本实用新型专利技术涉及半导体设备技术领域，具体是一种用于碳化硅晶片腐蚀装置。本实用新型专利技术包括包括主体框架，所述主体框架上端固定连接有上支架，所述上支架下表面设置有气缸，且气缸的伸缩端固定连接有第一支架。该一种用于碳化硅晶片腐蚀装置晶片框架里可一次放置多个晶片，提高工作效率，夹头通过双向丝杆滑台的两个移动端，对晶片框架进行夹持，四个夹头共同配合，使夹持更加稳固，夹头通过液压杆的伸缩端，可对不同长度的晶片框架进行夹持，晶片框架通过气缸的伸缩端延伸，可将晶片框架放入腐蚀桶内，对晶片进行腐蚀作业，晶片框架通过气缸的伸缩端收缩，使腐蚀完成的晶片脱离腐蚀桶，无需人工操作，方便快捷，减少危险。减少危险。减少危险。
【技术实现步骤摘要】
一种用于碳化硅晶片腐蚀装置
[0001]本技术涉及半导体设备
，具体是一种用于碳化硅晶片腐蚀装置。
技术介绍
[0002]碳化硅是继第一代半导体Si、第二代半导体GaAs，InP等之后发展起来的重要的第三代半导体材料，具有禁带宽度大，热导率高、电子饱和漂移速率大、临界击穿电场高和相对介电常数低等的特点，在高温、高频、大功率、微电子器件等方面和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势，因此,碳化硅是微电子、电力电子和光电子等高新技术进入21世纪后赖以持续发展的重要半导体材料之一，近年来迅速渗透到照明，电力器件，微波射频等，已成为国际关注的焦点，在下一代功率器件的制造和外延生长中，对单晶材料质量有严格的要求，因此，要确认碳化硅衬底质量好坏需要对碳化硅衬底进行腐蚀，观察缺陷分布(碳化硅缺陷主要为：MPD、TSD、TED、BPD)，判断缺陷好坏决定是否继续往下加工，减少后段加工成本损失且能从源头直接杜绝碳化硅晶片品质。
[0003]人员在高温强腐蚀的操作环境中，容易造成人员烧伤和危，传统承载装置中晶片水平放置，在浸入熔融的腐蚀液中由于表面张力作用，到最后碳化硅晶片很难及时的完全被腐蚀液浸没，导致晶片不同区域腐蚀不均匀，当腐蚀完成时，晶片从腐蚀液取出时，腐蚀液附着在晶片表面不能及时脱离，容易造成晶片破片或过度腐蚀等异常现象，针对上述情况，我们推出了一种用于碳化硅晶片腐蚀装置。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种用于碳化硅晶片腐蚀装置，以解决上述
技术介绍
中提出人员在高温强腐蚀的操作环境中，容易造成人员烧伤和危，传统承载装置中晶片水平放置，在浸入熔融的腐蚀液中由于表面张力作用，到最后碳化硅晶片很难及时的完全被腐蚀液浸没，导致晶片不同区域腐蚀不均匀，当腐蚀完成时，晶片从腐蚀液取出时，腐蚀液附着在晶片表面不能及时脱离，容易造成晶片破片或过度腐蚀等异常现象的问题。
[0005]本技术的技术方案是：
[0006]包括主体框架，所述主体框架上端固定连接有上支架，所述上支架下表面设置有气缸，且气缸的伸缩端固定连接有第一支架，所述第一支架有两个支臂，且支臂外壁设置有液压杆，所述液压杆的伸缩端固定连接有第二支架，且第二支架内设置有双向丝杆滑台，所述双向丝杆滑台的移动端外壁固定连接有夹头，且夹头外壁设置有晶片框架，所述主体框架内放置有腐蚀桶。
[0007]进一步的，所述上支架内设置有丝杆滑台，所述丝杆滑台的移动端外壁固定连接有气缸。
[0008]进一步的，所述第一支架内壁固定连接有电机，且电机的输出端设置有主动齿轮，所述第一支架内壁固定连接有轴承，且轴承内壁设置有齿纹，所述主动齿轮啮合轴承内壁，所述轴承内壁固定连接有液压杆。
[0009]进一步的，所述主体框架内部放置有储水桶，所述主体框架外壁连通有金属水管，且金属水管外壁连通有喷头，所述喷头均匀分布在金属水管外壁，所述储水桶设置在金属水管的下方，且储水桶的中垂线与腐蚀桶的中垂线相重合。
[0010]进一步的，所述主体框架内部放置有传送带，且传送带放置于腐蚀桶的右边。
[0011]进一步的，所述主体框架外壁连通有气管，且气管外壁连通有出风口，所述出风口均匀分布在气管外壁，所述气管的一端固定连接右气泵，且气泵放置在主体框架的右方。
[0012]本技术通过改进在此提供一种用于碳化硅晶片腐蚀装置，与现有技术相比，具有如下改进及优点：
[0013]其一：本技术，晶片框架里可一次放置多个晶片，提高工作效率，夹头通过双向丝杆滑台的两个移动端，对晶片框架进行夹持，四个夹头共同配合，使夹持更加稳固，夹头通过液压杆的伸缩端，可对不同长度的晶片框架进行夹持，晶片框架通过气缸的伸缩端延伸，可将晶片框架放入腐蚀桶内，对晶片进行腐蚀作业，晶片框架通过气缸的伸缩端收缩，使腐蚀完成的晶片脱离腐蚀桶，无需人工操作，方便快捷，减少危险。
