半导体存储器件制造技术

一种半导体存储器件，包括：在第一方向上延伸的位线；第一和第二有源图案，在第一方向上交替地设置并在位线上，并且第一和第二有源图案中的每个包括水平部分和垂直部分；第一字线，设置在第一有源图案的水平部分上以与位线交叉；第二字线，设置在第二有源图案的水平部分上以与位线交叉；以及提供在第一和第二字线之间的第一间隙区域中或者在第一和第二有源图案的垂直部分之间的第二间隙区域中的中间结构。彼此相邻的第一和第二有源图案可以被设置成相对于彼此对称。置成相对于彼此对称。置成相对于彼此对称。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器件


[0001]本公开涉及半导体存储器件，具体地，涉及包括垂直沟道晶体管的半导体存储器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着半导体器件的设计规则的减小，可以增加半导体器件的集成密度和操作速度，但是需要新技术来增加或保持产量。最近，已经建议具有垂直沟道晶体管的半导体器件来增加具有晶体管的较低电阻和较高电流驱动特性的半导体器件的集成密度。

技术实现思路

[0003]本专利技术构思的一实施方式提供了具有改善的电特性和增加的集成密度的半导体存储器件。
[0004]根据本专利技术构思的一实施方式，一种半导体存储器件包括：在第一方向上延伸的位线；在第一方向上交替设置并与位线重叠的多个第一有源图案和多个第二有源图案，所述多个第一和第二有源图案中的每个包括水平部分和垂直部分；在不同于第一方向的第二方向上延伸并与位线重叠的多个第一字线，所述多个第一字线中的每个设置在所述多个第一有源图案中的相应一个的水平部分上；多个第二字线，在第二方向上延伸并与位线重叠，所述多个第二字线中的每个设置在所述多个第二有源图案中的相应一个的水平本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件，包括：在第一方向上延伸的位线；多个第一有源图案和多个第二有源图案，在所述第一方向上交替设置并与所述位线重叠，其中所述多个第一有源图案和所述多个第二有源图案中的每个包括水平部分和垂直部分，彼此相邻的所述多个第一有源图案中的一个和所述多个第二有源图案中的一个被设置为相对于彼此对称；多个第一字线，在不同于所述第一方向的第二方向上延伸并与所述位线重叠，所述多个第一字线中的每个设置在所述多个第一有源图案中的相应一个的水平部分上；多个第二字线，在所述第二方向上延伸并与所述位线重叠，所述多个第二字线中的每个设置在所述多个第二有源图案中的相应一个的水平部分上；以及多个中间结构，每个中间结构提供在第一间隙区域和第二间隙区域中的至少一个中，所述第一间隙区域在所述多个第一字线中的相应第一字线和所述多个第二字线中与所述相应第一字线相邻的相应第二字线之间，所述第二间隙区域在所述多个第一有源图案中的相应第一有源图案的垂直部分和所述多个第二有源图案中与所述相应第一有源图案相邻的相应第二有源图案的垂直部分之间。2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述多个中间结构中的每个包括在所述第一间隙区域和所述第二间隙区域中的至少一个中的空气间隙和覆盖所述空气间隙的顶部的覆盖图案。3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述多个中间结构中的每个包括在所述第二方向上延伸的屏蔽图案。4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中彼此相邻的所述多个第一字线中的一个和所述多个第二字线中的一个彼此间隔开第一距离，以及其中彼此相邻的所述多个第一有源图案中的一个的垂直部分和所述多个第二有源图案中的一个的垂直部分彼此间隔开不同于所述第一距离的第二距离。5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中所述第二距离小于所述第一距离。6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述相应第一有源图案的所述垂直部分和所述相应第二有源图案的所述垂直部分设置在分别与其相邻的第一字线和第二字线之间。7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述多个第一字线和所述多个第二字线中的每个具有彼此相反的第一侧表面和第二侧表面，其中所述多个第一字线和所述多个第二字线当中的每对第一和第二字线的第一侧表面分别与所述多个第一有源图案和所述多个第二有源图案当中的相应一对第一和第二有源图案的垂直部分相邻，其中每对第一和第二字线的第二侧表面彼此面对，以及其中每对第一和第二字线设置在所述相应一对第一和第二有源图案之间。8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，
其中所述相应第一和第二字线的顶表面位于低于所述相应第一和第二有源图案的所述垂直部分的顶表面的水平。9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述位线在所述第二方向上具有第一宽度，其中所述相应第一有源图案的所述水平部分在所述第二方向上具有第二宽度，以及其中所述第二宽度大于所述第一宽度。10.一种半导体存储器件，包括：在第一方向上延伸的位线；在所述第一方向上交替设置并与所述位线重叠的多个有源图案，其中所述多个有源图案中的每个包括水平部分和垂直部分；在不同于所述第一方向的第二方向上延伸并与所述位线重叠的多个第一字线，所述多个第一字线中的每个设置在所述多个有源图案中的相应一个的水平部分上；以及在所述第二方向上延伸并与所述位线重叠的多个第二字线，所述多个第二字线中的每个设置在所述多个有源图案中的相应一个的水平部分上，其中彼此相邻的一对所述多个第一字线中的一个和所述多个第二字线中的一个彼此间隔开第一距离，以及其中所述多个有源图案中彼此相邻的一对有源图案的垂直部分彼此间隔开第二距离，所述第二距离大于所述第一距离。11.根据权利要求10所述的半导体存储器件，还包括：第一绝缘图案，填充彼此相邻的所述一对所述多个第一字线中的一个和所述多个第二字线中的一个之间的空间；以及第二绝缘图案，在彼此相邻的所述一对有源图案...

【专利技术属性】
技术研发人员：李元锡，柳民泰，宋宇彬，李基硕，李玟洙，赵珉熙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：