发光器件和包括其的显示装置制造方法及图纸

提供了一种发光器件和包括其的显示装置，该发光器件包括：主体，包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极和第二电极，提供在主体的第一表面上，第一电极和第二电极分别与第一半导体层和第二半导体层接触；以及第三电极和第四电极，提供在主体的第二表面上，第三电极和第四电极分别与第一半导体层和第二半导体层接触。半导体层接触。半导体层接触。

【技术实现步骤摘要】
发光器件和包括其的显示装置


[0001]本公开的示例实施方式涉及发光器件、包括该发光器件的显示装置、以及制造该发光器件和该显示装置的方法。

技术介绍

[0002]发光器件(LED)作为与相关技术的光源相比具有诸如寿命长、功耗低、响应速度快和环境友好等优点的下一代光源被知晓，并在各种产品(诸如照明设备和显示装置的背光)中使用。特别地，诸如氮化镓(GaN)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化铟镓(InGaN)和氮化铟铝镓(InAlGaN)的基于III族氮化物的LED用作输出光的发光器件。

技术实现思路

[0003]一个或更多个示例实施方式提供了具有布置在其两个表面上的电极的发光器件和制造该发光器件的方法。
[0004]一个或更多个示例实施方式还提供了包括具有布置在其两个表面上的电极的发光器件的显示装置和制造该显示装置的方法。
[0005]额外的方面将部分地在以下描述中阐述，并将部分地自该描述明显，或者可以通过本公开的示例实施方式的实践而获知。
[0006]根据示例实施方式的一方面，提供了一种发光器件，其包括：主体，包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极和第二电极，提供在主体的第一表面上，第一电极和第二电极分别与第一半导体层和第二半导体层接触；以及第三电极和第四电极，提供在主体的第二表面上，第三电极和第四电极分别与第一半导体层和第二半导体层接触。
[0007]发光器件还可以包括穿过主体的通孔，其中第一电极经由通孔与第三电极接触。
[0008]发光器件还可以包括提供在通孔的内壁上的第一绝缘层。
[0009]第一绝缘层可以延伸到主体的所述第二表面并与第四电极接触。
[0010]第一电极可以提供在通孔的内部。
[0011]第一电极可以在主体的厚度方向上与第三电极的至少一部分重叠。
[0012]第二电极可以在主体的厚度方向上与第四电极的至少一部分重叠。
[0013]发光器件还可以包括穿过第一半导体层和有源层并暴露第二半导体层的第一沟槽，其中第二电极经由第一沟槽与第二半导体层接触。
[0014]发光器件还包括提供在所述第一沟槽的内壁上的第二绝缘层。
[0015]第二绝缘层可以延伸到主体的第一表面并与第一电极接触。
[0016]第二电极可以提供在第一沟槽的内部。
[0017]第一电极、第二电极、第三电极和第四电极中的至少一个可以关于发光器件的中心轴线对称。
[0018]第一电极、第二电极、第三电极和第四电极中的至少一个可以具有圆形截面形状。
[0019]第一电极、第二电极、第三电极和第四电极中的至少一个可以具有环形截面形状。
[0020]第一电极、第二电极、第三电极和第四电极中的至少一个可以是透明的。
[0021]发光器件还可以包括在主体的第一表面中提供在第一电极和第二电极之间的第二沟槽。
[0022]主体在水平方向上的宽度可以大于主体在垂直方向上的厚度。
[0023]根据示例实施方式的另一方面，提供了一种显示装置，其包括：显示层，包括多个发光器件；以及驱动层，包括分别电连接到所述多个发光器件的多个晶体管，驱动层配置为驱动所述多个发光器件，其中所述多个发光器件中的至少一个包括：主体，包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极和第二电极，提供在主体的第一表面上，第一电极和第二电极分别与第一半导体层和第二半导体层接触；以及第三电极和第四电极，提供在主体的第二表面上，第三电极和第四电极分别与第一半导体层和第二半导体层接触。
[0024]所述多个发光器件中的至少一个还可以包括穿过主体的通孔，第一电极可以经由通孔与第三电极接触。
[0025]显示装置还可以包括提供在通孔的内壁上的第一绝缘层。
[0026]所述多个发光器件中的至少一个还可以包括穿过第一半导体层和有源层并暴露第二半导体层的第一沟槽，第二电极可以经由第一沟槽与第二半导体层接触。
[0027]显示装置还可以包括提供在第一沟槽的内壁上的第二绝缘层。
[0028]第一电极和第三电极之一可以电连接到驱动层，第二电极和第四电极之一可以电连接到驱动层。
[0029]根据示例实施方式的另一方面，提供了一种发光器件，其包括：主体，包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极和第二电极，提供在主体的第一表面上，第一电极和第二电极分别与第一半导体层和第二半导体层接触；第三电极和第四电极，提供在主体的第二表面上，第三电极和第四电极分别与第一半导体层和第二半导体层接触；以及贯穿主体的通孔，其中第一电极经由通孔与第三电极接触，以及其中第一电极在主体的厚度方向上与第三电极的至少一部分重叠。
