一种扇出型封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种扇出型封装结构及其制作方法，该封装结构包括依次堆叠的第一介质层、第一天线层、第一封装层、第一重新布线层、第二封装层、第二重新布线层，并包括第一导电柱、第二导电柱、功能芯片及焊料凸块，其中，第一导电柱两端分别电性连接第一天线层及位于第一重新布线层内的第二天线层；第二导电柱两端分别电性连接第二天线层及第二重新布线层；功能芯片位于第二封装层中，芯片电极电性连接第二重新布线层，功能芯片背离层接合于第一重新布线层；焊料凸块位于第二重新布线层上。本发明专利技术仅用一次支撑载体将多层天线及功能芯片集成封装，提高封装结构整合性，缩小封装体积，并且背离层增加了天线与功能芯片的隔离度，提升封装结构性能。结构性能。结构性能。

【技术实现步骤摘要】
一种扇出型封装结构及其制作方法


[0001]本专利技术属于集成电路
，涉及一种扇出型封装结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着人们对成本更低、物理尺寸更小下实现功能更强、性能更好、能源效率更高的需求，扇出型晶圆级封装(Fan
‑
Out Wafer Level Packaging，简称FOWLP)技术已成为满足移动和网络应用电子设备需求的最有前途的技术之一。
[0003]科技的进步，使得无线通讯技术趋于小型化多功能化发展。天线作为无线通讯的重要组成部分，对信号的传送及接收需要经过多个功能模块芯片的协同工作，而对于天线的封装通常是将各个功能模块芯片组装在电路板上，造成了封装体积较大、传输信号的线路较长，整合性能较差、封装工艺复杂等缺点，不能满足天线性能日益提高的需求。并且，随着通讯设备功能的越来越强大，对于终端产品也要求其提供更高的传输速率，通常一个无线通讯设备同时带有两个或两个以上天线功能模块，受到产品尺寸限制，器件工作时功能模块间不可避免的存在电磁干扰现象，电磁干扰的存在降低其技术性能指标，导致设备可靠性降低。
[0004]因此，如何提供一种新的封装结构及其制作方法，以提高结构整合性及效率、缩小封装尺寸、降低电磁干扰，成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。

