑胶板接触的一面上仍残留一些胶，无法直接清除掉，需要对其加热才能完全清除。现有技术都是采用人工操作热风枪，对准粘有胶液的硅片端面进行直吹，先将残胶软化再动手去除残胶。这种方法不仅费时费力，而且去胶效果差、去胶效率低，仅能去除小面积的残胶，有时甚至需要多次反复加热去胶。还有，热风枪操作不便，受电源、功率、出风口大小等限制，导致去胶清理不干净；热风枪吹出的气流不连续，气流吹出后硅片带胶面的温度降温快，返工去胶时不易把握去胶所需的适当温度，去胶质量不稳定。

技术实现思路

[0003]本技术提供一种硅片表面残胶去除装置，解决了现有技术中采用热风枪去胶的效果差且效率低的技术问题。
[0004]为解决至少一个上述技术问题，本技术采用的技术方案是：
[0005]一种硅片表面残胶去除装置包括具有片腔的箱体，所述箱体中设有风腔；在所述片腔中配设有放置槽；
[0006]所述风腔能够使硅片被竖直放置在所述放置槽中时朝所述硅片上的残胶吹热风，以使所述硅片上的残胶受热软化后易于与所述硅片分离。
[0007]进一步的，所述片腔下端面设有若干组相对设置的底托，所述底托外侧边均为直角结构，并在其上端面上还设有与其外侧边结构相同的凸台。
[0008]进一步的，所述底托沿所述片腔长度方向设置并分别位于所述片腔长度两端，并所有所述底托均沿所述片腔宽度方向间隙设置。
[0009]进一步的，沿所述放置槽长度方向相对设置的所述底托的相对面为V型结构。
[0010]进一步的，所述底托的相对面的V型结构的夹角不小于100
°
且不大于175
°
。
[0011]进一步的，所述放置槽被置于每一组相对设置的所述底托上方并被所述底托上的所述凸台卡固设置。
[0012]进一步的，沿所述放置槽长度方向上设有若干用于放置所述硅片的放片区，带有残胶的所述硅片的一端被朝上悬空立放于所述放片区，且所述放置槽的高度低于所述硅片的高度；
[0013]相邻所述放片区之间均设有一组相对间隔设置的挡条，且每个所述挡条均靠近所述放置槽内壁一侧设置。
[0014]进一步的，所述风腔设于所述箱体的长度侧面并沿所述片腔的长度方向设有若干喷气口；
[0015]所述喷气口位于所述放置槽的斜上方并朝所述放置槽内的所述硅片倾斜吹气；且
所述喷气口可沿所述放置槽高度方向上下移动。
[0016]进一步的，还包括设于所述箱体底部或顶部的加热层，所述加热层与所述风腔连通设置，进入所述风腔中的冷气流受所述加热层加热后再进入所述片腔中。
[0017]进一步的，所述加热层包括若干沿所述片腔长度方向或宽度方向并排设置的加热管，所述加热管均匀排布设置。
[0018]采用本技术设计的一种硅片表面残胶去除装置，结构简单，在封闭的一定片腔内进行加热，并可同步进行调节风量和风速的风腔与装置中的加热件进行互补，以调整片腔中的热气流走向，从而对硅片中的残胶进行可针对性的加热，以加速去胶速度，提高去胶效率。利用电能加热的方式对硅片上的残胶进行加热，以达到无杂质、无污染且无残留的去除效果，并可批量去除多组硅片上的残胶，工作效率高且残胶去除效果好，提升硅片良品率。
附图说明
[0019]图1是本技术一实施例的一种硅片表面残胶去除装置的结构图；
[0020]图2是本技术一实施例的一种硅片表面残胶去除装置的俯视图；
[0021]图3是本技术一实施例的底托的结构示意图；
[0022]图4是本技术一实施例的放置槽的结构示意图；
[0023]图5是本技术另一实施例的加热层中加热管的布置图。
[0024]图中：
[0025]10、箱体
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20、片腔
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30、加热层
[0026]40、底托
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41、凸台
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50、放置槽
[0027]51、放片区
