在共享通道的双方向上发送数据的存储设备及其操作方法技术

一种操作存储设备的方法，该存储设备包括连接到单个通道的第一存储器设备和第二存储器设备以及存储器控制器，该方法包括：通过单个通道中的数据信号线将从第一存储器设备输出的第一数据发送到存储器控制器；以及在存储器控制器接收第一数据的同时通过数据信号线向第二存储器设备发送命令，其中，数据信号线的电压电平是基于该命令的，并且第一存储器设备的第一数据被加载到数据信号线上，并且第一数据和命令在数据信号线的两个方向上被发送。数据和命令在数据信号线的两个方向上被发送。数据和命令在数据信号线的两个方向上被发送。

Storage device and its operation method for sending data up on both sides of the shared channel

【技术实现步骤摘要】
在共享通道的双方向上发送数据的存储设备及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年1月21日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2021
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0008793号的优先权，其公开内容通过引用整体结合于此。


[0003]本专利技术构思涉及半导体设备，并且更具体地，涉及在共享通道的两个方向上同时发送具有嵌入命令的数据的存储设备，以及操作该存储设备的方法。

技术介绍

[0004]使用半导体芯片的系统可以采用存储器控制器和存储设备。诸如动态随机访问存储器(dynamic random
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access memory，DRAM)的易失性存储器可以用作系统的操作存储器或主存储器，并且非易失性存储器可以用作作为存储介质来存储由系统内主机使用的数据或指令和/或执行计算操作的存储设备。存储设备可以包括多个非易失性存储器。随着存储设备容量的增加，需要提高非易失性存储器的数据输入/输出效率，以提供对大量数据的稳定和快速的实时处理。
[0005]存储设备可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种操作存储设备的方法，所述存储设备包括连接到单个通道的第一存储器设备和第二存储器设备以及存储器控制器，所述方法包括：通过所述单个通道中的数据信号线将从第一存储器设备输出的第一数据发送到存储器控制器；以及在存储器控制器接收第一数据的同时，通过所述数据信号线向第二存储器设备发送针对第二存储器设备的命令，其中，所述数据信号线的电压电平是基于所述命令的，并且所述第一存储器设备的第一数据被加载到所述数据信号线上，并且所述第一数据和所述命令在所述数据信号线的两个方向上被发送。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一数据是以第一频率的传输速率被发送到存储器控制器的，并且所述命令是以第二频率的传输速率被发送到第二存储器设备的，其中，所述第一频率高于所述第二频率。3.根据权利要求1所述的方法，其中，当针对第二存储器设备的命令信号比特为逻辑高时，数据信号线的状态被改变为高电压电平的状态，并且当所述命令信号比特为逻辑低时，数据信号线的状态被改变为低电压电平的状态，其中，所述高电压电平高于在存储设备的供电电压电平和地电压电平之间的第二参考电压电平，并且所述低电压电平低于所述第二参考电压电平。4.根据权利要求3所述的方法，还包括：由存储器控制器提取与通过数据信号线接收到的第一数据相对应的内部数据，其中，提取内部数据包括：由存储器控制器将在低电压电平状态下被加载到数据信号线上的第一数据与低于第二参考电压电平的第一参考电压电平进行比较，并输出内部数据；以及由存储器控制器将在高电压电平状态下被加载到数据信号线上的第一数据与高于第二参考电压电平的第三参考电压电平进行比较，并输出内部数据。5.根据权利要求3所述的方法，还包括：由第二存储器设备提取与通过数据信号线接收到的针对第二存储器设备的命令相对应的内部命令，其中，提取内部命令包括：由第二存储器设备将加载到数据信号线上的针对第二存储器设备的命令与第二参考电压电平进行比较，并输出内部命令。6.根据权利要求1所述的方法，还包括：由存储器控制器向第一存储器设备发送第一页读取命令；响应于第一页读取命令，由第一存储器设备对存储器单元执行第一页读取操作；以及在执行第一页读取操作之后，由存储器控制器向第一存储器设备发送第一随机读取命令，其中，所述第一存储器设备响应于第一随机读取命令将第一数据发送到存储器控制器，并且针对第二存储器设备的命令是施加到第二存储器设备的第二随机读取命令。7.根据权利要求6所述的方法，还包括：在将第一页读取命令发送到第一存储器设备之后，由存储器控制器将第二页读取命令
发送到第二存储器设备；以及响应于第二页读取命令，由第二存储器设备对存储器单元执行第二页读取操作，其中，在第二页读取操作被执行之后，当第一存储器设备的第一数据通过数据信号线被输出时，第二随机读取命令被发送到第二存储器设备。8.一种操作存储设备的方法，所述存储设备包括连接到单个通道的第一存储器设备和第二存储器设备以及存储器控制器，所述方法包括：通过所述单个通道中的数据信号线将从第一存储器设备输出的第一数据发送到存储器控制器；以及在存储器控制器接收第一数据的同时，通过所述数据信号线将用于第二存储器设备的写入数据发送到第二存储器设备，其中，所述数据信号线的电压电平是基于所述写入数据的，并且所述第一数据被加载到所述数据信号上，并且所述第一数据和所述写入数据在所述单个通道中的所述数据信号线的两个方向上被发送。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一数据是以第一频率的传输速率被发送到存储器控制器的，并且所述写入数据是以第二频率的传输速率被发送到第二存储器设备的，其中，所述第一频率高于所述第二频率。10.根据权利要求8所述的方法，其中，当用于第二存储器设备的写入数据比特为逻辑高时，数据信号线的状态被改变为高电压电平的状态，并且当所述写入数据比特为逻辑低时，数据信号线的状态被改变为低电压电平的状态，其中，所述高电压电平高于存储设备的供电电压电平和地电压电平之间的第二参考电压电平，并且所述低电压电平低于所述第二参考电压电平。11.根据权利要求10所述的方法，还包括：由存储器控制器提取与通过所述数据信号线接收到的第一数据相对应的内部数据，其中，提取内部数据包括：由存储器控制器将在低电压电平状态下被加载到所述数据信号线上的第一数据与低于第二参考电压电平的第一参考电压电平进行比较，并输出所述内部数据；以及由存储器控制器将在高电压电平状态下被加载到所述数据信号线上的第一数据与高于第二参考电压电平的第三参考电压电平进行比较，并输出所述内部数据。12.根据权利要求10所述的方法，还包括：由第二存储器设备提取与通过所述数据信号线接收到的写入数据相对应的内部写入数据，其中，提取内部写入数据包括：由第二存储器设备将加载到数据信号线上的写入数据与第二参考电压电平进行比较，并输出内部写入数据。13.一种用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹永慜，金东成，尹治元，李善奎，郑秉勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：