发光器件及其制备方法、发光装置制造方法及图纸

发光器件及其制备方法、发光装置。发光器件包括：外延层，设置在外延层同一侧的至少一个器件电极，以及设置在器件电极背离外延层一侧的至少一个可剥离的测试电极；其中，测试电极与器件电极对应连接，测试电极在外延层所在平面上的正投影面积大于对应连接的器件电极在外延层所在平面上的正投影面积。由于测试电极与器件电极对应连接，并且测试电极在外延层所在平面上的正投影面积大于器件电极在外延层所在平面上的正投影面积，因此可以根据测试设备的需求设计较大面积的测试电极，从而可以对单个发光器件的波长、亮度和电压等参数进行电性测试，提高测试的准确性，降低电性不良的发光器件发生漏检的概率。发光器件发生漏检的概率。发光器件发生漏检的概率。

【技术实现步骤摘要】
发光器件及其制备方法、发光装置


[0001]本公开涉及半导体
，特别是涉及一种发光器件及其制备方法、发光装置。

技术介绍

[0002]微显示技术作为“次世代显示技术”，是显示领域众多企业对高清及超高清显示效果的追求目标，是半导体、面板、检测设备等产业大力研发的高端显示技术。而微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)作为可为微显示产品提供光源的器件，凭借体积小、亮度高、功耗低、寿命长、响应速度快、可实现更高对比度及色彩饱和度等特性，被认为是比有机发光二极管更适合微显示技术的选择。

