一种半导体碱蚀刻的转动装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种半导体碱蚀刻的转动装置，其结构包括基座，其结构还包括升降气缸和旋转电机，基座的顶部设有平行于水平面的固定板，固定板的下方设有可上下活动的固定块，升降气缸固定在固定板上且输出端和固定块固定连接，固定块的内部设有镂空槽，镂空槽的底部设有转轴，旋转电机固定在镂空槽的内部，旋转电机的输出端和转轴的顶部固定连接，转轴的底部设有半导体的固定槽，本实用新型专利技术证了半导体在蚀刻液中进行充分碱蚀刻。导体在蚀刻液中进行充分碱蚀刻。导体在蚀刻液中进行充分碱蚀刻。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体碱蚀刻的转动装置
[0001]
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[0002]本技术涉及一种半导体的蚀刻
，尤其是一种半导体碱蚀刻的转动装置。
[0003]
技术介绍
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[0004]半导体制程制作出的晶片可广泛地利用于各种应用领域中，晶片的良品率可以直接决定终端产品的质量，因此在晶片的材料以及制作方式上各界均投入大量研究以确保其质量，不论其为何种应用领域的晶片，均须经过多道加工制程后，才能获得实际应用的电子组件或光电组件，晶片加工制程之一就是蚀刻去除晶片表面的氧化膜，随着晶片加工难度及加工要求的提升及晶片的需求提升，出现了一种全自动蚀刻设备，以提升晶片蚀刻的效率及良率，这种蚀刻设备需要采用升降气缸将半导体自动伸入蚀刻液的内部，以达到半导体的自动蚀刻，然而目前蚀刻设备大多只能将半导体静置在蚀刻液中，很难达到对半导体的充分蚀刻。
[0005]
技术实现思路
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[0006]本技术的目的提供一种半导体碱蚀刻的转动装置，解决上述现有技术问题中的一个或者多个。
[0007]为解决上述技术问题，本技术提供一种半导体碱蚀刻的转动装置，其结构包括基座，其创新点在于：其结构还包括升降气缸和旋转电机，基座的顶部设有平行于水平面的固定板，固定板的下方设有可上下活动的固定块，升降气缸固定在固定板上且输出端和固定块固定连接，固定块的内部设有镂空槽，镂空槽的底部设有转轴，旋转电机固定在镂空槽的内部，旋转电机的输出端和转轴的顶部固定连接，转轴的底部设有半导体的固定槽。
[0008]进一步的，上述固定板上开设有四个导向孔，固定块底部的两端设有对称的底板，底板上分别设有两个垂直向上导向杆，导向杆一一贯穿导向孔。
[0009]进一步的，上述升降气缸的输出端设有固定杆，固定板上开设有贯穿孔，固定杆上设有两个固定螺母，固定块上设有延伸在镂空槽内部的固定孔，固定杆延伸在贯穿孔的下方且贯穿固定孔，固定孔夹紧在两个固定螺母之间，固定螺母的直径大于固定孔的口径。
[0010]进一步的，上述贯穿孔的底部设有弹性垫片，固定杆上套设有缓冲弹簧，缓冲弹簧位于弹性垫片和固定螺母之间。
[0011]进一步的，上述转轴的外圆设有固定圆盘，固定块的底部设有圆形槽，固定圆盘上设有若干呈圆形分布的滚珠，滚珠一一滚动设置在圆形槽的内部。
[0012]本技术的有益效果在于：
[0013]1、本技术提供了一种半导体碱蚀刻的转动装置，将需要碱蚀刻的半导体固定在固定槽上，打开升降气缸，带动固定块向下移动，从而使得固定槽上的半导体进入下降到蚀刻液的内部，在半导体碱蚀刻过程中，打开旋转电机，旋转电机带动转轴进行转动，从而带动固定槽上的半导体进行转动，进而保证了半导体在蚀刻液中进行充分碱蚀刻。
[0014]2、本技术提供了一种半导体碱蚀刻的转动装置，镂空槽的设定用于固定旋转电机，而升降气缸输出端则和固定块进行连接，升降气缸和旋转电机通过镂空槽分开保持
独立，从而避免升降气缸的输出端直接作用于旋转电机，起到保护旋转电机的作用。
[0015]3、本技术提供了一种半导体碱蚀刻的转动装置，两个固定螺母的设定方便将固定块可拆卸的安装在升降气缸的输出端上，其次，在固定块向上移动时，当固定螺母靠近固定孔的位置时，固定孔的大小能够限制固定螺母向上移动，从而避免固定块和固定板之间经常接触，起到保护固定块或者固定板的作用。
[0016]附图说明：
[0017]图1为本技术的等轴测图。
[0018]图2为本技术升降气缸和镂空槽之间连接的结构图。
[0019]图3为本技术固定圆盘在固定块底部的连接结构图。
