具有利用激光直接构造形成的再分布层的晶片级封装制造技术

本公开的实施例涉及具有利用激光直接构造形成的再分布层的晶片级封装。一种形成晶片级封装的方法，包括：将晶片分割成多个重构集成电路裸片，将载体固定到多个集成电路裸片的前侧，并且在多个集成电路裸片的背侧上，在多个集成电路管芯的侧边缘上，以及在载体的相邻部分上形成激光直接构造(LDS)可激活树脂。LDS可激活树脂的被期望区域被激活以在LDS可激活树脂内形成导电区域，与每个集成电路裸片相关联的导电区域中的至少一个导电区域被形成为沿LDS可激活树脂的一侧行进并且接触，该侧与集成电路裸片的侧边缘接触。集成电路裸片的侧边缘接触。集成电路裸片的侧边缘接触。

【技术实现步骤摘要】
具有利用激光直接构造形成的再分布层的晶片级封装
[0001]相关申请
[0002]本申请要求2021年3月2日提交的美国临时专利申请 No.63/155,400的优先权，该申请的公开内容通过引用在法律允许的最大程度上并入本文。


[0003]本公开涉及用于形成晶片级封装的技术，尤其涉及形成具有使用激光直接构造形成的再分配层的晶片级封装，以实现高密度晶片级封装、大尺寸晶片级封装和高引脚数晶片级封装。

技术介绍

[0004]封装半导体裸片以保护裸片免受操作环境的影响，并在裸片和使用裸片的电子设备之间提供电气接口。传统上，芯片封装技术不同于晶片级加工中使用的半导体制造技术。然而，最近，晶片级加工技术已经开始用于构建芯片封装。
[0005]图1是已知封装10的横截面图，该封装10包括半导体裸片14，其背侧和边缘侧由树脂包封层16包封，钝化层12在半导体裸片14的前侧上延伸并且在包封层16的前侧上延伸。阻焊剂层11设置在钝化层12 的前侧。在钝化层12和阻焊剂层11内形成的再分布层包括互连13a和 13b，它们分别连接到半导体裸片14前侧的焊盘(或引脚)15a和15b。
[0006]阻焊剂层11具有完全从其中穿过延伸的多个凹槽，多个凹槽接收球栅阵列的焊球17a和17b，所述焊球栅阵列分别连接至再分布层的互连 13a和13b。
[0007]根据如图1所示的现有技术的晶片级封装技术封装的半导体裸片具有若干限制。例如，形成高密度、大尺寸和高引脚数晶片级封装的成本可能高于期望值，尤其是当要使用扇出布置时。由于晶片技术的增长速度快于封装技术，这种情况随着时间的推移而加剧。因此，需要进一步发展。

