System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 负极活性物质及电池制造技术_技高网

负极活性物质及电池制造技术

技术编号:41313037 阅读:4 留言:0更新日期:2024-05-13 14:55
本公开的一个方案中的负极活性物质含有多孔质硅粒子和固体电解质,所述多孔质硅粒子具有多个细孔,所述固体电解质具有被覆所述细孔的内表面的至少一部分的薄膜的形状,所述薄膜的平均厚度低于30nm。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及负极活性物质及电池


技术介绍

1、专利文献1中公开了在集电体的至少一面中含有具有三维网络结构的多孔质硅粒子的锂离子二次电池用负极。

2、专利文献2中公开了含有在表面上形成有含固体电解质的被覆层的si系活性物质的负极层。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1:日本特开2012-084522公报

6、专利文献2:日本特开2020-021674公报


技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、在现有技术中,期望使用硅作为活性物质的电池改善充放电循环特性。

3、用于解决课题的手段

4、本公开的一个方案涉及一种负极活性物质,其含有:

5、多孔质硅粒子,以及

6、固体电解质;

7、其中,所述多孔质硅粒子具有多个细孔,

8、所述固体电解质具有被覆所述细孔的内表面的至少一部分的薄膜的形状,

9、所述薄膜的平均厚度低于30nm。

10、专利技术效果

11、根据本公开,可改善使用硅作为活性物质的电池的充放电循环特性。

【技术保护点】

1.一种负极活性物质,其含有:

2.根据权利要求1所述的负极活性物质,其中,所述负极活性物质的细孔体积相对于所述多孔质硅粒子的细孔体积之比率为55%以上且低于99%。

3.根据权利要求1或2所述的负极活性物质,其中,所述负极活性物质的比表面积相对于所述多孔质硅粒子的比表面积之比率为55%以上且低于99%。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的负极活性物质,其中,所述固体电解质的体积相对于所述多孔质硅粒子的体积之比率为0.5%以上且低于15%。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的负极活性物质,其中,所述固体电解质含有锂、磷、硫及卤素。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的负极活性物质,其中,所述薄膜的平均厚度为3nm以上。

7.一种电池,其具备:

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种负极活性物质,其含有:

2.根据权利要求1所述的负极活性物质,其中,所述负极活性物质的细孔体积相对于所述多孔质硅粒子的细孔体积之比率为55%以上且低于99%。

3.根据权利要求1或2所述的负极活性物质,其中,所述负极活性物质的比表面积相对于所述多孔质硅粒子的比表面积之比率为55%以上且低于99%。

4.根据权利要求1~...

【专利技术属性】
技术研发人员:矢部裕城平濑征基伊东裕介大友崇督
申请(专利权)人:松下控股株式会社
类型:发明
国别省市:

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