【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开大体上涉及基于氮化物的半导体装置。更明确地说，本公开涉及一种基于氮化物的半导体装置，该基于氮化物的半导体装置具有介电层以调制势垒层上的等效介电常数分布。
技术介绍
1、近年来，对高电子迁移率晶体管(hemt)的大量研究盛行，特别是针对高功率开关和高频应用。iii族氮化物基hemt利用具有不同带隙的两种材料之间的异质结界面以形成量子阱状结构，其容纳二维电子气(2deg)区域，满足高功率/高频率器件的需求。除了hemt之外，具有异质结构的器件的示例还包括异质结双极晶体管(hbt)、异质结场效应晶体管(hfet)和调制掺杂的fet(modfet)。
技术实现思路
1、根据本公开的一个方面，提供了一种基于氮化物的半导体器件。该基于氮化物的半导体器件包括第一基于氮化物的半导体层、第二基于氮化物的半导体层、掺杂的基于氮化物的半导体层、钝化层、第一介电层、第二介电层和第一场板。第二基于氮化物的半导体层设置在第一基于氮化物的半导体层上，并且具有比第一基于氮化物的半导体层的带隙大的带隙。掺杂的基于氮化物的半导体层设置在第二基于氮化物的半导体层上。钝化层覆盖第三基于氮化物的半导体层。第一介电层设置在钝化层内并邻接钝化层。第二介电层设置在钝化层内并邻接钝化层，其中第一介电层和第二介电层彼此分离。第一场板在第二基于氮化物的半导体层和第一介电层上方横向延伸。
2、根据本公开的一个方面，提供了一种用于制造基于氮化物的器件的方法。该方法包括如下步骤。形成第一基于氮化物的半导体层。在第一基于氮化
3、根据本公开的一个方面，提供了一种基于氮化物的半导体器件。该基于氮化物的半导体器件包括第一基于氮化物的半导体层、第二基于氮化物的半导体层、掺杂的基于氮化物的半导体层、钝化层、第一场板和第一介电层。第二基于氮化物的半导体层设置在第一基于氮化物的半导体层上，并且具有比第一基于氮化物的半导体层的带隙大的带隙。掺杂的基于氮化物的半导体层设置在第二基于氮化物的半导体层上。钝化层覆盖第三基于氮化物的半导体层。第一场板在第二基于氮化物的半导体层上横向延伸。第一介电层设置在第二基于氮化物的半导体层和第一场板之间并与第二基于氮化物的半导体层接触。
4、通过应用由第一介电层和第二介电层提供的上述配置，调整第二基于氮化物的半导体层上的等效介电常数分布，从而可以避免不希望的缺陷，例如电介质上的意外寄生电容、击穿。因此，第一场板至少可以稳定地操作并且很好地运行，以符合器件设计。
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1.一种基于氮化物的半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，所述第二介电层位于所述第一介电层与所述漏电极之间。
4.根据权利要求2所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，所述掺杂的基于氮化物的半导体层与所述第一介电层之间的距离小于所述漏电极与所述第二介电层之间的距离。
5.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，所述第一场板与所述第二场板彼此水平重叠。
7.根据权利要求5所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，所述第一场板和所述第二场板具有不同的延伸长度。
8.根据权利要求5所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，所述第一场板和所述第二场板具有相同的厚度。
9.根据权利要求5所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，沿垂直于所述钝化层的方向观看，所述第一场板和所述第二场板具有
10.根据权利要求5所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，所述第一场板与所述第二场板之间的距离小于所述第一介电层与所述第二介电层之间的距离。
11.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，所述第一介电层和所述第二介电层具有不同的介电常数。
12.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，所述第一介电层和所述钝化层具有不同的介电常数。
13.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，所述第一场板从所述第一介电层延伸到所述钝化层。
14.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，所述第一场板进一步延伸以覆盖所述第一介电层和所述第二介电层。
15.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，所述第一场板在低于所述钝化层的上表面的位置与所述第一介电层形成界面。
16.一种用于制造基于氮化物的半导体器件的方法，其特征在于，包括：
17.根据权利要求16所述的用于制造基于氮化物的半导体器件的方法，其特征在于，还包括：
18.根据权利要求17所述的用于制造基于氮化物的半导体器件的方法，其特征在于，还包括：
19.根据权利要求16所述的用于制造基于氮化物的半导体器件的方法，其特征在于，还包括：
20.根据权利要求16所述的用于制造基于氮化物的半导体器件的方法，其特征在于，使所述介电结构变薄以使得所述第一介电层和所述第二介电层具有小于所述钝化层的厚度。
21.一种基于氮化物的半导体器件，其特征在于，包括：
22.根据权利要求21所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，所述第一介电层和所述钝化层具有不同的介电常数。
23.根据权利要求21所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，所述第一场板与所述第一介电层和所述钝化层接触。
24.根据权利要求21所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，还包括：
25.根据权利要求24所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，所述第二场板与所述第二介电层和所述钝化层接触。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基于氮化物的半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，所述第二介电层位于所述第一介电层与所述漏电极之间。
4.根据权利要求2所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，所述掺杂的基于氮化物的半导体层与所述第一介电层之间的距离小于所述漏电极与所述第二介电层之间的距离。
5.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，所述第一场板与所述第二场板彼此水平重叠。
7.根据权利要求5所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，所述第一场板和所述第二场板具有不同的延伸长度。
8.根据权利要求5所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，所述第一场板和所述第二场板具有相同的厚度。
9.根据权利要求5所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，沿垂直于所述钝化层的方向观看，所述第一场板和所述第二场板具有不同的边缘轮廓。
10.根据权利要求5所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，所述第一场板与所述第二场板之间的距离小于所述第一介电层与所述第二介电层之间的距离。
11.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，所述第一介电层和所述第二介电层具有不同的介电常数。
12.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其特征在于，所述第一介电层和所述钝化层具有不同的介电常数。
13.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱汉钦，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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