树脂组合物、表面的保护方法以及被加工物的加工方法技术

本发明专利技术提供树脂组合物、表面的保护方法以及被加工物的加工方法。提供下述的新技术：在对于隔着表面保护片利用保持台保持的晶片实施加工时，可防止因表面保护片的表面不平坦所引起的加工不良，并且在加工后能够容易地从晶片剥离表面保护片。该树脂组合物是用于隔着表面保护片在被加工物上形成树脂层的树脂组合物，其包含(甲基)丙烯酸酯、链转移剂、以及光聚合引发剂。合引发剂。合引发剂。

【技术实现步骤摘要】
树脂组合物、表面的保护方法以及被加工物的加工方法


[0001]本专利技术涉及用于形成对被加工物的表面进行保护的保护层的树脂组合物以及被加工物的加工方法。

技术介绍

[0002]以往，例如如专利文献1中所公开，对进行背面磨削的晶片的表面进行保护的表面保护片是众所公知的。
[0003]在这种表面保护片的表面形成糊料层，在晶片的表面粘贴糊料层，由此利用粘接力使表面保护片和晶片一体化。
[0004]但是，特别是在晶片的表面形成有器件的情况下，若表面保护片的糊料残留于器件，则在之后的清洗工序中也不容易除去糊料，器件可能会受到损伤。此外，特别是在器件表面形成有凸块(bump)等突起电极的情况下，附着于凸块的根部的糊料难以被除去，很可能会引起安装不良等问题。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2017
‑
85122号公报