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52、挡条
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60、风腔
[0028]70、硅片
具体实施方式
[0029]下面结合附图和具体实施例对本技术进行详细说明。
[0030]本实施例提出一种硅片表面残胶去除装置，如图1所示，包括具有片腔20的箱体10，箱体10中设有风腔60；在片腔20中配设有放置槽50，风腔60能够使硅片70被竖直放置在放置槽50中时朝硅片上的残胶吹热风，以使硅片上的残胶受热软化后易于与所述硅片分离。与现有采用热风枪一样只能局部清除相比，这一结构不仅操作方便且可批量处理残胶，而且温度加热可持续性且稳定，残胶处理干净且无残留胶印，无需返工二次清理，良品率高且清理质量稳定，省时省力且效率高。
[0031]具体地，如图2所示，箱体10为长方体结构，片腔20沿箱体10的长度方向设置，为了便于支撑放置槽50，在箱体10的长度两端设置开门。并在片腔20的下端面设有若干组相对设置的底托40，底托40的外侧边均为带有弧线的直角结构，并在其上端面上还设有与其外侧边结构相同的凸台41，且凸台41设置的目的是为了防止放置槽50放置时定位，起固定作用。
[0032]进一步的，底托40沿片腔20的长度方向设置并分别位于片腔20长度的两端，在本实施例中，底托40的厚度不宜过高，建议5
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15mm，底托40的设置，主要是用于架设放置槽50
的放置。所有底托40均沿片腔20宽度方向并排设置，且相邻之间的底托40为均匀间隙设置；同时，沿放置槽50长度方向相对设置的底托40之间预留很长的空间设置，留有中间长度的空间便于被热气流吹拂，加速片腔20中受热的气流流动，便于加速残胶受热软化。
[0033]进一步的，如图3所示，沿放置槽50长度方向相对设置的底托40的相对面为V型结构，且优选地，底托40的相对设置的一侧面的V型结构的夹角θ不小于100
°
且不大于175
°
。这一V型结构的设置，若夹角θ小于100
°
，在同一长度的条件下，则使得底托40与放置槽50叠放的面积较大，从而使得位于底托40正上方的放置槽50中的硅片70受热传导的气流较少，从而会影响此处硅片70的传导，从而影响此处硅片70上残胶的软化情况。若夹角θ大于175
°
，会增加底托40的V型面的开角，则底托40的整体长度将缩短，则放置槽50与底托40的接触面积将变小，从而使得放置槽50与底托40上端面的接触中间面会悬空更多，则会导致放置槽50放置的不稳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片表面残胶去除装置，其特征在于，包括具有片腔的箱体，所述箱体中设有风腔；在所述片腔中配设有放置槽；所述风腔能够使硅片被竖直放置在所述放置槽中时朝所述硅片上的残胶吹热风，以使所述硅片上的残胶受热软化后易于与所述硅片分离；还包括设于所述箱体底部或顶部的加热层，所述加热层与所述风腔连通设置，进入所述风腔中的冷气流受所述加热层加热后再进入所述片腔中。2.根据权利要求1所述的一种硅片表面残胶去除装置，其特征在于，所述片腔下端面设有若干组相对设置的底托，所述底托外侧边均为直角结构，并在其上端面上还设有与其外侧边结构相同的凸台。3.根据权利要求2所述的一种硅片表面残胶去除装置，其特征在于，所述底托沿所述片腔长度方向设置并分别位于所述片腔长度两端，并所有所述底托均沿所述片腔宽度方向间隙设置。4.根据权利要求2或3所述的一种硅片表面残胶去除装置，其特征在于，沿所述放置槽长度方向相对设置的所述底托的相对面为V型结构。5.根据权利要求4所述的一种硅片表面残胶去除装置，其特征在于，所述底托的相对面的V型结构的夹角不小于100
°
且不大于17...

【专利技术属性】
技术研发人员：付少华，李方乐，魏辉，苏新意，曾伟豪，杜德良，郝红月，宋雪，史丹梅，何鹏，王新伟，刘超，李彦南，李天龙，艾传令，刘嘉琪，
申请(专利权)人：天津市环欧新能源技术有限公司，
类型：新型
国别省市：