发光元件和包括该发光元件的显示装置制造方法及图纸

提供了发光元件和包括该发光元件的显示装置。发光元件包括：第一半导体层，掺杂成具有第一极性；第二半导体层，掺杂成具有与第一极性不同的第二极性；有源层，布置在第一半导体层和第二半导体层之间，并且包括面对第一半导体层的第一表面和面对第二半导体层的第二表面；以及掺杂层，形成在有源层的第一表面或第二表面上并且具有第一极性或第二极性的离子。二表面上并且具有第一极性或第二极性的离子。二表面上并且具有第一极性或第二极性的离子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件和包括该发光元件的显示装置


[0001]本公开涉及发光元件和包括该发光元件的显示装置。

技术介绍

[0002]随着多媒体技术的发展，显示装置的重要性稳步增加。响应于此，已经使用了各种类型的显示装置，诸如有机发光显示器(OLED)、液晶显示器(LCD)等。
[0003]显示装置是用于显示图像的装置，并且包括显示面板，诸如有机发光显示面板或液晶显示面板。发光显示面板可以包括例如发光二极管(LED)的发光元件，并且发光二极管的示例包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。

技术实现思路

[0004]技术问题
[0005]本公开的方面提供了一种通过还包括掺杂层而具有改进的电极性的发光元件。
[0006]本公开的方面还提供了一种通过包括该发光元件而具有发光元件的提高的对准程度的显示装置。
[0007]应当注意，本公开的方面不限于此，并且本文中未提及的其它方面对于本领域中普通技术人员而言将从以下描述中显而易见。
[0008]技术方案...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光元件，包括：第一半导体层，掺杂成具有第一极性；第二半导体层，掺杂成具有与所述第一极性不同的第二极性；有源层，设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，并且包括面对所述第一半导体层的第一表面和面对所述第二半导体层的第二表面；以及掺杂层，形成在所述有源层的所述第一表面或所述第二表面上，并包括具有所述第一极性或所述第二极性的离子。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述掺杂层包括具有所述第一极性并形成在所述第一半导体层上的第一掺杂层。3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述第一掺杂层中具有所述第一极性的离子的浓度高于所述第一半导体层中具有所述第一极性的离子的浓度。4.根据权利要求3所述的发光元件，其中，所述第一掺杂层与所述有源层的所述第一表面接触。5.根据权利要求3所述的发光元件，其中，所述第一掺杂层形成为与所述有源层的所述第一表面间隔开。6.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述掺杂层包括具有所述第二极性并形成在所述第二半导体层上的第二掺杂层。7.根据权利要求6所述的发光元件，其中，所述第二掺杂层直接形成在所述第二半导体层的上表面上。8.根据权利要求6所述的发光元件，其中，所述第二掺杂层与所述有源层的所述第二表面接触。9.根据权利要求1所述的发光元件，还包括设置在所述第二半导体层上的电极层，其中，所述掺杂层包括形成在所述电极层上的第三掺杂层。10.根据权利要求9所述的发光元件，其中，所述第三掺杂层形成在所述电极层的上表面上。11.根据权利要求10所述的发光元件，其中，所述电极层包括铟(In)，并且所述第三掺杂层中铟的含量高于所述电极层中铟的含量。12.根据权利要求9所述的发光元件，还包括设置在所述电极层上并具有所述第二极性的子半导体层。13.根据权利要求9所述的发光元件，还包括围绕所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述有源层的外表面的绝缘膜，其中，所述绝缘膜设置为覆盖所述电极层的至少一部分。14.根据权利要求13所述的发光元件，其中，所述绝缘膜包括第一表面和第二表面，所述第一表面是以外表面围绕所述电极层的区域，所述第二表面连接到所述第一表面并与所述电极层接触，以及所...

【专利技术属性】
技术研发人员：文秀美，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：