技术实现思路

[0008]专利技术所要解决的课题
[0009]因此考虑了利用不具有糊料层的表面保护片的方案。但是，在凸块的高度大于表面保护片的厚度的情况等，粘贴于晶片的表面保护片的表面变得不平坦，会形成凹凸。如果在这种状态下将晶片隔着表面保护片利用保持台进行保持，则这种情况下所露出的晶片的上表面高度变得不均匀，因此在对晶片的背面侧进行加工时可能会产生各种问题。
[0010]具体地说，可能会产生下述不良状况：在进行了背面磨削的晶片中产生厚度偏差；在进行SD加工(Stealth Dicing(注册商标)加工)的情况下所形成的改性层中产生高度偏差，从而会产生在后续的分割工序中未被分割的区域等；利用刀具或激光器形成的槽的深度产生偏差；等等。
[0011]此处考虑了下述方案：在表面保护片上层积树脂层，在晶片的表面填埋由凸块等形成的凹凸，由此使表面保护片的表面变得平坦，使晶片的上表面高度均匀。
[0012]但是，在加工后剥离表面保护片时，表面保护片与树脂层发生分离，有可能仅剥离树脂层。这种情况下，表面保护片仍然贴附在晶片上，不能从晶片剥离整个表面保护片。
[0013]另外，在利用具有糊料层的表面保护片的情况下，也要求在表面保护片与树脂层不发生分离的情况下从晶片剥离整个表面保护片。
[0014]由此，本专利技术的目的在于提供下述的新技术：在对于隔着表面保护片利用保持台保持的晶片实施加工时，可防止因表面保护片的表面不平坦所引起的加工不良，并且在加工后能够容易地从晶片剥离表面保护片。
[0015]用于解决课题的手段
[0016]根据本专利技术的一个方式，提供一种树脂组合物，其是用于隔着表面保护片在被加工物上形成树脂层的树脂组合物，其中，包含(甲基)丙烯酸酯、链转移剂、以及光聚合引发剂。
[0017]优选该树脂组合物中的该链转移剂的含量相对于该光聚合引发剂为0.4～5倍。
[0018]优选该链转移剂为硫醇。
[0019]根据本专利技术的另一方式，提供一种表面的保护方法，其是使用了树脂组合物的被加工物的一侧表面的保护方法，其中，该方法具备下述步骤：表面保护片密合步骤，使该表面保护片与被加工物的该表面密合；以及保护层形成步骤，将该树脂组合物供给至该表面保护片上，并且对该树脂组合物照射光，使其固化形成树脂层，在被加工物的该表面形成至少具有该表面保护片和该树脂层的保护层。
[0020]根据本专利技术的又一方式，提供一种被加工物的加工方法，其是使用了树脂组合物的被加工物的加工方法，其中，该方法具备下述步骤：表面保护片密合步骤，使该表面保护片与被加工物的该表面密合；保护层形成步骤，将该树脂组合物供给至该表面保护片上，并且对该树脂组合物照射光，使其固化形成树脂层，在被加工物的该表面形成至少具有该表面保护片和该树脂层的保护层；薄化加工步骤，将该保护层侧利用保持台进行保持并且对被加工物的背面侧进行加工使其薄化；以及剥离步骤，将该保护层从被加工物的表面剥离。
[0021]专利技术效果
[0022]本专利技术中，利用与被加工物的表面密合的表面保护片、以及层积在表面保护片上的树脂层来形成保护层。树脂层由包含(甲基)丙烯酸酯、链转移剂以及光聚合引发剂的树脂组合物形成。由此，即使在表面保护片的表面形成有凹凸，也能够利用树脂层吸收凹凸，能够使保护层的表面形成得平坦。另外，表面保护片与树脂层牢固地一体化，能够在两者不发生分离的情况下以一体的形式从晶片进行剥离。
附图说明
[0023]图1是示出作为被加工物的一例的晶片的图。
[0024]图2是本专利技术的一个实施方式的流程图。
[0025]图3的(A)是示出基于真空装配装置的表面保护片的密合的截面图。图3的(B)是示出表面保护片密合于晶片的表面的状态的放大截面图。
[0026]图4是示出保护层形成步骤的截面图。
[0027]图5的(A)是示出使树脂组合物固化的状态的截面图。图5的(B)是示出在晶片的表面形成了保护层的状态的放大截面图。
[0028]图6的(A)是示出在表面保护片密合步骤中利用环状框架的示例的截面图。图6的(B)是示出基于真空装配装置的表面保护片的密合的截面图。
[0029]图7是示出保护层形成步骤的另一示例的截面图。
[0030]图8的(A)是示出使树脂组合物固化的状态的截面图。图8的(B)是示出在晶片的表面形成了保护层的状态的截面图。图8的(C)是示出去除了环状框架的状态的截面图。
[0031]图9的(A)是示出将晶片的保护层配置在下侧的状态的截面图。图9的(B)是示出薄化加工步骤的截面图。
[0032]图10的(A)是示出薄化的晶片载置在剥离装置的保持台上的截面图。图10的(B)是示出剥离步骤的截面图。
[0033]图11的(A)是示出在剥离步骤中剥离保护层的过程的截面图。图11的(B)是示出剥离保护层后的状态的截面图。
具体实施方式
[0034]以下参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。图1中示出了作为被加工物的一例的晶片10。晶片10是以硅作为母材的半导体晶片，在圆板形状的晶片10的表面10a，在利用多个间隔道12划分成格子状的多个区域形成了IC、LSI等器件14。
[0035]如图1的放大部分所示，在各器件14的周边部分形成了从晶片10的表面10a突出的多个凸块16(电极)，在晶片10的表面10a由于该凸块16形成凹凸。需要说明的是，在间隔道12形成有TEG(测试元件组，Test Element Group)的情况下，在晶片10的表面10a也由于该TEG而形成凹凸。
[0036]作为本专利技术的加工对象的被加工物除了图1所示的形态以外，还具有各种形态，不仅以半导体晶片作为加工对象，而且还以光器件晶片、树脂基板、玻璃、陶瓷等作为加工对象，但并不限定于这些。
[0037]关于以上的在表面10a形成基于凸块16的凹凸的晶片10，对于在表面10a形成保护层的方法进行说明。在以下的实施方式中，依次实施图2所示的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种树脂组合物，其用于隔着表面保护片在被加工物上形成树脂层，其中，该树脂组合物包含：(甲基)丙烯酸酯；链转移剂；以及光聚合引发剂。2.如权利要求1所述的树脂组合物，其特征在于，该树脂组合物中的该链转移剂的含量相对于该光聚合引发剂为0.4倍～5倍。3.如权利要求1或2所述的树脂组合物，其特征在于，该链转移剂为硫醇。4.一种表面的保护方法，其是使用了权利要求1～3中任一项所述的树脂组合物的被加工物的一侧表面的保护方法，其中，该方法具备下述步骤：表面保护片密合步骤，使该表面保护片与被加工物的该表面密合；以及保护层形成步骤，将该树脂组合物供给至该表面保护片上，并且对该树脂组合物照射光，使其固化形成树脂层，在被加工物...

【专利技术属性】
技术研发人员：下谷诚，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：