【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制备领域，特别是涉及一种2.5d封装结构的制备方法。
技术介绍
1、随着cpu、gpu、fpga等高性能计算(hpc)芯片性能要求的不断提高，传统的倒装封装(fc)、堆叠封装(pop)等封装技术已不能满足需求，对2.5d/3d封装技术的需求逐渐增加。目前，众所周知的2.5d封装技术有台积电的cowos，它可以将多个芯片封装在一起，达到了封装体积小、功耗低、引脚少的效果。
2、目前2.5d封装结构的制备，一般先进行衬底正面焊盘的制备，随后将焊盘键合至第一支撑衬底上，在衬底背部进行金属凸块阵列的制备；将制备好的金属凸块阵列键合至第二支撑衬底上，去除第一支撑衬底，进行芯片的倒装及塑封，去除第二支撑衬底后完成2.5封装结构的制备。单个2.5d封装结构需要两片支撑衬底，并进行两次支撑衬底的键合及去除，从而导致生产成本高，及支撑衬底键合去除导致的工艺时间、生产材料的浪费。本专利技术旨在通过工艺流程的优化，减少一片支撑衬底的使用，同时也节约一次支撑衬底的键合及去除工艺时间，降低生产成本，提高生产效率。
【技术保护点】
1.一种2.5D封装结构的制备方法，其特征在于，所述2.5D封装结构的制备方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的2.5D封装结构的制备方法，其特征在于：在所述第一介质层上形成塑封材料层前还包括将底部填充胶填充于所述芯片与所述第一介质层之间缝隙的步骤。
3.根据权利要求1所述的2.5D封装结构的制备方法，其特征在于：形成所述塑封材料层后还包括平面化处理所述塑封材料层的工艺。
4.根据权利要求3所述的2.5D封装结构的制备方法，其特征在于：所述塑封材料层顶端与所述芯片顶端之间的距离D大于100μm。
5.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种2.5d封装结构的制备方法，其特征在于，所述2.5d封装结构的制备方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的2.5d封装结构的制备方法，其特征在于：在所述第一介质层上形成塑封材料层前还包括将底部填充胶填充于所述芯片与所述第一介质层之间缝隙的步骤。
3.根据权利要求1所述的2.5d封装结构的制备方法，其特征在于：形成所述塑封材料层后还包括平面化处理所述塑封材料层的工艺。
4.根据权利要求3所述的2.5d封装结构的制备方法，其特征在于：所述塑封材料层顶端与所述芯片顶端之间的距离d大于100μm。
5.根据权利要求1所述的2.5d封装结构的制备方法，其特征在于：形成的所述tsv导电柱、所述焊盘及金属凸块位于同一垂线上。
6.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡汉龙，陈彦亨，
申请(专利权)人：盛合晶微半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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