[0020]具体实施方式：
[0021]为了加深对本技术的理解，下面将结合实施例和附图对本技术作进一步详述，该实施例仅用于解释本技术，并不构成对本技术保护范围的限定。
[0022]如图1到图2为本技术的一种具体实施方式，其结构包括基座1，其结构还包括升降气缸2和旋转电机3，基座1的顶部设有平行于水平面的固定板11，固定板11的下方设有可上下活动的固定块12，升降气缸2固定在固定板11上且输出端和固定块12固定连接，固定块12的内部设有镂空槽121，镂空槽121的底部设有转轴122，旋转电机3固定在镂空槽121的内部，旋转电机3的输出端和转轴122的顶部固定连接，转轴122的底部设有半导体的固定槽123。
[0023]在本技术中，半导体碱蚀刻的工作原理如下：将需要碱蚀刻的半导体固定在固定槽123上，打开升降气缸2，带动固定块12向下移动，从而使得固定槽123上的半导体进入下降到蚀刻液的内部，在半导体碱蚀刻过程中，打开旋转电机3，旋转电机3带动转轴122进行转动，从而带动固定槽123上的半导体进行转动，进而保证了半导体在蚀刻液中进行充分碱蚀刻。
[0024]在本技术中，镂空槽121的设定用于固定旋转电机3，而升降气缸2输出端则和固定块12进行连接，升降气缸2和旋转电机3通过镂空槽121分开保持独立，从而避免升降气缸2的输出端直接作用于旋转电机3，起到保护旋转电机3的作用。
[0025]在本技术中，作为优选方案，上述固定板11上开设有四个导向孔4，固定块12底部的两端设有对称的底板41，底板41上分别设有两个垂直向上导向杆42，导向杆42一一贯穿导向孔4。
[0026]在本技术中，在固定块12上下活动过程中，导向杆42在导向孔4的内部上下移动，从而保证了固定块12上下活动的稳定性。
[0027]在本技术中，作为优选方案，上述升降气缸2的输出端设有固定杆5，固定板11上开设有贯穿孔51，固定杆5上设有两个固定螺母52，固定块12上设有延伸在镂空槽121内部的固定孔53，固定杆5延伸在贯穿孔51的下方且贯穿固定孔53，固定孔53夹紧在两个固定螺母52之间，固定螺母52的直径大于固定孔53的口径。
[0028]在本技术中，两个固定螺母52的设定方便将固定块12可拆卸的安装在升降气缸2的输出端上，其次，在固定块12向上移动时，当固定螺母52靠近固定孔53的位置时，固定孔53的大小能够限制固定螺母52向上移动，从而避免固定块12和固定板11之间经常接触，起到保护固定块12或者固定板11的作用。
[0029]在本技术中，作为优选方案，上述贯穿孔51的底部设有弹性垫片6，固定杆5上套设有缓冲弹簧61，缓冲弹簧61位于弹性垫片6和固定螺母52之间。
[0030]在本技术中，在固定螺母52靠近固定孔53时，缓冲弹簧61会抵触在弹性垫片6上，从而使得固定螺母52和固定孔53之间有所缓冲，从而对固定孔53起到保护的作用。
[0031]在本技术中，作为优选方案，上述转轴122的外圆设有固定圆盘7，固定块12的底部设有圆形槽71，固定圆盘7上设有若干呈圆形分布的滚珠72，滚珠72一一滚动设置在圆形槽71的内部。
[0032]在本技术中，在转轴122带动固定槽123进行转动时，固本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体碱蚀刻的转动装置，其结构包括基座（1），其特征在于：其结构还包括升降气缸（2）和旋转电机（3），所述基座（1）的顶部设有平行于水平面的固定板（11），所述固定板（11）的下方设有可上下活动的固定块（12），所述升降气缸（2）固定在所述固定板（11）上且输出端和所述固定块（12）固定连接，所述固定块（12）的内部设有镂空槽（121），所述镂空槽（121）的底部设有转轴（122），所述旋转电机（3）固定在所述镂空槽（121）的内部，所述旋转电机（3）的输出端和所述转轴（122）的顶部固定连接，所述转轴（122）的底部设有半导体的固定槽（123）。2.根据权利要求1所述的一种半导体碱蚀刻的转动装置，其特征在于：所述固定板（11）上开设有四个导向孔（4），所述固定块（12）底部的两端设有对称的底板（41），所述底板（41）上分别设有两个垂直向上导向杆（42），所述导向杆（42）一一贯穿所述导向孔（4）。3.根据权利要求1所述的一种半导体碱蚀刻的转动装置，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱恺华，王百强，赵正东，
申请(专利权)人：南通伟腾半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：