发光器件和包括其的显示装置制造方法及图纸

提供了一种发光器件和包括其的显示装置，该发光器件包括：主体，包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极和第二电极，提供在主体的第一表面上，第一电极和第二电极分别与第一半导体层和第二半导体层接触；以及第三电极和第四电极，提供在主体的第二表面上，第三电极和第四电极分别与第一半导体层和第二半导体层接触。半导体层接触。半导体层接触。

【技术实现步骤摘要】
发光器件和包括其的显示装置


[0001]本公开的示例实施方式涉及发光器件、包括该发光器件的显示装置、以及制造该发光器件和该显示装置的方法。

技术介绍

[0002]发光器件(LED)作为与相关技术的光源相比具有诸如寿命长、功耗低、响应速度快和环境友好等优点的下一代光源被知晓，并在各种产品(诸如照明设备和显示装置的背光)中使用。特别地，诸如氮化镓(GaN)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化铟镓(InGaN)和氮化铟铝镓(InAlGaN)的基于III族氮化物的LED用作输出光的发光器件。

技术实现思路

[0003]一个或更多个示例实施方式提供了具有布置在其两个表面上的电极的发光器件和制造该发光器件的方法。
[0004]一个或更多个示例实施方式还提供了包括具有布置在其两个表面上的电极的发光器件的显示装置和制造该显示装置的方法。
[0005]额外的方面将部分地在以下描述中阐述，并将部分地自该描述明显，或者可以通过本公开的示例实施方式的实践而获知。
[0006]根据示例实施方式的一方面，提供了一种发光器件，其包括：主体，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，包括：主体，包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极和第二电极，提供在所述主体的第一表面上，所述第一电极和所述第二电极分别与所述第一半导体层和所述第二半导体层接触；以及第三电极和第四电极，提供在所述主体的第二表面上，所述第三电极和所述第四电极分别与所述第一半导体层和所述第二半导体层接触。2.根据权利要求1所述的发光器件，还包括穿过所述主体的通孔，其中所述第一电极经由所述通孔与所述第三电极接触。3.根据权利要求2所述的发光器件，还包括提供在所述通孔的内壁上的第一绝缘层。4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述第一绝缘层延伸到所述主体的所述第二表面并与所述第四电极接触。5.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第一电极提供在所述通孔的内部。6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极在所述主体的厚度方向上与所述第三电极的至少一部分重叠。7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二电极在所述主体的厚度方向上与所述第四电极的至少一部分重叠。8.根据权利要求1所述的发光器件，还包括穿过所述第一半导体层和所述有源层并暴露所述第二半导体层的第一沟槽，其中所述第二电极经由所述第一沟槽与所述第二半导体层接触。9.根据权利要求8所述的发光器件，还包括提供在所述第一沟槽的内壁上的第二绝缘层。10.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第二绝缘层延伸到所述主体的所述第一表面并与所述第一电极接触。11.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第二电极提供在所述第一沟槽的内部。12.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极中的至少一个关于所述发光器件的中心轴线对称。13.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极中的至少一个具有圆形截面形状。14.根据权利要求1所述的发...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪硕佑，金铉埈，朴俊勇，黄京旭，黄俊式，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：