[0014]其二：本技术，夹头通过旋转，可调整夹头位置对传送带上的晶片框架进行夹取，也可对清洗完成的晶片框架进行承接，完成上料和下料的过程，无需人工操作，减少成本，提高效率，最后出风口通过气泵输出端工作，可对传送带上清洗完成的晶片框架进行风干，保证晶片的干燥。
附图说明
[0015]下面结合附图和实施例对本技术作进一步解释:
[0016]图1是本技术正视结构示意图；
[0017]图2是本技术晶片框架结构示意图；
[0018]图3是本技术电机剖视结构示意图；
[0019]图4是本技术俯视结构示意图。
[0020]附图标记说明：1、主体框架；2、上支架；3、丝杆滑台；4、气缸；5、第一支架；6、轴承；7、电机；8、主动齿轮；9、液压杆；10、第二支架；11、双向丝杆；12、储水桶；13、金属水管；14、喷头；15、气泵；16、出风口；17、气管；18、传送带；19、晶片框架；20、腐蚀桶；21、夹头。
具体实施方式
[0021]下面对本技术进行详细说明，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0022]本技术通过改进在此提供一种用于碳化硅晶片腐蚀装置，如图1
‑
图2所示，包括主体框架1，主体框架1上端固定连接有上支架2，上支架2下表面设置有气缸4，且气缸4的伸缩端固定连接有第一支架5，第一支架5有两个支臂，且支臂外壁设置有液压杆9，液压杆9的伸缩端固定连接有第二支架10，且第二支架10内设置有双向丝杆滑台11，双向丝杆滑台11的移动端外壁固定连接有夹头21，且夹头21外壁设置有晶片框架19，主体框架1内放置有腐蚀桶20，晶片框架19里可一次放置多个晶片，提高工作效率，夹头21通过双向丝杆滑台11
的两个移动端，对晶片框架19进行夹持，四个夹头21共同配合，使夹持更加稳固，夹头21通过液压杆9的伸缩端，可对不同长度的晶片框架19进行夹持，晶片框架19通过气缸4的伸缩端延伸，可将晶片框架19放入腐蚀桶20内，对晶片进行腐蚀作业，晶片框架19通过气缸4的伸缩端收缩，使腐蚀完成的晶片脱离腐蚀桶20，无需人工操作，方便快捷，减少危险。
[0023]如图3
‑
图4所示，上支架2内设置有丝杆滑台3，丝杆滑台3的移动端外壁固定连接有气缸4，夹头21通过丝杆滑台3的移动端，可使夹头21在腐蚀桶20上方左右移动，第一支架5内壁固定连接有电机7，且电机7的输出端设置有主动齿轮8，第一支架5内壁固定连接有轴承6，且轴承6内壁设置有齿纹，主动齿轮8啮合轴承6内壁，轴承6内壁固定连接有液压杆9，夹头21通过电机7的伸缩端，可使夹持的晶片框架19进行旋转，使腐蚀完的晶片框架19上留存的腐蚀液进行旋转脱离，防止晶片破片或过度腐蚀，主体框架1内部放本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于碳化硅晶片腐蚀装置，其特征在于：包括主体框架(1)，所述主体框架(1)上端固定连接有上支架(2)，所述上支架(2)下表面设置有气缸(4)，且气缸(4)的伸缩端固定连接有第一支架(5)，所述第一支架(5)有两个支臂，且支臂外壁设置有液压杆(9)，所述液压杆(9)的伸缩端固定连接有第二支架(10)，且第二支架(10)内设置有双向丝杆滑台(11)，所述双向丝杆滑台(11)的移动端外壁固定连接有夹头(21)，且夹头(21)外壁设置有晶片框架(19)，所述主体框架(1)内放置有腐蚀桶(20)。2.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅晶片腐蚀装置，其特征在于：所述上支架(2)内设置有丝杆滑台(3)，所述丝杆滑台(3)的移动端外壁固定连接有气缸(4)。3.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅晶片腐蚀装置，其特征在于：所述第一支架(5)内壁固定连接有电机(7)，且电机(7)的输出端设置有主动齿轮(8)，所述第一支架(5)内壁固定连接有轴承(6)，且轴承(6)内壁设置有齿纹...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚志勇，贺贤汉，李有群，陈辉，吴寒，
申请(专利权)人：安徽微芯长江半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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