System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 负极材料、电池、负极材料的制造方法及电池的制造方法技术_技高网

负极材料、电池、负极材料的制造方法及电池的制造方法技术

技术编号:41313109 阅读:3 留言:0更新日期:2024-05-13 14:55
提高性能。负极材料为电池的负极材料,其包含碳、钨酸钠及含有硅的硅粒子(33),在通过X射线光电子能谱法测定硅粒子(33)时,硅粒子(33)的表层中的源自单质硅的Si2p的Si量与源自SiO<subgt;2</subgt;的Si2p的Si量的比率以原子浓度基准计为3以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种负极材料、电池、负极材料的制造方法及电池的制造方法


技术介绍

1、有时使用碳作为锂离子二次电池的负极材料。例如,在专利文献1中记载了在石墨的表面配置有三氧化钨的负极。通过在石墨的表面配置三氧化钨,能够提高锂离子的扩散性,从而能够提高电池的性能。并且,例如在专利文献2中记载了包含硅粒(硅)、钨及碳的负极。

2、专利文献1:日本特开2018-45904号公报

3、专利文献2:日本特开2015-125816号公报

4、对于负极材料而言,能够通过设置三氧化钨等钨化合物和硅来提高性能,但是在性能提高方面仍有改善的余地。


技术实现思路

1、本专利技术是鉴于上述情况而完成的,其目的在于提供一种性能得到提高的负极材料、电池、负极材料的制造方法及电池的制造方法。

2、为了解决上述课题并实现目的,本公开所涉及的负极材料为电池的负极材料,包含碳、钨酸钠及含有硅的硅材料,在通过x射线光电子能谱法测定所述硅材料时,所述硅材料的表层中的源自单质硅的si2p的si量与源自sio2的si2p的si量的比率以原子浓度基准计为3以上。

3、为了解决上述课题并实现目的,本公开所涉及的电池包含:所述负极材料;以及正极材料。

4、为了解决上述课题并实现目的,本公开所涉及的负极材料的制造方法为电池的负极材料的制造方法,包括:在氧浓度为5%以下的气氛下准备硅原料的步骤;以及使用所述硅原料来生成包含碳、钨酸钠及硅材料的负极材料的步骤,在通过x射线光电子能谱法测定所述硅材料时,所述硅材料的表层中的源自单质硅的si2p的si量与源自sio2的si2p的si量的比率以原子浓度基准计为3以上。

5、为了解决上述课题并实现目的,本公开所涉及的电池的制造方法包括:所述负极材料的制造方法;以及制造正极材料的步骤。

6、根据本专利技术,能够提高负极材料的性能。

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【技术保护点】

1.一种负极材料,其为电池的负极材料,

2.根据权利要求1所述的负极材料,其中,

3.根据权利要求1或2所述的负极材料,其中,

4.根据权利要求1至3中任一项所述的负极材料,其中,

5.根据权利要求1至4中任一项所述的负极材料,其中,

6.根据权利要求1至5中任一项所述的负极材料,其中,

7.根据权利要求1至6中任一项所述的负极材料,其中,

8.根据权利要求1至7中任一项所述的负极材料,其中,

9.一种电池,其包含权利要求1至8中任一项所述的负极材料及正极材料。

10.一种负极材料的制造方法,其为电池的负极材料的制造方法,包括:

11.一种电池的制造方法,其包括:权利要求10所述的负极材料的制造方法;以及制造正极材料的步骤。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种负极材料,其为电池的负极材料,

2.根据权利要求1所述的负极材料,其中,

3.根据权利要求1或2所述的负极材料,其中,

4.根据权利要求1至3中任一项所述的负极材料,其中,

5.根据权利要求1至4中任一项所述的负极材料,其中,

6.根据权利要求1至5中任一项所述的负极材料,其中,

7.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:中田嘉信力田直树唐捷张坤
申请(专利权)人:三菱综合材料株式会社
类型:发明
国别省市:

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