三维存储器及其编程方法技术

本申请提供了一种三维存储器及其编程方法，三维存储器包括位于多个存储串，每个存储串包括多个存储单元，所述方法包括：将选中的所述存储串除编程存储单元之外的多个存储单元划分成多个非编程存储单元组；以及根据各个非编程存储单元组与编程存储单元的相对距离，向各个非编程存储单元组施加导通电压；其中，非编程存储单元组与编程存储单元的相对距离越大，施加到非编程存储单元组的导通电压越小。通过上述三维存储器的编程方法，可在一定程度上减小非编程存储单元的导通电压的干扰。程度上减小非编程存储单元的导通电压的干扰。程度上减小非编程存储单元的导通电压的干扰。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器及其编程方法


[0001]本申请涉及半导体领域，更具体地，涉及一种三维存储器(3D NAND)的及其编程方法。

技术介绍

[0002]闪存存储器件具有可多次编程、存储密度高、功耗较低、容量大、读写速度快、适用于大量数据的存储等特点，在非易失性类存储领域中显现出强劲的市场竞争力，也得到了越来越广泛的应用。例如，闪存存储器件已经大量广泛应用于智能手机、云端储存、电脑固态硬盘等领域。
[0003]闪存存储器已经广泛使用3D NAND闪存芯片来处理数据。随着存储量的增加，堆叠层数也随之增大，导致在编程过程中，编程干扰更加明显。现有的3D NAND闪存芯片通常采用递进步长脉冲编程(Incremental Step Pulse Programming，简称ISPP)方法进行编程，利用逐步增大的编程电压对闪存存储器件的存储单元进行编程。在整个编程过程中，需要向选中存储串上的编程存储单元施加多个编程电压(Vpgm)，非编程存储单元施加导通电压(Vpass)。编程存储单元上施加的编程电压大，一般为20V左右，非编程存储单元上施加的导通电压小，一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的编程方法，所述三维存储器包括多个存储串，每个所述存储串包括多个存储单元，其特征在于，所述方法包括：将选中的所述存储串中的除编程存储单元之外的多个存储单元划分成多个非编程存储单元组；以及根据各个所述非编程存储单元组与所述编程存储单元的相对距离，向各个所述非编程存储单元组施加导通电压；其中，所述非编程存储单元组与所述编程存储单元的相对距离越大，施加到所述非编程存储单元组的导通电压越小。2.根据权利要求1所述的方法，其中，每个所述非编程存储单元组包含的非编程存储单元的数量相同。3.根据权利要求1所述的方法，其中，在多个所述非编程存储单元组中，至少两个非编程存储单元组包含的非编程存储单元的数量不同。4.根据权利要求1所述的方法，其中，向所述非编程存储单元组施加的导通电压大于等于其初始导通电压。5.根据权利要求1
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4中任一项所述的方法，其中，所述非编程存储单元组包括处于存储状态的非编程存储单元组和处于非存储状态的非编程存储单元组，其中，对于与所述编程存储单元距离相等的非编程存储单元组，施加到处于存储状态的所述非编程存储单元组的导通电压大于等于施加到处于非存储状态的所述非编程存储单元组的导通电压。6.一种三维存储器，其特征在于，包括：存储阵列，包括多个存储串，每个所述存储串包括多个存储单...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏镜，王瑜，栗山正男，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：