一种超晶格红外探测器焦平面芯片结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种超晶格红外探测器焦平面芯片结构及其制备方法，属于超晶格红外探测器焦平面芯片技术领域；所要解决的技术问题为：提供一种超晶格红外探测器焦平面芯片结构及其制备方法的改进；解决该技术问题采用的技术方案为：包括由GaSb材料制备的衬底，在衬底上依次生长有p型缓冲层、p型接触层和p型吸收层；在p型吸收层上还生长有M型势垒层，在M型势垒层上还生长有n型接触层；所述n型接触层上还生长有n型盖层；本发明专利技术应用于超晶格红外探测器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供一种超晶格红外探测器焦平面芯片结构及其制备方法，属于超晶格红外探测器焦平面芯片。

技术介绍

1、由于具备可穿透烟雾、抗干扰能力强以及全天候工作等功能优点，红外探测器在多个领域得到广泛应用；其中ⅱ类超晶格红外探测器是近年来兴起的一种新型红外探测器，是制备新一代红外探测器的优选材料，随着新需求的不断发展，ⅱ类超晶格红外探测器也呈现出良好的市场应用前景。

2、如图1所示，目前ⅱ类超晶格红外探测器的制作流程主要为：在gasb衬底上mbe外延生长所需的外延材料，涂胶光刻显影制作对应的焦平面图形掩膜，通过干法刻蚀刻出对应的焦平面台面，通过pecvd等离子体增强化学气相沉积工艺制作钝化膜，再次涂胶光刻显影制作所需的钝化膜开孔掩膜，通过rie刻蚀钝化膜进行开孔，再次涂胶光刻显影制作金属电极所需的图形，电子束蒸发金属电极，用有机溶液剥离多余的光刻胶及其之上的多余金属完成所需特定图形的电极金属；之后进行铟柱图形光刻，蒸发金属铟，剥离后完成铟柱制作；铟柱制作后通过倒装焊与读出电路芯片进行互联，之后进行填胶工艺；填胶完成后通过cmp（机械化学研磨抛光）工本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种超晶格红外探测器焦平面芯片结构，其特征在于：包括由GaSb材料制备的衬底（1），在衬底（1）上依次生长有p型缓冲层（2）、p型接触层（3）和p型吸收层（4）；

2.根据权利要求1所述的一种超晶格红外探测器焦平面芯片结构的制备方法，其特征在于：包括如下的制备步骤：

3.根据权利要求2所述的一种超晶格红外探测器焦平面芯片结构的制备方法，其特征在于：所述步骤二中采用的光刻工艺的具体方法为：

4.根据权利要求3所述的一种超晶格红外探测器焦平面芯片结构的制备方法，其特征在于：所述步骤二中采用感应耦合等离子刻蚀工艺的工艺条件具体设定为：

5.根...

【技术特征摘要】

1.一种超晶格红外探测器焦平面芯片结构，其特征在于：包括由gasb材料制备的衬底（1），在衬底（1）上依次生长有p型缓冲层（2）、p型接触层（3）和p型吸收层（4）；

2.根据权利要求1所述的一种超晶格红外探测器焦平面芯片结构的制备方法，其特征在于：包括如下的制备步骤：

3.根据权利要求2所述的一种超晶格红外探测器焦平面芯片结构的制备方法，其特征在于：所述步骤二中采用的光刻工艺的具体方法为：

4.根据权利要求3所述的一种超晶格红外探测器焦平面芯片结构的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：文晋，薛建凯，苏莹，冯伟，李斌，陈龙华，张培峰，
申请(专利权)人：山西创芯光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：