柔性电路板的制造方法技术

本发明专利技术的柔性电路板的制造方法，包括：将柔性电路板置于腔体内；通入碳氢气体，使所述腔体具有预定真空度；控制离子枪以产生碳等离子体；使用硅靶材以及通入氩气以在柔性电路板上沉积硅镀层；在所述硅镀层上沉积DLC镀层。本发明专利技术制得的柔性电路板具有优异的抗静电功能和导电性。和导电性。

【技术实现步骤摘要】
柔性电路板的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种抗静电的柔性电路板的制造方法。

技术介绍

[0002]在半导体领域中，柔性电路板是非常重要的元器件，它能连接两个运动的电器，并且导通电流。经常处于运动的工作状态，因而其表面常常带有电荷，这种电荷的释放往往会击穿电子元器件。传统的解决方法是将柔性电路板内部加入ESD(抗静电)导线，然而此种方法导电作用有限，同时，由于柔性电路板尺寸越来越小，其内部的空间无法加入更多的线路。
[0003]故此，亟需一种改进的方法以克服上述的缺陷。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种柔性电路板的制造方法，在柔性电路板上蒸镀高阻抗DLC(Diamond－like carbon，DLC)薄膜，从而提高柔性电路板的抗静电能力。
[0005]为实现上述目的，本专利技术的柔性电路板的制造方法，包括：：将柔性电路板置于腔体内；通入碳氢气体，使所述腔体具有预定真空度；控制离子枪以产生碳等离子体；使用硅靶材以及通入氩气以在柔性电路板上沉积硅镀层；以及在所述硅镀层上沉积DLC镀层。
[0006]与现有技术相比，本专利技术的柔性电路板的制造方法，通过在预定真空度的环境下对柔性电路板表面进行逐步沉积，首先形成硅镀层，继而在硅镀层上沉积形成DLC镀层，从而使得柔性电路具有优异的抗静电功能和导电性。
[0007]较佳地，所述碳氢气体为CH4、C2H2、C6H6、C4H
10
中的一种或多种。
[0008]较佳地，所述预定真空度为2.5
‑
4Pa。
[0009]较佳地，所述沉积DLC镀层的步骤进一步包括：向所述柔性电路板表面施加150KHz
‑
180KHz频率、
‑
120至
‑
150V的电压，沉积时间为20
‑
30分钟。
[0010]较佳地，在所述沉积DLC镀层的步骤之后还包括：在所述DLC镀层上沉积金属层。
[0011]较佳地，所述金属层为铝(Al)、镍(Ni)、铜(Cu)。
具体实施方式
[0012]下面结合实施例对本专利技术柔性电路板的制造方法作进一步说明，但不因此限制本专利技术。
[0013]本专利技术的柔性电路板的制造方法的一个实施例包括：
[0014]将柔性电路板置于腔体内；
[0015]通入碳氢气体，使腔体具有预定真空度；
[0016]控制离子枪以产生碳等离子体；
[0017]使用硅靶材以及通入氩气以在柔性电路板上沉积硅镀层；
[0018]在硅镀层上沉积DLC镀层。
[0019]具体地，该碳氢气体为CH4、C2H2、C6H6、C4H
10
中的一种或多种，腔体内的预定真空度为2.5
‑
4Pa。离子枪所接通的电源为2000
‑
2500V，电流为0.1A以产生碳等离子体。在沉积形成DLC镀层之前，首先使用硅靶材以及通入氩气以在柔性电路板上沉积硅镀层，即，硅镀层作为底层，DLC镀层为表层。具体地，开启纯硅靶材，用带正电的氩气轰击硅靶材，轰击出的负电离子沉积于阳极，带正电的金属离子沉积于阴极碳元素层上，沉积时间为5
‑
15分钟，沉积形成厚度为10
‑
300nm的硅镀层。
[0020]为了控制蒸镀到柔性电路板上的离子的能量且释放累积的电荷，向柔性电路板表面施加150KHz
‑
180KHz频率、
‑
120至
‑
150V的电压，沉积时间为20
‑
30分钟，形成厚度为1
‑
500nm的DLC镀层。
[0021]由此，在柔性电路板上形成底层为硅镀层、表层为DLC镀层的层体，柔性电路板的表面阻抗为103至10
10
Ω/sq，具有优异的静电耗散性以及导电性。
[0022]更佳地，还可以在DLC镀层表面进行金属的再沉积，例如铝(Al)、镍(Ni)、铜(Cu)等金属层，其厚度在10
‑
50nm为佳。
[0023]综上，本专利技术的柔性电路板的制造方法，通过在预定真空度的环境下对柔性电路板表面进行逐步沉积，首先形成硅镀层，继而在硅镀层上沉积形成DLC镀层，从而使得柔性电路具有优异的抗静电功能和导电性。
[0024]以上所揭露的仅为本专利技术的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本专利技术之权利范围，因此依本专利技术申请专利范围所作的等同变化，仍属本专利技术所涵盖的范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种柔性电路板的制造方法，包括：将柔性电路板置于腔体内；通入碳氢气体，使所述腔体具有预定真空度；控制离子枪以产生碳等离子体；使用硅靶材以及通入氩气以在柔性电路板上沉积硅镀层；以及在所述硅镀层上沉积DLC镀层。2.如权利要求1所述的柔性电路板的制造方法，其特征在于：所述碳氢气体为CH4、C2H2、C6H6、C4H
10
中的一种或多种。3.如权利要求1所述的柔性电路板的制造方法，其特征在于：所述预定真空度为2.5
‑
4Pa。4.如权利要求1所述的柔性电路板的制造...

【专利技术属性】
技术研发人员：张建，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：