一种硅片表面残胶去除方法技术

本发明专利技术提供一种硅片表面残胶去除方法，步骤包括：将带有残胶的硅片放在片腔中加热以软化残胶；待软化完成后移出片腔，再在设定时间内去除残胶。本发明专利技术一种硅片表面残胶去除方法，通过将带有残胶的硅片放置在具有自动加热的密闭环境中进行加热软化，以达到批量地去除残胶的目的，残胶去除速度快且去除效果好，无胶印残留，尤其是在加热温度为100

【技术实现步骤摘要】
一种硅片表面残胶去除方法


[0001]本专利技术属于硅片脱胶设备
，尤其是涉及一种硅片表面残胶去除方法。

技术介绍

[0002]在脱胶过程中会出现有些胶液残留的现象，而现有技术都是采用热风枪进行间断式的局部加热操作，但这种方法需要往返多次加热后才能确认去除是否成功，不仅效率低且返工率极高。每次采用热风枪加热后，硅片表面温度会瞬间降温，导致硅片的残胶位置仍然会残留胶印，去胶不干净；而且这种热风枪不易稳定加热温度，其受工作环境影响较大，导致去胶质量不稳定。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种硅片表面残胶去除方法，解决了现有技术中去胶方法导致硅片表面还仍有残胶且去胶效率低的技术问题。
[0004]为解决至少一个上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：
[0005]一种硅片表面残胶去除方法，步骤包括：
[0006]将带有残胶的硅片放在片腔中加热以软化残胶；
[0007]待软化完成后移出片腔，再在设定时间内去除残胶。
[0008]进一步的，将带有残胶的所述硅片放置在所述片腔中加热，步骤包括：
[0009]先将所述硅片竖直立放在一个固定架上且使带有残胶的一端朝上悬空设置；
[0010]将所述固定架放置在所述片腔内持续地通入热风进行加热，加热温度为100
‑
150℃，加热时间为3
‑
15min。
[0011]进一步的，对所述硅片上的残胶的加热温度为100℃。
[0012]进一步的，每一个固定架上可以放置若干组所述硅片，每一组包括若干个叠放设置的所述硅片。
[0013]进一步的，相邻两组所述硅片需间隔设置，且间隔距离不小于50
‑
100mm。
[0014]进一步的，同一组中的所述硅片型号相同；且相邻两组的所述硅片的数量可互不相同。
[0015]进一步的，对加热完成后的所述硅片在取出后的7min内完成去胶。
[0016]进一步的，对加热完成后的所述硅片在取出后的5min内完成去胶。
[0017]进一步的，所述硅片在所述片腔中被加热是在烘箱或烤箱中操作。
[0018]进一步的，在加热过程时烘箱或烤箱中是通过设置在其内的风腔中的气流受加热管加热后再进入所述片腔内，所述风腔还可以沿所述片腔的高度方向竖直上下活动以调整热气流的风向朝所述硅片的带胶面吹。
[0019]与现有技术相比，采用本专利技术设计的一种硅片表面残胶去除方法，通过将带有残胶的硅片放置在具有自动加热的密闭环境中进行加热软化，以达到批量地去除残胶的目的，残胶去除速度快且去除效果好，无胶印残留，尤其是在加热温度为100
‑
150℃且在取出
5min之内去胶效果最好。
附图说明
[0020]图1是本专利技术一实施例的一种硅片表面残胶去除方法的流程图；
[0021]图2是本专利技术一实施例的一种硅片表面残胶去除装置的结构图；
[0022]图3是本专利技术一实施例的固定架的结构图。
[0023]图中：
[0024]10、箱体
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20、固定架
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21、置片区
[0025]22、隔条
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30、加热管
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40、风腔
具体实施方式
[0026]下面结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细说明。
[0027]本实施例提出一种硅片表面残胶去除方法，如图1所示，步骤包括：
[0028]将带有残胶的硅片放在片腔中加热以软化残胶。
