一种LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种LED芯片及其制备方法，所述第二电极层叠于所述发光台面的部分表面，且在所述发光台面中，所述第二电极及与其距离最短的棱角所形成的区域为强电流密度区；通过在除所述强电流密度区以外的发光台面表面构建透明导电层。从而，有效降低强电流密度区的电场，抑制该区域外延叠层的电化学水解，在长期应用中，大大降低逆电极脱落以及芯片短路，提高芯片在逆偏压状态下的稳定性，增强其可靠性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片及其制作方法


[0001]本专利技术涉及发光二极管领域，尤其涉及一种LED芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着LED技术的快速发展以及LED光效的逐步提高，LED的应用也越来越广泛，人们越来越关注LED在显示屏的发展前景。LED芯片，作为LED 灯的核心组件，其功能就是把电能转化为光能，具体的，包括外延片和分别设置在外延片上的N型电极和P型电极。所述外延片包括P型半导体层、N 型半导体层以及位于所述N型半导体层和P型半导体层之间的有源层，当有电流通过LED芯片时，P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子会向有源层移动，并在所述有源层复合，使得LED芯片发光。
[0003]目前，在LED芯片中，为了实现电流的均匀分布，通常通过在P型半导体层表面布满透明导电层，详见图1所示；然而，在实际应用时，外延层的边缘处总是容易发生电化学水解，详见图2所示；如此，使LED芯片发生电极脱落或者短路，造成芯片失效。本申请人经反复试验后发现电化学水解反应通常发生在电流密度较强的边角区域(也即P电极及与其距离最短的棱角所形成的区域)，而导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底；设置于所述衬底表面的外延叠层，所述外延叠层包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层，且所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成凹槽及发光台面，其中，所述发光台面具有棱角；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述外延叠层；第一电极，其层叠于所述凹槽的部分表面且远离所述发光台面而设置；第二电极，其层叠于所述发光台面的部分表面；其中，在所述发光台面中，所述第二电极及与其距离最短的棱角所形成的区域为强电流密度区；透明导电层，其层叠于除所述强电流密度区以外的发光台面表面；绝缘保护层，其覆盖所述外延叠层的裸露面。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述强电流密度区的表面积为S，所述发光台面的水平铺设面积为A，则A/15≤S≤A/3。3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，沿同一方向，所述透明导电层的边缘与所述第二电极的中心的距离为4～13um，包括端点值。4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第二电极通过开孔嵌入所述透明导电层并与所述第二型半导体层形成接触。5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述外延叠层具有至少一衬底裸露部，所述衬底裸露部环绕所述外延叠层的四周；且所述绝缘保护层以被保持在所述衬底裸露部的方式层叠于所述衬底，并环绕所述外延叠层的四周。6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述衬底包括蓝宝石衬底或硅衬底或...

【专利技术属性】
技术研发人员：王锐，周弘毅，颜姗姗，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：