System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 负极活性物质及电池制造技术_技高网

负极活性物质及电池制造技术

技术编号:41298490 阅读:3 留言:0更新日期:2024-05-13 14:46
本发明专利技术一方式的负极活性物质包含多孔质硅粒子、固体电解质及碳材料,所述多孔质硅粒子具有多个细孔,所述固体电解质及所述碳材料将上述细孔的内表面的至少一部分覆盖,所述固体电解质在所述细孔的内部与所述碳材料接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及负极活性物质及电池


技术介绍

1、专利文献1公开了在集电体的至少一个面上包含具有三维网眼结构的多孔质硅粒子的锂离子二次电池用负极。

2、专利文献2公开了表面形成有含有固体电解质的被覆层且含有si系活性物质的负极层。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1:日本特开2012-084522公报

6、专利文献2:日本特开2020-021674公报


技术实现思路

1、专利技术要解决的技术问题

2、在现有技术中,期待改善使用硅作为活性物质的电池的充放电循环特性。

3、用于解决技术问题的手段

4、本公开一方式的负极活性物质包含多孔质硅粒子、固体电解质、以及碳材料,

5、上述多孔质硅粒子具有多个细孔,

6、上述固体电解质及上述碳材料将上述细孔的内表面的至少一部分覆盖,

7、上述固体电解质在上述细孔的内部与上述碳材料接触。

8、专利技术效果

9、根据本公开,可以改善使用硅作为活性物质的电池的充放电循环特性。

【技术保护点】

1.一种负极活性物质,其包含多孔质硅粒子、固体电解质及碳材料,

2.根据权利要求1所述的负极活性物质,其中,所述固体电解质的体积相对于所述多孔质硅粒子的体积的比例为0.5%以上且小于15%。

3.根据权利要求1或2所述的负极活性物质,其中,所述碳材料的体积相对于所述多孔质硅粒子的体积的比例为0.01%以上且小于20%。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的负极活性物质,其中,所述碳材料包含多个纳米粒子。

5.根据权利要求4所述的负极活性物质,其中,所述多个纳米粒子的平均粒径为50nm以下。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的负极活性物质,其中,所述碳材料具有将所述细孔内表面的至少一部分覆盖的薄膜的形状。

7.根据权利要求6所述的负极活性物质,其中,所述碳材料的所述薄膜的平均厚度为50nm以下。

8.根据权利要求1~7中任一项所述的负极活性物质,其中,所述固体电解质具有将所述细孔内表面的至少一部分覆盖的薄膜的形状。

9.根据权利要求8所述的负极活性物质,其中,所述固体电解质的所述薄膜的平均厚度为30nm以下。

10.一种电池,其具备负极、正极以及配置于所述负极与所述正极之间的电解质层,

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种负极活性物质,其包含多孔质硅粒子、固体电解质及碳材料,

2.根据权利要求1所述的负极活性物质,其中,所述固体电解质的体积相对于所述多孔质硅粒子的体积的比例为0.5%以上且小于15%。

3.根据权利要求1或2所述的负极活性物质,其中,所述碳材料的体积相对于所述多孔质硅粒子的体积的比例为0.01%以上且小于20%。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的负极活性物质,其中,所述碳材料包含多个纳米粒子。

5.根据权利要求4所述的负极活性物质,其中,所述多个纳米粒子的平均粒径为50nm以下。

【专利技术属性】
技术研发人员:矢部裕城平濑征基大友崇督
申请(专利权)人:松下控股株式会社
类型:发明
国别省市:

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