附图说明
[0030]本公开的示例实施方式的以上和/或其它方面、特征和优点将由以下结合附图的描述更加明显，附图中:
[0031]图1A是根据一示例实施方式的发光器件的截面图；
[0032]图1B是示出图1A的发光器件的上表面的图；
[0033]图1C是示出图1A的发光器件的下表面的图；
[0034]图2A、图2B、图2C、图2D、图2E、图2F和图2G是示出根据一示例实施方式的制造发光器件的方法的图；
[0035]图3是示出根据另一示例实施方式的发光器件的图；
[0036]图4是示出根据另一示例实施方式的发光器件的图；
[0037]图5是示出根据另一示例实施方式的发光器件的图；
[0038]图6是示出根据另一示例实施方式的发光器件的图；
[0039]图7是示出根据另一示例实施方式的发光器件的图；
[0040]图8是示出根据另一示例实施方式的发光器件的图；
[0041]图9A、图9B和图9C是示出根据一示例实施方式的将发光器件转移到转移基板的方法的图；
[0042]图10是示出作为相关示例的其中具有仅布置在其一个表面上的电极的发光器件被转移到转移基板的状态的图；
[0043]图11A、图11B、图11C、图11D和图11E是示出根据一示例实施方式的通过使用发光器件来制造显示装置的过程的图；
[0044]图12A、图12B、图12C、图12D和图12E是示出根据另一示例实施方式的通过使用发光器件来制造显示装置的过程的图；以及
[0045]图13是示出根据另一示例实施方式的包括发光器件的显示装置的图。
具体实施方式
[0046]现在将详细参照示例实施方式，其在附图中示出，其中相同的附图标记始终指代相同的元件。就此而言，示例实施方式可以具有不同的形式并且不应被解释为限于在此阐述的描述。因此，下面通过参照附图仅描述示例实施方式来解释各方面。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列举项目的任何和所有组合。诸如“中的至少一个”的表述当在一列元素之后时，修饰整列元素，而不修饰该列中的个别元素。例如，表述“a、b和c中的至少一个”应被理解为包括仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，包括：主体，包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极和第二电极，提供在所述主体的第一表面上，所述第一电极和所述第二电极分别与所述第一半导体层和所述第二半导体层接触；以及第三电极和第四电极，提供在所述主体的第二表面上，所述第三电极和所述第四电极分别与所述第一半导体层和所述第二半导体层接触。2.根据权利要求1所述的发光器件，还包括穿过所述主体的通孔，其中所述第一电极经由所述通孔与所述第三电极接触。3.根据权利要求2所述的发光器件，还包括提供在所述通孔的内壁上的第一绝缘层。4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述第一绝缘层延伸到所述主体的所述第二表面并与所述第四电极接触。5.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第一电极提供在所述通孔的内部。6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极在所述主体的厚度方向上与所述第三电极的至少一部分重叠。7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二电极在所述主体的厚度方向上与所述第四电极的至少一部分重叠。8.根据权利要求1所述的发光器件，还包括穿过所述第一半导体层和所述有源层并暴露所述第二半导体层的第一沟槽，其中所述第二电极经由所述第一沟槽与所述第二半导体层接触。9.根据权利要求8所述的发光器件，还包括提供在所述第一沟槽的内壁上的第二绝缘层。10.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第二绝缘层延伸到所述主体的所述第一表面并与所述第一电极接触。11.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第二电极提供在所述第一沟槽的内部。12.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极中的至少一个关于所述发光器件的中心轴线对称。13.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极中的至少一个具有圆形截面形状。14.根据权利要求1所述的发...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪硕佑，金铉埈，朴俊勇，黄京旭，黄俊式，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：