技术实现思路

[0003]本公开提供了一种发光器件，包括：外延层，设置在所述外延层同一侧的至少一个器件电极，以及设置在所述器件电极背离所述外延层一侧的至少一个可剥离的测试电极；
[0004]其中，所述测试电极与所述器件电极对应连接，所述测试电极在所述外延层所在平面上的正投影面积大于对应连接的器件电极在所述外延层所在平面上的正投影面积。
[0005]在一种可选的实现方式中，所述测试电极靠近所述器件电极的一侧具有第一凸出部，所述第一凸出部靠近所述器件电极一侧的表面与所述器件电极相互接触。
[0006]在一种可选的实现方式中，在所述外延层背离所述器件电极的一侧还设置有第一衬底，所述测试电极靠近所述器件电极的一侧还具有第二凸出部，所述第二凸出部靠近所述第一衬底一侧的表面与所述第一衬底相互接触。
[0007]在一种可选的实现方式中，所述第一凸出部与所述第二凸出部分别靠近所述测试电极相对的两个端面设置，所述端面连接所述测试电极靠近所述器件电极一侧的表面以及背离所述器件电极一侧的表面。
[0008]在一种可选的实现方式中，所述第二凸出部与所述外延层之间的距离大于或等于10微米。
[0009]在一种可选的实现方式中，所述测试电极背离所述器件电极一侧的表面尺寸大于或等于35微米。
[0010]在一种可选的实现方式中，在所述测试电极背离所述器件电极的一侧还设置有第二衬底，所述测试电极背离所述器件电极一侧的表面与所述第二衬底相互接触；
[0011]所述测试电极包括测试区域，所述测试区域在所述第二衬底上的正投影与所述器件电极以及所述外延层在所述第二衬底上的正投影均无交叠，所述测试区域背离所述第二衬底一侧的表面尺寸大于所述器件电极靠近所述第二衬底一侧的表面尺寸。
[0012]在一种可选的实现方式中，所述测试区域背离所述第二衬底一侧的表面尺寸大于或等于35微米。
[0013]在一种可选的实现方式中，所述第一凸出部与所述器件电极相互接触的表面尺寸小于或等于5微米。
[0014]在一种可选的实现方式中，所述测试电极的材料包括金属氧化物。
[0015]在一种可选的实现方式中，所述至少一个器件电极包括第一器件电极和第二器件电极，所述外延层包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一引出电极、第二引出电极和绝缘层；
[0016]其中，所述第一半导体层包括第一区域和第二区域；所述发光层、所述第二半导体层、所述第一引出电极、所述绝缘层以及所述第一器件电极依次层叠设置在所述第一区域的一侧，所述发光层靠近所述第一区域设置，所述第一器件电极与所述第一引出电极通过设置在所述绝缘层上的第一过孔连接；所述第二引出电极、所述绝缘层和所述第二器件电极依次层叠设置在所述第二区域的一侧，所述第二引出电极靠近所述第二区域设置，所述第二器件电极与所述第二引出电极通过设置在所述绝缘层上的第二过孔连接；
[0017]所述至少一个可剥离的测试电极包括第一测试电极和第二测试电极，所述第一测试电极与所述第一器件电极对应连接，所述第二测试电极与所述第二器件电极对应连接。
[0018]在一种可选的实现方式中，所述第二过孔靠近所述外延层的至少一个侧面设置，所述侧面连接所述外延层靠近所述器件电极一侧的表面以及远离所述器件电极一侧的表面。
[0019]在一种可选的实现方式中，所述绝缘层背离所述第一区域一侧的表面与所述绝缘层背离所述第二区域一侧的表面高度一致。
[0020]在一种可选的实现方式中，所述外延层还包括以下膜层至少之一：
[0021]缓冲层，设置在所述第一半导体层背离所述器件电极的一侧；
[0022]阻挡层，设置在所述发光层与所述第二半导体层之间；
[0023]扩展层，设置在所述第二半导体层与所述第一引出电极之间，所述扩展层与所述第二半导体层之间的接触面积大于所述扩展层与所述第一引出电极之间的接触面积。
[0024]本公开提供了一种发光器件的制备方法，包括：
[0025]提供外延层；
[0026]在所述外延层的一侧形成至少一个器件电极；
[0027]在所述器件电极背离所述外延层一侧形成至少一个可剥离的测试电极，得到第一发光器件，所述第一发光器件为任一实施例提供的发光器件；
[0028]其中，所述测试电极与所述器件电极对应连接，所述测试电极在所述外延层所在平面上的正投影面积大于对应连接的器件电极在所述外延层所在平面上的正投影面积。
[0029]在一种可选的实现方式中，在所述得到第一发光器件的步骤之后，还包括：
[0030]剥离所述第一发光器件中的所述测试电极，得到第二发光器件。
[0031]在一种可选的实现方式中，在所述外延层背离所述器件电极的一侧还设置有第一衬底，所述在所述器件电极背离所述外延层一侧形成至少一个可剥离的测试电极，得到第一发光器件的步骤，包括：
[0032]在所述第一衬底靠近所述器件电极一侧的表面以及所述器件电极背离所述第一衬底一侧的表面上图案化形成第一电极材料膜层；
[0033]对所述第一电极材料膜层靠近所述第一衬底以及所述器件电极一侧的表面进行刻蚀，形成所述第一凸出部和所述第二凸出部，得到所述第一发光器件；其中，所述第一凸出部靠近所述器件电极一侧的表面与所述器件电极相互接触，所述第二凸出部靠近所述第
一衬底一侧的表面与所述第一衬底相互接触；
[0034]所述剥离所述第一发光器件中的所述测试电极，得到第二发光器件的步骤，包括：
[0035]提供第三衬底；
[0036]将所述测试电极背离所述第一衬底一侧的表面与所述第三衬底通过第一胶膜进行贴合，得到第三发光器件；
[0037]剥离所述第三发光器件中的所述第一衬底，以使所述外延层背离所述器件电极一侧的表面裸露；
[0038]提供第四衬底；
[0039]将所述外延层背离所述器件电极一侧的表面与所述第四衬底通过第二胶膜进行贴合，所述第四衬底的贴合面上设置有避让槽，所述避让槽用于防止所述第四衬底与所述第二凸出部发生接触，所述第二胶膜为可解胶胶膜；
[0040]剥离所述第三衬底以及所述测试电极，得到第四发光器件；
[0041]对所述第二胶膜进行解胶处理，剥离所述第四衬底，得到所述第二发光器件。
[0042]在一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，包括：外延层，设置在所述外延层同一侧的至少一个器件电极，以及设置在所述器件电极背离所述外延层一侧的至少一个可剥离的测试电极；其中，所述测试电极与所述器件电极对应连接，所述测试电极在所述外延层所在平面上的正投影面积大于对应连接的器件电极在所述外延层所在平面上的正投影面积。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述测试电极靠近所述器件电极的一侧具有第一凸出部，所述第一凸出部靠近所述器件电极一侧的表面与所述器件电极相互接触。3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，在所述外延层背离所述器件电极的一侧还设置有第一衬底，所述测试电极靠近所述器件电极的一侧还具有第二凸出部，所述第二凸出部靠近所述第一衬底一侧的表面与所述第一衬底相互接触。4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第一凸出部与所述第二凸出部分别靠近所述测试电极相对的两个端面设置，所述端面连接所述测试电极靠近所述器件电极一侧的表面以及背离所述器件电极一侧的表面。5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述第二凸出部与所述外延层之间的距离大于或等于10微米。6.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述测试电极背离所述器件电极一侧的表面尺寸大于或等于35微米。7.根据权利要求2所述的发光器件，其中，在所述测试电极背离所述器件电极的一侧还设置有第二衬底，所述测试电极背离所述器件电极一侧的表面与所述第二衬底相互接触；所述测试电极包括测试区域，所述测试区域在所述第二衬底上的正投影与所述器件电极以及所述外延层在所述第二衬底上的正投影均无交叠，所述测试区域背离所述第二衬底一侧的表面尺寸大于所述器件电极靠近所述第二衬底一侧的表面尺寸。8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述测试区域背离所述第二衬底一侧的表面尺寸大于或等于35微米。9.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述第一凸出部与所述器件电极相互接触的表面尺寸小于或等于5微米。10.根据权利要求1至9任一项所述的发光器件，其中，所述测试电极的材料包括金属氧化物。11.根据权利要求1至9任一项所述的发光器件，其中，所述至少一个器件电极包括第一器件电极和第二器件电极，所述外延层包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一引出电极、第二引出电极和绝缘层；其中，所述第一半导体层包括第一区域和第二区域；所述发光层、所述第二半导体层、所述第一引出电极、所述绝缘层以及所述第一器件电极依次层叠设置在所述第一区域的一侧，所述发光层靠近所述第一区域设置，所述第一器件电极与所述第一引出电极通过设置在所述绝缘层上的第一过孔连接；所述第二引出电极、所述绝缘层和所述第二器件电极依次层叠设置在所述第二区域的一侧，所述第二引出电极靠近所述第二区域设置，所述第二器件电极与所述第二引出电极通过设置在所述绝缘层上的第二过孔连接；所述至少一个可剥离的测试电极包括第一测试电极和第二测试电极，所述第一测试电极与所述第一器件电极对应连接，所述第二测试电极与所述第二器件电极对应连接。12.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述第二过孔靠近所述外延层的至少一个
侧面设置，所述侧面连接所述外延层靠近所述器件电极一侧的表面以及远离所述器件电极一侧的表面。13.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述绝缘层背离所述第一区域一侧的表面与所述绝缘层背离所述第二区域一侧的表面高度一致。14.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述外延层还包括以下膜层至少之一：缓冲层，设置在所述第一半导体层背离所述器件电极的一侧；阻挡层，设置在所述发光层与所述第二半导体层之间；扩展层，设置在所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨山伟，马俊杰，卢元达，孙元浩，赵加伟，熊志军，李雪峤，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：