技术实现思路

[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种扇出型封装结构及其制作方法，用于解决现有技术中整合性差、封装体积大、电磁干扰严重的问题。
[0006]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种扇出型封装结构的制作方法，包括以下步骤：
[0007]提供支撑载体，于所述支撑载体上形成释放层，于所述释放层上形成第一介质层；
[0008]形成第一天线层于所述第一介质层上，并形成与所述第一天线层电性连接的第一导电柱于所述第一天线层上；
[0009]形成第一封装层于所述第一介质层上以覆盖所述第一天线层及所述第一导电柱，并减薄所述第一封装层以显露所述第一导电柱；
[0010]形成第一重新布线层于所述第一封装层上，所述第一重新布线层包括第二天线层及包覆所述第二天线层的第二介质层，所述第二天线层与所述第一导电柱电性连接；
[0011]形成第二导电柱于所述第一重新布线层上，所述第二导电柱与所述第二天线层电性连接；
[0012]提供至少一功能芯片，所述功能芯片包括相对设置的顶面与底面，所述顶面设有芯片电极，所述底面设有背离层，将所述功能芯片具有所述背离层的一面与所述第一重新布线层接合；
[0013]采用第二封装层包覆所述第二导电柱与所述功能芯片，并减薄所述第二封装层以
显露所述第二导电柱与所述芯片电极；
[0014]形成第二重新布线层于所述第二封装层上，所述第二导电柱电性连接于所述第二重新布线层，所述芯片电极电性连接于所述第二重新布线层；
[0015]形成焊料凸块于所述第二重新布线层上，所述焊料凸块与所述第二重新布线层电性连接。
[0016]可选地，所述支撑载体包括玻璃载体、金属载体、半导体载体、聚合物载体及陶瓷载体中的至少一种。
[0017]可选地，所述释放层的材料包括胶带和聚合物中的至少一种，采用紫外线固化或热固化的方式成型。
[0018]可选地，所述背离层的材料包括金属材料和绝缘材料中的一种或两种以上组合。
[0019]可选地，所述背离层与所述第一重新布线层之间的接合包括胶膜粘接和焊料焊接中的至少一种。
[0020]可选地，形成焊料凸块后，还包括以下步骤：去除所述支撑载体及所述释放层，并切割去除所述支撑载体及所述释放层后的结构以得到多个封装结构的步骤。
[0021]本专利技术还提供一种扇出型封装结构，包括：
[0022]第一介质层；
[0023]第一天线层，位于所述第一介质层上；
[0024]第一导电柱，位于所述第一天线层上并与所述第一天线层电性连接；
[0025]第一重新布线层，位于所述第一导电柱上方，所述第一重新布线层包括第二天线层及包覆所述第二天线层的第二介质层，所述第二天线层与所述第一导电柱电性连接；
[0026]第一封装层，位于所述第一介质层及所述第一重新布线层之间，并包覆所述第一天线层与所述第一导电柱的线路表面；
[0027]第二导电柱，位于所述第一重新布线层上并与所述第二天线层电性连接；
[0028]至少一功能芯片，所述功能芯片包括相对设置的顶面与底面，所述顶面设有芯片电极，所述底面设有背离层，将所述功能芯片具有所述背离层的一面接合于所述第一重新布线层上；
[0029]第二重新布线层，位于所述第二导电柱及所述功能芯片上，并与所述第二导电柱及所述功能芯片电性连接；
[0030]第二封装层，位于所述第一重新布线层与所述第二重新布线层之间，并包覆所述第二导电柱与所述功能芯片的显露表面；
[0031]焊料凸块，位于所述第二重新布线层上，与所述第二重新布线层电性连接。
[0032]可选地，所述第一重新布线层包括在垂直方向上堆叠的至少一介质层及至少一天线层。
[0033]可选地，所述第二重新布线层包括在垂直方向上堆叠的至少一介质层及至少一金属布线层。
[0034]可选地，所述第一封装层与所述第二封装层的材料包括聚合物基材料、树脂基材料、聚酰亚胺、环氧树脂中的至少一种。
[0035]可选地，所述背离层的材料包括金属材料和绝缘材料中的一种或两种以上组合。
[0036]可选地，所述背离层与所述第一重新布线层之间还包括结合层。
[0037]可选地，所述封装结构用于收发5G毫米波。
[0038]如上所述，本专利技术的扇出型封装结构及其制作方法，只利用一次支撑载体实现了多层天线及功能芯片的集成封装，增加了封装结构的功能整合性，减小封装体积；并且，功能芯片的底面接合有背离层，背离层增加了功能芯片与第一重新布线层的距离，提高了功能芯片与天线层的隔离度，降低了电磁干扰，提升了封装结构性能。
附图说明
[0039]图1显示为本专利技术的扇出型封装结构的制作方法的工艺流程图。
[0040]图2显示为本专利技术的扇出型封装结构的制作方法提供的支撑载体的结构示意图。
[0041]图3显示为本专利技术的扇出型封装结构的制作方法依次形成释放层及第一介质层于所述支撑载体上的示意图。
[0042]图4显示为本专利技术的扇出型封装结构的制作方法形成第一天线层及第一导电柱于所述第一介质层上的示意图。
[0043]图5显示为本专利技术的扇出型封装结构的制作方法形成第一封装层于所述第一介质层上的示意图。
[0044]图6显示为本专利技术的扇出型封装结构的制作方法形成第一重新布线层于所述第一封装层上的示意图。
[0045]图7显示为本专利技术的扇出型封装结构的制作方法形成第二导电柱于所述第一重新布线层上的示意图
[0046]图8显示为本专利技术的扇出型封装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供支撑载体，于所述支撑载体上形成释放层，于所述释放层上形成第一介质层；形成第一天线层于所述第一介质层上，并形成与所述第一天线层电性连接的第一导电柱于所述第一天线层上；形成第一封装层于所述第一介质层上以覆盖所述第一天线层及所述第一导电柱，并减薄所述第一封装层以显露所述第一导电柱；形成第一重新布线层于所述第一封装层上，所述第一重新布线层包括第二天线层及包覆所述第二天线层的第二介质层，所述第二天线层与所述第一导电柱电性连接；形成第二导电柱于所述第一重新布线层上，所述第二导电柱与所述第二天线层电性连接；提供至少一功能芯片，所述功能芯片包括相对设置的顶面与底面，所述顶面设有芯片电极，所述底面设有背离层，将所述功能芯片具有所述背离层的一面与所述第一重新布线层接合；采用第二封装层包覆所述第二导电柱与所述功能芯片，并减薄所述第二封装层以显露所述第二导电柱与所述芯片电极；形成第二重新布线层于所述第二封装层上，所述第二导电柱电性连接于所述第二重新布线层，所述芯片电极电性连接于所述第二重新布线层；形成焊料凸块于所述第二重新布线层上，所述焊料凸块与所述第二重新布线层电性连接。2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：所述支撑载体包括玻璃载体、金属载体、半导体载体、聚合物载体及陶瓷载体中的至少一种。3.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：所述释放层的材料包括胶带和聚合物中的至少一种，采用紫外线固化或热固化的方式成型。4.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：所述背离层的材料包括金属材料和绝缘材料中的一种或两种以上组合。5.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：所述背离层与所述第一重新布线层之间的接合包括胶膜粘接和焊料焊接中的至少一种。6.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：形成所述焊料凸块后，还包括以下步骤：去除所述支撑载体...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦亨，林正忠，
申请(专利权)人：盛合晶微半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：