Ag合金膜及Ag合金溅射靶制造技术

该Ag合金膜由包含In及Ge的Ag合金构成，在表面侧具有浓集有In及Ge的InGe浓集部。所述Ag合金优选含有0.1质量％以上且1.5质量％以下的In和0.1质量％以上且7.5质量％以下的Ge，并且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。

Ag alloy film and Ag alloy sputtering target

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】Ag合金膜及Ag合金溅射靶


[0001]本专利技术涉及一种包含In及Ge的Ag合金膜及进行该Ag合金膜的成膜时使用的Ag合金溅射靶。
[0002]本申请主张基于2019年12月2日于日本申请的专利申请2019
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218163号及2020年5月29日于日本申请的专利申请2020
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094213号的优先权，并将其内容援用于此。

技术介绍

[0003]通常，由于Ag膜或Ag合金膜的光学特性及电特性优异，因此被用作各种部件的反射膜及导电膜，比如显示器或LED等的反射电极膜、触摸面板等的配线膜等。
[0004]作为Ag合金膜，已知通过添加特定的元素而形成氧化物等，例如能够改善用作反射电极膜时的反射率、导电率等。
[0005]在专利文献1中，记载有使用AgSbMg或AgSbZn作为Ag合金并使Sb形成氧化物的Ag合金膜。这种Ag合金膜被认为具有优异的低电阻性、耐热性及耐氯化性。
[0006]在专利文献2中，记载有使用AgIn作为Ag合金并使In形成氧化物的Ag合金膜。这种Ag合金膜被认为能够提高反射率
[0007]在专利文献3中，记载有使用AgSbAl或AgSbMn作为Ag合金的Ag合金膜。这种Ag合金膜被认为具有优异的低电阻性、耐热性及耐氯化性。
[0008]在专利文献4中，记载有使用AgSb作为Ag合金并使Sb形成氧化物的Ag合金膜。这种Ag合金膜被认为具有优异的耐湿性、耐硫化性及耐热性，并且反射率高且电阻低。
[0009]上述各种Ag合金膜通过由Ag合金构成的溅射靶形成。
[0010]专利文献1：日本特开2014
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74225号公报
[0011]专利文献2：日本特开2014
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19932号公报
[0012]专利文献3：日本特开2014
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05503号公报
[0013]专利文献4：日本特开2013
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209724号公报
[0014]然而，上述专利文献1
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4中所记载的Ag合金膜的耐热性的改善不充分，期望耐热性更进一步优异的Ag合金膜。