技术实现思路

[0008]本文公开了一种形成晶片级封装的方法。该方法涉及：将晶片分割成多个重构的集成电路裸片；将载体固定到所述多个集成电路裸片的前侧；在多个集成电路裸片的背侧上、多个集成电路裸片的侧边缘上和载体的相邻部分上形成激光直接构造(LDS)可激活树脂；激活LDS可激活树脂的期望区域，以在LDS可激活树脂内形成导电区域，与每个集成电路裸片相关联的导电区域中的至少一个导电区域被形成为沿LDS可激活树脂的一侧行进并且接触，该侧与集成电路裸片的侧边缘接触；以及在通过激活在LDS可激活树脂内形成的导电区域上形成第一导电迹线。
[0009]该方法还可以包括：在第一导电迹线和LDS可激活树脂的部分上沉积模塑层；在模塑层和第一导电迹线的部分上沉积第一钝化层；形成沿第一钝化层延伸并且穿过第一钝化层以接触第一导电迹线的第二导电迹线；在所述第二导电迹线和所述第一钝化层上沉积第一阻焊剂层；在与第二导电迹线相邻的第一阻焊剂层中形成孔，以暴露第二导电迹线的部
分；以及在与第二导电迹线的暴露部分接触的孔中形成焊球。
[0010]该方法还可以包括移除载体，翻转多个集成电路裸片，并且将新载体固定到多个集成电路裸片的背侧。
[0011]如本文所述，多个集成电路裸片的前侧、LDS可激活树脂、第一导电迹线和模塑层的部分可以被打磨掉。此外，第二钝化层可以沉积在多个集成电路裸片前侧的暴露部分、LDS可激活树脂的暴露部分、第一导电迹线的暴露部分和模塑层的暴露部分上。
[0012]可以形成沿着第二钝化层延伸并且穿过第二钝化层以接触第一导电迹线的第三导电迹线。
[0013]可以在第三导电迹线和第二钝化层上沉积第二阻焊剂，并且可以在第二阻焊剂中形成孔以暴露第三导电迹线的部分。
[0014]本文公开的另一种方法涉及：将晶片分割成多个重构集成电路裸片和多个虚设柱；将载体固定到所述多个集成电路裸片和所述多个虚设柱的前侧；在所述多个集成电路裸片的背侧上、所述多个集成电路裸片的侧边缘上、所述多个虚设柱的背侧上、所述多个虚设柱的侧边缘上以及所述载体的相邻部分上形成激光直接构造(LDS)可激活树脂；激活LDS 可激活树脂的期望区域，以在LDS可激活树脂内形成导电区域，与每个集成电路裸片相关联的至少一个导电区域被形成为与该集成电路裸片的相应焊盘接触，并且导电区域被形成为沿LDS可激活树脂的一侧行进并且接触，该侧与集成电路裸片的侧边缘接触，与每个虚设柱相关联的至少一个导电区域被形成为沿LDS可激活树脂的一侧行进并且接触，该侧与集成电路裸片的侧边缘接触，该侧面与该虚设柱的一侧接触；以及在通过激活在LDS可激活树脂内形成的导电区域上形成第一导电迹线。
[0015]该方法还可以涉及：在第一导电迹线和LDS可激活树脂的部分上沉积模塑层；在模塑层和第一导电迹线的部分上沉积第一钝化层；形成沿第一钝化层延伸并且穿过第一钝化层以接触第一导电迹线第二导电迹线；在所述第二导电迹线和所述第一钝化层上沉积第一阻焊剂层；在与第二导电迹线相邻的第一阻焊剂层中形成孔，以暴露第二导电迹线的部分；以及在与第二导电迹线的暴露部分接触的孔中形成焊球。
[0016]该方法还可以包括移除载体，翻转多个集成电路裸片和多个虚设柱，并且将新载体固定到多个集成电路裸片的背侧和多个虚设柱的背侧。
[0017]所述多个集成电路裸片的前侧、所述多个虚设柱的前侧、所述LDS 可激活树脂、所述第一导电迹线和所述模塑层的部分可以被打磨掉。
[0018]第二钝化层可以沉积在多个集成电路裸片前侧的暴露部分上、多个虚设柱的前侧上、LDS可激活树脂的暴露部分上、第一导电迹线的暴露部分上和模塑层的暴露部分上。
[0019]可形成第三导电迹线，其沿着并穿过第二钝化层延伸以接触第一导电迹线。此外，第二阻焊剂可沉积在第三导电迹线和第二钝化层上，并在第二阻焊剂中形成孔以暴露第三导电迹线的部分。
[0020]本文还公开了一种晶片级封装，包括：集成电路裸片，其具有在前侧上的多个焊盘；树脂层，包围集成电路裸片的边缘侧，并且包围集成电路裸片的前侧；其中树脂层包括可激活催化剂材料；第一钝化层，其背侧与相邻集成电路裸片前侧的树脂层的前表面接触；第一阻焊剂层，其后表面与钝化层的前表面接触；以及再分配层。所述再分布层可包括：树脂层的第一激活部分，其相邻所述多个焊盘，以形成从所述多个焊盘延伸至所述树脂层的
后表面的电连接；所述树脂层的第二激活部分沿着所述树脂层的后表面向所述树脂层的、包围所述集成电路芯片的边缘侧的部分延伸；树脂层的第三激活部分，其沿着包围集成电路裸片边缘侧的树脂层部分延伸；以及第一互连结构，其从树脂层的第二激活部分延伸，穿过第一钝化层，并且穿过第一阻焊剂层。
[0021]再分布层可包括在其延伸穿过第一阻焊剂层的位置处分别连接到第一互连结构的焊球。
