【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件。更具体地，本专利技术涉及一种应用于具有电阻补偿的电路的高电子迁移率晶体管(hemt)半导体器件。
技术介绍
1、近年来，对高电子迁移率晶体管(hemt)的深入研究非常普遍，特别是对于高功率开关和高频应用。hemt利用两种不同带隙材料之间的异质结界面形成类量子阱结构，可容纳二维电子气(2deg)区，满足高功率/频率器件的需求。除hemt之外，具有异质结构的器件的示例还包括异质结双极晶体管(hbt)、异质结场效应晶体管(hfet)和调制掺杂场效应管(modfet)。目前，需要提高hmet器件的良率，从而使其适合大规模生产。
技术实现思路
1、根据本公开的一个方面，提供了一种基于氮化物的半导体器件。基于氮化物的半导体器件包括第一基于氮化物的晶体管、第二基于氮化物的晶体管和第一电补偿层。第一基于氮化物的晶体管包括第一栅电极和第一源电极。第一栅电极电连接到第一节点。第一源电极电连接至第二节点。第二基于氮化物的晶体管具有与第一基于氮化物的晶体管不同的至少一个电特性。第二基于氮...
【技术保护点】
1.一种基于氮化物的半导体器件，包括：
2.根据前述权利要求中任一项所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述第一基于氮化物的晶体管的电阻不同于所述第二基于氮化物的晶体管的电阻。
3.根据前述权利要求中任一项所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述第一电补偿层被配置为补偿所述第一源电极与所述第二节点之间的等效电阻。
4.根据前述权利要求中任一项所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述第一源电极和所述第二节点之间的等效电阻与所述第二源电极和所述第二节点之间的等效电阻基本相同。
5.根据前述权利要求中任一项所述的基于氮化物的半...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基于氮化物的半导体器件，包括：
2.根据前述权利要求中任一项所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述第一基于氮化物的晶体管的电阻不同于所述第二基于氮化物的晶体管的电阻。
3.根据前述权利要求中任一项所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述第一电补偿层被配置为补偿所述第一源电极与所述第二节点之间的等效电阻。
4.根据前述权利要求中任一项所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述第一源电极和所述第二节点之间的等效电阻与所述第二源电极和所述第二节点之间的等效电阻基本相同。
5.根据前述权利要求中任一项所述的基于氮化物的半导体器件，还包括：
6.根据前述权利要求中任一项所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述第一栅电极、所述第一源电极和所述第一电补偿层设置在所述第二基于氮化物的半导体层上。
7.根据前述权利要求中任一项所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述第一电补偿层包括两个或多个焊盘，所述焊盘相互分离并通过所述2deg区相互电耦合。
8.根据前述权利要求中任一项所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述焊盘中的至少两个具有不同的长度。
9.根据前述权利要求中任一项所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述焊盘与所述第二基于氮化物的半导体层接触。
10.根据前述权利要求中任一项所述的基于氮化物的半导体器件，还包括：嵌入到所述第一基于氮化物的半导体层和所述第二基于氮化物的半导体层中并位于所述第一电补偿层和所述第一源电极之间的隔离结构。
11.根据前述权利要求中任一项所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述隔离结构使所述2deg区不连续。
12.根据前述权利要求中任一项所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜卫星，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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