提供了发光元件和包括该发光元件的显示装置。发光元件包括：第一半导体层，掺杂成具有第一极性；第二半导体层，掺杂成具有与第一极性不同的第二极性；有源层，布置在第一半导体层和第二半导体层之间，并且包括面对第一半导体层的第一表面和面对第二半导体层的第二表面；以及掺杂层，形成在有源层的第一表面或第二表面上并且具有第一极性或第二极性的离子。二表面上并且具有第一极性或第二极性的离子。二表面上并且具有第一极性或第二极性的离子。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件和包括该发光元件的显示装置
[0001]本公开涉及发光元件和包括该发光元件的显示装置。
技术介绍
[0002]随着多媒体技术的发展，显示装置的重要性稳步增加。响应于此，已经使用了各种类型的显示装置，诸如有机发光显示器(OLED)、液晶显示器(LCD)等。
[0003]显示装置是用于显示图像的装置，并且包括显示面板，诸如有机发光显示面板或液晶显示面板。发光显示面板可以包括例如发光二极管(LED)的发光元件，并且发光二极管的示例包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。
技术实现思路
[0004]技术问题
[0005]本公开的方面提供了一种通过还包括掺杂层而具有改进的电极性的发光元件。
[0006]本公开的方面还提供了一种通过包括该发光元件而具有发光元件的提高的对准程度的显示装置。
[0007]应当注意，本公开的方面不限于此，并且本文中未提及的其它方面对于本领域中普通技术人员而言将从以下描述中显而易见。
[0008]技术方案
[0009]根据本公开的实施方式，发光元件包括：第一半导体层，掺杂成具有第一极性；第二半导体层，掺杂成具有与第一极性不同的第二极性；有源层，设置在第一半导体层和第二半导体层之间，并包括面对第一半导体层的第一表面和面对第二半导体层的第二表面；以及掺杂层，形成在有源层的第一表面或第二表面上，并包括具有第一极性或第二极性的离子。
[0010]掺杂层可以包括具有第一极性并形成在第一半导体层上的第一掺杂层。
[0011]第一掺杂层中具有第一极性的离子的浓度可以高于第一半导体层中具有第一极性的离子的浓度。
[0012]第一掺杂层可以与有源层的第一表面接触。
[0013]第一掺杂层可以形成为与有源层的第一表面间隔开。
[0014]掺杂层可以包括具有第二极性并形成在第二半导体层上的第二掺杂层。
[0015]第二掺杂层可以直接形成在第二半导体层的上表面上。
[0016]第二掺杂层可以与有源层的第二表面接触。
[0017]发光元件还可以包括设置在第二半导体层上的电极层，其中，掺杂层可以包括形成在电极层上的第三掺杂层。
[0018]第三掺杂层可以形成在电极层的上表面上。
[0019]电极层可以包括铟(In)，并且第三掺杂层中铟的含量可以高于电极层中铟的含
量。
[0020]发光元件还可以包括设置在电极层上并具有第二极性的子半导体层。
[0021]发光元件还可以包括围绕第一半导体层、第二半导体层和有源层的外表面的绝缘膜，其中，绝缘膜可以设置成覆盖电极层的至少一部分。
[0022]绝缘膜可以包括第一表面和第二表面，第一表面是以外表面围绕电极层的区域，第二表面连接到第一表面并且与电极层接触，并且第二表面可以具有其中其至少部分区域是弯曲的形状。
[0023]根据本公开的实施方式，显示装置包括：衬底；第一电极和第二电极，第一电极设置在衬底上，第二电极与第一电极间隔开；以及至少一个发光元件，设置在第一电极和第二电极之间并电连接到第一电极和第二电极，其中，发光元件包括：第一半导体层，掺杂成具有第一极性；第二半导体层，掺杂成具有与第一极性不同的第二极性；有源层，设置在第一半导体层和第二半导体层之间；以及掺杂层，形成在有源层的第一表面或第二表面上，并包括具有第一极性或第二极性的离子。
[0024]发光元件还可以包括设置在第二半导体层上的电极层，并且发光元件可以包括其中掺杂层设置在电极层上的第一发光元件。
[0025]在第一发光元件中，掺杂层可以形成在电极层的上表面上。
[0026]显示装置还可以包括与发光元件的一端和第一电极接触的第一接触电极以及与发光元件的另一端和第二电极接触的第二接触电极，其中，在第一发光元件中，掺杂层可以与第一接触电极接触。
[0027]发光元件还可以包括围绕第一半导体层、第二半导体层和有源层的绝缘膜。
[0028]发光元件还可以包括其中绝缘膜的至少部分区域的厚度不同于其它区域的厚度的第二发光元件。
[0029]第二发光元件在其第一端部处的第一直径和第二发光元件在其第二端部处的第二直径可以小于第二发光元件在第一端部和第二端部之间的第三直径。
[0030]显示装置还可以包括在第一电极和第二电极之间设置在发光元件下方的第一绝缘层、以及设置在发光元件上并暴露发光元件的第一端部和第二端部的第二绝缘层。
[0031]发光元件还可以包括其中掺杂层被去除的第三发光元件。