[0029]具体地，先将带有残胶的硅片竖直立放在一个固定架10上且使带有残胶的一端朝上悬空设置。其中，用于对硅片进行加热的片腔可以是类似烘箱或烤箱的箱体10，结构如图2所示。固定架20能够使带有残胶的硅片批量竖直地放置在密闭的箱体10中被持续地向片腔中吹入的热风加热，使硅片上的残胶受热软化后再取出进行去胶，这一方式不仅操作方便且可批量对带有残胶的硅片进行统一加热软化，而且温度加热可持续性且稳定，为后续快速且干净地去除残胶奠定基础。
[0030]箱体10设有放置固定架20的空腔、还有用于提供热源的风腔40，其中风腔40与外设的空压机连通并与用于加热气流的加热管30连通，从风腔40中吹出的热气流可沿硅片高度的方向上下调整，以用于调整热气流的风向朝硅片带胶面吹拂。箱体10中的空腔沿其长度方向设置，为了便于支撑固定架20，箱体10两端均设有门，放置固定架20时是敞开放置；且在空腔的下端面设有支撑固定架20的底托，底托的外侧边均为带有弧线的直角结构，并在其上端面上还设有与其外侧边结构相同的凸台，且凸台设置的目的是为了防止固定架20放置时定位，起固定作用。底托的厚度不宜过高，为5
‑
15mm，底托可使固定架20悬空放置。
[0031]进一步的，沿固定架20长度方向相对设置的底托的相对面为V型结构，优选地，底托的相对设置的一侧面的V型结构的夹角不小于100
°
且不大于175
°
。这一结构的设置不仅便于增加固定架20与底托接触的面积，同时还可最大限度地降低底托所占的受热面积，在保证固定架20放置的稳定性的基础上，最大限度地降低底托所耗用的热源。
[0032]其中，固定架20被置于每一组相对设置的底托上方并被底托上的凸台卡固设置。所有固定架20的下端面为若干板条间隔拼接设置而成，且其侧面也是间隔的板条围圈连接而成，目的是便于热气流的流通。
[0033]进一步的，每个箱体10中可以放置若干个固定架10，且每个固定架20上可设置若干个用于放置硅片的置片区21，固定架20的结构如图3所示。带有残胶的硅片的一端被朝上悬空立放于置片区21，且固定架20的高度低于硅片的高度；目的是提高残胶与热流空气接触的面积，若带有残胶的硅片水平放置说竖直朝下放置都会出现残胶残留在固定架20内的风险，不仅不便于清理，而且还会增加额外的处理成本。
[0034]在每个置片区21中，所有硅片都是沿置片区21的宽度方向并排设置的，且带有残胶的一端均竖直朝上悬空设置，箱体10中的加热温度可直接对悬空设置的残胶进行加热软化。
[0035]同时，为了提高硅片放置的数量和型号，相邻两组硅片需间隔设置，且间隔距离不小于50
‑
100mm。也即是在相邻两组硅片被立放的置片区21之间均设有一组相对间隔设置的隔条22，且每个隔条22均靠近固定架20的内壁一侧设置，每个隔条22的厚度不小于50
‑
100mm。相邻设置的隔条22之间的间隙小于硅片横向宽度的一半，不仅可以提高热气流的流通效率，而且还可节约生产成本，提高硅片放置的安全性。
[0036]进一步的，同一组中的硅片型号相同，且相邻两组的硅片数量可互不相同。也即是，在同一个固定架20中，置片区21的长度就是竖直立放硅片的叠本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片表面残胶去除方法，其特征在于，步骤包括：将带有残胶的硅片放在片腔中加热以软化残胶；待软化完成后移出片腔，再在设定时间内去除残胶。2.根据权利要求1所述的一种硅片表面残胶去除方法，其特征在于，将带有残胶的所述硅片放置在所述片腔中加热，步骤包括：先将所述硅片竖直立放在一个固定架上且使带有残胶的一端朝上悬空设置；将所述固定架放置在所述片腔内持续地通入热风进行加热，加热温度为100
‑
150℃，加热时间为3
‑
15min。3.根据权利要求2所述的一种硅片表面残胶去除方法，其特征在于，对所述硅片上的残胶的加热温度为100℃。4.根据权利要求2或3所述的一种硅片表面残胶去除方法，其特征在于，每一个固定架上可以放置若干组所述硅片，每一组包括若干个叠放设置的所述硅片。5.根据权利要求4所述的一种硅片表面残胶去除方法，其特征在于，相邻两组所述硅片需间隔设置，且间隔距离不小于50
‑
100m...

【专利技术属性】
技术研发人员：付少华，李方乐，魏辉，苏新意，曾伟豪，杜德良，郝红月，宋雪，史丹梅，何鹏，王新伟，刘超，李彦南，李天龙，艾传令，刘嘉琪，
申请(专利权)人：天津市环欧新能源技术有限公司，
类型：发明
国别省市：