发光二极管外延片及其制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，具体公开一种发光二极管外延片及其制备方法，该外延片包括衬底及设于所述衬底上的外延片，所述外延片包括沿外延方向依次沉积于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型层、有源层、电子阻挡层及P型层，所述有源层包括周期性交替生长的InGaN量子阱层及复合量子垒层，所述复合量子垒层为由InAlN层、掺杂P的h‑BN层及AlGaN层沿外延方向依次沉积而成的复合层，且所述复合量子垒层的禁带宽度大于所述InGaN量子阱层的禁带宽度。本发明专利技术的外延片通过设置复合量子垒层，有效提升抗击穿电压能力，同时有效减少复合量子垒层与InGaN量子阱层的失配产生的位错，提升发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法。

技术介绍

1、ingan/gan多量子阱（mqw）作为gan基led异质结构中的核心组成部分，它的作用是促使电子限制在更多的量子阱中，以减少电子向 p-gan 的泄漏，并进行有效的空穴与电子复合，而产生有效光，通过改变阱内in的含量，能够调整发光波长。

2、然而，由于inn和gan的晶格常数差异大，ingan阱与gan垒之间存在较大的晶格失配，尤其是当ingan阱中的in组分含量较高时，生长ingan/gan多量子阱时容易产生失配位错，导致非辐射复合中心的增加，抗击穿能力下降，降低了发光二极管的发光效率。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于针对已有的技术现状，提供一种发光二极管外延片及其制备方法。

2、本专利技术的外延片通过设置复合量子垒层，有效提升抗击穿电压能力，同时有效减少复合量子垒层与ingan量子阱层的失配产生的位错，提高有源层的晶体质量，减少了非辐射复合中心，降低量子阱的非辐射复合效率，进而提升发光效率。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管外延片，包括衬底及设于所述衬底上的外延片，其特征在于，所述外延片包括沿外延方向依次沉积于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型层、有源层、电子阻挡层及P型层，

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述InAlN层及所述AlGaN层中，Al组分的含量随周期数的累加逐层递增，所述掺杂P的h-BN层中，P的掺杂量随周期数的累加逐层递增。

3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述InAlN层中，Al组分的含量为a，0.6≤a＜1，所述AlGaN层中，Al组分的含量为b，0＜b＜1。

4.根据权利要求3所述...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管外延片，包括衬底及设于所述衬底上的外延片，其特征在于，所述外延片包括沿外延方向依次沉积于所述衬底上的缓冲层、非掺杂gan层、n型层、有源层、电子阻挡层及p型层，

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述inaln层及所述algan层中，al组分的含量随周期数的累加逐层递增，所述掺杂p的h-bn层中，p的掺杂量随周期数的累加逐层递增。

3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述inaln层中，al组分的含量为a，0.6≤a＜1，所述algan层中，al组分的含量为b，0＜b＜1。

4.根据权利要求3所述的发光二极管外延片，其特征在于，0.6≤a≤0.8，0.2≤b≤0.6。

5.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述掺杂p的h-bn层中，p的掺杂量为c，0＜c≤0....

【专利技术属性】
技术研发人员：郑文杰，程龙，高虹，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：