[0022]再分布层可以包括：第二钝化层，其前表面与集成电路裸片的背侧接触；第二阻焊剂层，其前表面与第二钝化层的背侧接触；以及第二互连结构，其从树脂层的第三激活部分延伸，穿过第二钝化层，并且穿过第二阻焊剂层；其中，所述第二阻焊剂层具有在其中限定的开口，所述开口暴露所述第二互连结构的部分。
[0023]一种模塑层，可以与树脂层的第一、第二和第三激活部分接触，与包围集成电路裸片边缘的树脂层的未本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成晶片级封装的方法，所述方法包括：将晶片分割成多个重构集成电路裸片；将载体固定到所述多个集成电路裸片的前侧；在所述多个集成电路裸片的背侧之上、在所述多个集成电路裸片的侧边缘之上、以及在所述载体的相邻部分之上形成激光直接构造LDS可激活树脂；激活所述LDS可激活树脂的期望区域，以在所述LDS可激活树脂内形成导电区域，与每个集成电路裸片相关联的所述导电区域中的至少一个导电区域被形成为与所述集成电路裸片的相应焊盘接触，并且所述至少一个导电区域被形成为沿所述LDS可激活树脂的一侧行进并且接触，该侧与所述集成电路裸片的侧边缘接触；以及在通过所述激活在所述LDS可激活树脂内形成的所述导电区域上形成第一导电迹线。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述LDS可激活树脂和所述第一导电迹线的部分之上沉积模塑层；在所述第一导电迹线和所述模塑层的部分之上沉积第一钝化层；形成沿所述第一钝化层延伸并且穿过所述第一钝化层以接触所述第一导电迹线的第二导电迹线；在所述第二导电迹线和所述第一钝化层上沉积第一阻焊层；在与所述第二导电迹线相邻的所述第一阻焊层中形成孔，以暴露所述第二导电迹线的部分；以及在所述孔中形成与所述第二导电迹线的暴露部分接触的焊球。3.根据权利要求2所述的方法，还包括：去除所述载体，将所述多个集成电路裸片翻转，并且将新的载体固定到所述多个集成电路裸片的背侧。4.根据权利要求3所述的方法，还包括：将所述多个集成电路裸片的前侧的部分、所述LDS可激活树脂的部分、所述第一导电迹线的部分以及所述模塑层的部分打磨掉。5.根据权利要求4所述的方法，还包括：在所述多个集成电路裸片的前侧的暴露部分、所述LDS可激活树脂的暴露部分、所述第一导电迹线的暴露部分、和所述模塑层的暴露部分之上沉积第二钝化层。6.根据权利要求5所述的方法，还包括：形成沿所述第二钝化层延伸并且穿过所述第二钝化层以接触所述第一导电迹线的第三导电迹线。7.根据权利要求6所述的方法，还包括：在所述第三导电迹线和所述第二钝化层上沉积第二阻焊剂，并且在所述第二阻焊剂中形成孔以暴露所述第三导电迹线的部分。8.一种形成晶片级封装的方法，所述方法包括：将晶片分割成多个重构集成电路裸片和多个虚设柱；将载体固定到所述多个集成电路裸片和所述多个虚设柱的前侧；在所述多个集成电路裸片的背侧之上、在所述多个集成电路裸片的侧边缘之上、在所述多个虚设柱的背侧之上、在所述多个虚设柱的侧边缘之上、以及在所述载体的相邻部分之上形成激光直接构造LDS可激活树脂；激活所述LDS可激活树脂的期望区域，以在所述LDS可激活树脂内形成导电区域，与每个集成电路裸片相关联的所述导电区域中的至少一个导电区域被形成为与所述集成电路裸片的相应焊盘接触，并且所述至少一个导电区域被形成为沿所述LDS可激活树脂的一侧
行进并且接触，该侧与所述集成电路裸片的侧边缘接触，与每个虚设柱相关联的所述导电区域中的至少一个导电区域被形成为沿所述LDS可激活树脂的一侧行进并且接触，该侧与所述虚设柱的侧边缘接触；以及在通过所述激活在所述LDS可激活树脂内形成的所述导电区域上形成第一导电迹线。9.根据权利要求8所述的方法，还包括：在所述LDS可激活树脂和所述第一导电迹线的部分之上沉积模塑层；在所述第一导电迹线和所述模塑层的部分之上沉积第一钝化层；形成沿所述第一钝化层延伸并且穿过所述第一钝化层以接触所述第一导电迹线的第二导电迹线；在所述第二导电迹线和所述第一钝化层上沉积第一阻焊层；在与所述第二导电迹线相邻的所述第一阻焊层中形成孔，以暴露所述第二导电迹线的部分；以及在所述孔中形成与所述第二导电迹线的暴露部分接触的焊球。10.根据权利要求9所述的方法，还包括：去除所述载体，将所述多个集成电路裸片和所述多个虚设柱翻转，并且将新的载体固定到所述多个集成电路裸...

【专利技术属性】
技术研发人员：栾竟恩，
申请(专利权)人：意法半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：