红光微型发光二极管芯片及其制备方法技术

本公开提供了一种红光微型发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该芯片包括：包括：基板、外延结构、第一钝化层、金属增强层、第一电极和第二电极；外延结构包括依次层叠于基板上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，第二半导体层的表面具有露出第一半导体层的凹槽，第一电极位于第一半导体层的表面，且位于凹槽的底面，第二电极位于第二半导体层的表面；第一钝化层至少覆盖第一半导体层、第一电极、凹槽、第二半导体层、第二电极的表面，金属增强层位于第一钝化层上，金属增强层在基板上的正投影位于第一钝化层在基板上的正投影内。本公开实施例能有效缓解因焊接产生的应力，而导致芯片出现裂缝失效的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
红光微型发光二极管芯片及其制备方法


[0001]本公开涉及光电子制造
，特别涉及一种红光微型发光二极管芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)是指边长在10μm至100μm的超小发光二极管，红光微型发光二极管则是发红光的二极管。微型发光二极管的体积小，可以更密集的设置排列而大幅度提高分辨率，并且具有自发光特性，具有高亮度、高对比度、高反应性及省电的特点。
[0003]相关技术中，红光微型发光二极管芯片通常包括基板、外延结构、第一电极、第二电极、钝化层、第一焊点块和第二焊点块。其中，外延结构层叠在基板上，第一电极和第二电极均设置外延结构上远离基板的一侧，钝化层位于在在外延结构上，且覆盖两个电极。第一焊点块和第二焊点块位于钝化层上，且通过钝化层上的过孔分别与两个电极相连。
[0004]两个焊点块通常采用激光焊接的方式在钝化层的表面制作形成，然而，由于激光焊接时会存在温度急剧上升和下降的情况，这样会在芯片内产生应力，容易导致芯片中的外延结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种红光微型发光二极管芯片，其特征在于，所述红光微型发光二极管芯片包括：基板(10)、外延结构(20)、第一钝化层(31)、金属增强层(32)、第一电极(41)和第二电极(42)；所述外延结构(20)包括依次层叠于所述基板(10)上的第一半导体层(201)、多量子阱层(202)和第二半导体层(203)，所述第二半导体层(203)的表面具有露出所述第一半导体层(201)的凹槽(51)，所述第一电极(41)位于所述第一半导体层(201)的表面，且位于所述凹槽(51)的底面，所述第二电极(42)位于所述第二半导体层(203)的表面；所述第一钝化层(31)至少覆盖所述第一半导体层(201)、所述第一电极(41)、所述凹槽(51)、所述第二半导体层(203)、所述第二电极(42)的表面，所述金属增强层(32)位于所述第一钝化层(31)上，所述金属增强层(32)在所述基板(10)上的正投影位于所述第一钝化层(31)在所述基板(10)上的正投影内。2.根据权利要求1所述的红光微型发光二极管芯片，其特征在于，所述金属增强层(32)包括依次层叠于所述第一钝化层(31)的表面的第一Ti层(321)、第一Ni层(322)、Pt层(323)、第二Ni层(324)和第二Ti层(325)，所述Pt层(323)的厚度不小于所述金属增强层(32)的总厚度的二分之一。3.根据权利要求2所述的红光微型发光二极管芯片，其特征在于，所述第一Ti层(321)的厚度为400埃至600埃，所述第一Ni层(322)的厚度为800埃至1200埃，所述Pt层(323)的厚度为4900埃至5100埃，所述第二Ni层(324)的厚度为800埃至1200埃，所述第二Ti层(325)的厚度为400埃至600埃。4.根据权利要求1所述的红光微型发光二极管芯片，其特征在于，所述凹槽(51)的底面具有凸起结构(53)，所述凸起结构(53)与所述凹槽(51)靠近所述第二电极(42)的侧壁相连。5.根据权利要求4所述的红光微型发光二极管芯片，其特征在于，所述凸起结构(53)包括多个阶梯块(531)，多个所述阶梯块(531)沿远离所述凹槽(51)的侧壁的方向依次排列，在远离所述凹...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰叶，王江波，朱广敏，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：