技术实现思路

[0015]该专利技术是鉴于上述的情况而完成的，目的在于提供一种耐热性优异的Ag合金膜及用于进行该Ag合金膜的成膜的Ag合金溅射靶。
[0016]为了解决上述课题，本专利技术人进行深入研究的结果，得到以下见解：通过在包含Ge和In的Ag合金的表面侧形成浓集有In及Ge的InGe浓集部，能够提高Ag合金膜的耐热性。
[0017]本专利技术是基于上述的见解而完成的，本专利技术的一方式所涉及的Ag合金膜的特征在于，由包含In及Ge的Ag合金构成，并且在所述Ag合金膜的表面侧具有浓集有In及Ge的InGe浓集部。
[0018]根据上述方式的Ag合金膜，通过在表面侧形成浓集有In及Ge的InGe浓集部，能够
实现耐热性优异的Ag合金膜。
[0019]在本专利技术的一方式所涉及的Ag合金膜中，Ag合金含有0.1质量％以上且1.5质量％以下的In和0.1质量％以上且7.5质量％以下的Ge，并且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。这种组成的Ag合金膜的耐热性尤其优异，例如尤其适合用作反射导电膜。
[0020]在本专利技术的一方式所涉及的Ag合金膜中，所述InGe浓集部也可以包含In及Ge的氧化物。
[0021]通过包含In及Ge的氧化物，能够进一步提高反射率。
[0022]在本专利技术的一方式所涉及的Ag合金膜中，所述InGe浓集部可以从所述Ag合金膜的表面起朝向膜厚方向在0.5nm以上且10nm以下的范围内。
[0023]通过在Ag合金膜的表面侧的上述范围内形成InGe浓集部，能够保持耐热性的同时，防止反射率的降低。
[0024]在本专利技术的一方式所涉及的Ag合金膜中，所述Ag合金膜的表面的表面粗糙度Ra可以为0.8nm以下。
[0025]通过将表面粗糙度Ra设为0.8nm以下，能够保持耐热性的同时，防止反射率的降低。
[0026]在本专利技术的一方式所涉及的Ag合金膜中，优选在所述Ag合金中，Pd的含量为40质量ppm以下、Pt的含量为20质量ppm以下、Au的含量为20质量ppm以下、Rh的含量为10质量ppm以下，且Pd、Pt、Au和Rh的合计含量为50质量ppm以下。
[0027]Ag合金中有时所包含的Pd、Pt、Au及Rh在硝酸的还原反应中作为催化剂发挥作用，因此若包含较多的这些元素，则将所成膜的Ag合金膜利用硝酸蚀刻液进行蚀刻时，膜的蚀刻速率有可能变高。因此，在Ag合金中包含Pd、Pt、Au及Rh的情况下，通过如上所述那样限制Pd、Pt、Au及Rh的含量，从而即使使用包含硝酸的蚀刻液进行蚀刻处理，也能够将蚀刻速率控制得较低。
[0028]本专利技术的一方式所涉及的Ag合金溅射靶的特征在于，用于进行所述各项中所记载的Ag合金膜的成膜，所述Ag合金溅射靶由如下组成的Ag合金构成：含有In及Ge且剩余部分为Ag及不可避免的杂质。
[0029]使用这种Ag合金溅射靶并通过溅射而成膜的Ag合金膜为在表面侧具有浓集有In及Ge的InGe浓集部且耐热性优异的Ag合金膜。
[0030]根据本专利技术的上述方式，能够提供一种耐热性优异的Ag合金膜及用于进行该Ag合金膜的成膜的Ag合金溅射靶。
附图说明
[0031]图1是对包含InGe浓集部的Ag合金膜表示实施例1的热处理后的利用XPS进行的In的深度分析的结果的峰图。
[0032]图2是对包含InGe浓集部的Ag合金膜表示实施例1的热处理后的利用XPS进行的Ge的深度分析的结果的峰图。
具体实施方式
[0033]以下，对作为本专利技术的一实施方式的Ag合金膜及用于进行该Ag合金膜的成膜的溅
射靶进行说明。
[0034](Ag合金膜)
[0035]作为本专利技术的一实施方式的Ag合金膜的耐热性优异，例如尤其适合在有机EL元件中与有机层接触而形成的反射电极膜。
[0036]Ag合金膜由包含In及Ge的Ag合金构成，在Ag合金膜的表面侧形成有浓集有In及Ge的InGe浓集部。该InGe浓集部为In及Ge的浓度高于其他部分的浓度的部位。InGe浓集部为从In及Ge的浓度的峰位置起其浓度逐渐变化的In、Ge浓度的富集部分，而不是形成为在与其周边区域之间存在明显界面等的层。
[0037]通过形成这种InGe浓集部，能够实现Ag合金膜的耐热性的提高。
[0038]InGe浓集部也可以为具有如下的In及Ge的峰强度的部分，该In及Ge的峰强度为在距离Ag合金膜表面为50nm的位置上通过X射线光分子分光法(XPS)分析得到的In及Ge的峰强度的1.2倍以上。
[0039]构成InGe浓集部的Ge发挥提高In的浓集效果的作用。例如，在InGe浓集部中，In、Ge以氧化物形式存在的情况下，由于Ge的存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种Ag合金膜，其特征在于，由包含In及Ge的Ag合金构成，在所述Ag合金膜的表面侧具有浓集有In及Ge的InGe浓集部。2.根据权利要求1所述的Ag合金膜，其特征在于，所述Ag合金含有0.1质量％以上且1.5质量％以下的In和0.1质量％以上且7.5质量％以下的Ge，并且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。3.根据权利要求1或2所述的Ag合金膜，其特征在于，所述InGe浓集部包含In及Ge的氧化物。4.根据权利要求1至3中任一项所述的Ag合金膜，其特征在于，所述InGe浓集部从所述Ag合金膜的表面起朝向膜厚方向在0.5nm以上且10nm以下的范围内。5.根据权利要求1至4中任...

【专利技术属性】
技术研发人员：林雄二郎，小见山昌三，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：