[0032]其它实施方式的细节包括在详细描述和附图中。
[0033]有益效果
[0034]根据实施方式的发光元件可以包括掺杂层，该掺杂层包括具有任何极性的离子。掺杂层可以形成在发光元件的半导体层或电极层上，并且可以包括浓度高于其上形成有掺杂层的层的离子。
[0035]因此，在发光元件中，偶极矩增大，并且由电场传递的介电泳力增大，使得可以提高对准程度。显示装置可以包括以高对准程度对准的发光元件，使得可以最小化发光元件的发射故障，并且可以提高每个像素的发射可靠性。
[0036]根据实施方式的效果不受以上示例的内容的限制，并且更多的各种效果包括在本公开中。
附图说明
[0037]图1是根据实施方式的显示装置的示意性平面图；
[0038]图2是根据实施方式的显示装置的一个像素的示意性平面图；
[0039]图3是示出图2的一个子像素的平面图；
[0040]图4是沿着图3的线Xa
‑
Xa'、线Xb
‑
Xb'和线Xc
‑
Xc'截取的剖视图；
[0041]图5是示出根据另一实施方式的显示装置的一部分的剖视图；
[0042]图6是根据实施方式的发光元件的示意图；
[0043]图7是沿着图6的线IX
‑
IX'截取的剖视图；
[0044]图8是示出根据实施方式的对准发光元件的工艺的示意图；
[0045]图9是沿着图3的线Xd
‑
Xd'截取的剖视图；
[0046]图10是沿着图3的线Xe
‑
Xe'截取的剖视图；
[0047]图11至图18是示出根据实施方式的制造发光元件的工艺的剖视图；
[0048]图19是根据另一实施方式的发光元件的剖视图；
[0049]图20是根据又一实施方式的发光元件的剖视图；
[0050]图21和图22是示出制造图20的发光元件的工艺中的一些的剖视图；
[0051]图23是根据又一实施方式的发光元件的剖视图；
[0052]图24是示出制造图23的发光元件的工艺中的一些的剖视图；
[0053]图25至图28是根据其它实施方式的发光元件的剖视图；
[0054]图29是根据又一实施方式的发光元件的示本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光元件，包括：第一半导体层，掺杂成具有第一极性；第二半导体层，掺杂成具有与所述第一极性不同的第二极性；有源层，设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，并且包括面对所述第一半导体层的第一表面和面对所述第二半导体层的第二表面；以及掺杂层，形成在所述有源层的所述第一表面或所述第二表面上，并包括具有所述第一极性或所述第二极性的离子。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述掺杂层包括具有所述第一极性并形成在所述第一半导体层上的第一掺杂层。3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述第一掺杂层中具有所述第一极性的离子的浓度高于所述第一半导体层中具有所述第一极性的离子的浓度。4.根据权利要求3所述的发光元件，其中，所述第一掺杂层与所述有源层的所述第一表面接触。5.根据权利要求3所述的发光元件，其中，所述第一掺杂层形成为与所述有源层的所述第一表面间隔开。6.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述掺杂层包括具有所述第二极性并形成在所述第二半导体层上的第二掺杂层。7.根据权利要求6所述的发光元件，其中，所述第二掺杂层直接形成在所述第二半导体层的上表面上。8.根据权利要求6所述的发光元件，其中，所述第二掺杂层与所述有源层的所述第二表面接触。9.根据权利要求1所述的发光元件，还包括设置在所述第二半导体层上的电极层，其中，所述掺杂层包括形成在所述电极层上的第三掺杂层。10.根据权利要求9所述的发光元件，其中，所述第三掺杂层形成在所述电极层的上表面上。11.根据权利要求10所述的发光元件，其中，所述电极层包括铟(In)，并且所述第三掺杂层中铟的含量高于所述电极层中铟的含量。12.根据权利要求9所述的发光元件，还包括设置在所述电极层上并具有所述第二极性的子半导体层。13.根据权利要求9所述的发光元件，还包括围绕所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述有源层的外表面的绝缘膜，其中，所述绝缘膜设置为覆盖所述电极层的至少一部分。14.根据权利要求13所述的发光元件，其中，所述绝缘膜包括第一表面和第二表面，所述第一表面是以外表面围绕所述电极层的区域，所述第二表面连接到所述第一表面并与所述电极层接触，以及所...
【专利技术属性】
技术研发人员：文秀美，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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