一种方形片的抛光工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种方形片的抛光工艺。本发明专利技术抛光工艺减少了一次抛光的时间，减少一次抛光的加工厚度，用一次抛光对方形片毛坯快速抛光，得到半成品；增加二次抛光的时间及加工量，配合组合式游星轮对方形片进行TTV的改善；添加三次抛光，在不影响TTV的同时对方形片的表面进行微加工，提高表面的额清洁度。本发明专利技术二次抛光和三次抛光使用抛光用组合游星轮对其进行抛光，使产品与抛光皮的摩擦均匀，减小同一片产品的厚度散差，提高产品的合格率。提高产品的合格率。提高产品的合格率。

【技术实现步骤摘要】
一种方形片的抛光工艺


[0001]本专利技术涉及光学镜片抛光的
，尤其涉及一种方形片的抛光工艺。

技术介绍

[0002]随着半导体工业飞速发展，手机、平板、电脑、触摸屏等电子产品的发展迅如猛虎，成品基材晶体片的需求也是日益增高，对晶片表面的粗糙度、TTV(总厚度偏差)、平整度等表面精度指标的要求越来越高。
[0003]传统方形片的抛光工艺如下：A、抛光材料备用：备用抛光作业时使用的红皮抛光皮；B、一次抛光：采用红皮抛光皮配合氧化铈抛光粉使用常规游星轮对方形片毛坯快速抛光，改善总厚度及TTV；C、参数调整：对二次抛光后的方形片进行检测、分析，查看方形片抛光后的TTV是否达到要求，如果未达到要求需重新调整一次抛光的时间，并将产品进行180
°
旋转后再次进行抛光。
[0004]传统方形片的抛光工艺现存在TTV达不到标准，如图2所示，抛光后的产品TTV检测为一边高一边低，其平坦度较差。
[0005]传统的加工方法已经不能满足产量及质量的要求，在改善表面的粗糙度、TTV(总厚度偏差)、平整度等表面精度较为严格的产品上，效果并不理想，所以现在需要一种新的工艺进行代替。
[0006]因此需要研发一种方形片的抛光工艺，可以使产品精度的达到国际领先水平,并可稳定的量产，解决了行业内对高精度方形片加工的空白。

技术实现思路

[0007]为解决上述技术问题，本专利技术设计了一种方形片的抛光工艺。
[0008]本专利技术采用如下技术方案：一种方形片的抛光工艺，其工艺步骤为：S1、抛光材料备用：备用抛光作业时使用的红皮抛光皮和黑皮抛光皮；S2、一次抛光：采用红皮抛光皮配合氧化铈抛光粉使用常规游星轮对方形片毛坯快速抛光，得到半成品；S3、二次抛光：将上述的半成品采用红皮抛光皮配合氧化铈抛光粉使用抛光用组合游星轮对其进行抛光，改善总厚度偏差TTV；S4、三次抛光：将二次抛光的半成品采用黑皮抛光皮配合抛光液使用抛光用组合游星轮对其进行抛光，保证TTV的同时，提高表面光洁度；S5、参数调整：对二次抛光后的方形片进行检测、分析，查看方形片抛光后的TTV是否达到要求，如果未达到要求，重新调整二次抛光的抛光作业时间。
[0009]作为优选，所述红皮抛光皮为含有氧化铈的聚氨酯抛光皮，红皮抛光皮的厚度为
1.5mm。
[0010]作为优选，所述黑皮抛光皮为阻尼布抛光皮，黑皮抛光皮的厚度为1mm。
[0011]作为优选，所述一次抛光的抛光量为 0 .026
‑
0 .035mm，一次抛光的抛光时间为 100
‑
140分钟，一次抛光的粉液温度为29.8
‑
30℃。
[0012]作为优选，所述二次抛光的抛光量为 0 .005
‑
0 .015mm，二次抛光的抛光时间为10
‑
20分钟，二次抛光的粉液温度为29.8
‑
30℃。
[0013]作为优选，所述三次抛光的抛光量为 0 .001
‑
0 .002mm，三次抛光的抛光时间为30分钟。
[0014]作为优选，所述步骤S4中的抛光液为二氧化硅抛光液。
[0015]作为优选，所述抛光用组合游星轮包括母轮及子轮，所述母轮外圈上设有若干轮齿；所述母轮上设有两个通孔及若干个圆形流粉孔，所述子轮设在母轮的通孔内且尺寸相互配合，子轮上中心配合设置有用于安置方形片的方形单元腔。
[0016]作为优选，所述两个通孔以母轮直径为对称轴，对称分布，流粉孔以母轮圆心为原点呈内外两圈环形分布。
[0017]作为优选，所述子轮上方形单元腔各边中心点处设置有半圆形设置的取片口，子轮上方形单元腔各边连接处设置有圆弧口。
[0018]本专利技术的有益效果是：（1）、本专利技术抛光工艺减少了一次抛光的时间，减少一次抛光的加工厚度，用一次抛光对方形片毛坯快速抛光，得到半成品；增加二次抛光的时间及加工量，配合组合式游星轮对方形片进行TTV的改善；添加三次抛光，在不影响TTV的同时对方形片的表面进行微加工，提高表面的额清洁度；（2）、本专利技术二次抛光和三次抛光使用抛光用组合游星轮对其进行抛光，抛光用组合游星轮的母轮在以抛光机的中心为轴做旋转的同时，子轮也在其母轮的通孔中进行着自转，从而达到使产品与抛光皮的摩擦均匀，减小同一片产品的厚度散差，提高产品的合格率；在抛光过程中，游星轮母轮上的流粉孔可以最大程度上使上盘流出的抛光粉通过流粉孔进入下盘表面，使抛光过程中的化学反应与机械作用达到平衡，减少抛光时产品与抛光皮的阻力，提高产品的抛光合格率。
附图说明
[0019]图1是本专利技术中抛光用组合游星轮的一种结构示意图；图2是现有方形片抛光工艺抛光后的产品TTV示意图；图3是本专利技术方形片抛光工艺抛光后的产品TTV示意图；图中：1、轮齿，2、圆弧口，3、通孔，4、取片口，5、Φ40mm流粉孔，6、Φ70mm流粉孔，7、Φ50mm流粉孔，8、母轮，9、子轮。
具体实施方式
[0020]下面通过具体实施例，并结合附图，对本专利技术的技术方案作进一步的具体描述：实施例：一种方形片的抛光工艺，其工艺步骤为：S1、抛光材料备用：备用抛光作业时使用的红皮抛光皮和黑皮抛光皮；S2、一次抛光：采用红皮抛光皮配合氧化铈抛光粉使用常规游星轮对方形片毛坯快速抛光，得到半成品；
S3、二次抛光：将上述的半成品采用红皮抛光皮配合氧化铈抛光粉使用抛光用组合游星轮对其进行抛光，改善总厚度偏差TTV；S4、三次抛光：将二次抛光的半成品采用黑皮抛光皮配合抛光液使用抛光用组合游星轮对其进行抛光，保证TTV的同时，提高表面光洁度；S5、参数调整：对二次抛光后的方形片进行检测、分析，查看方形片抛光后的TTV是否达到要求，如果未达到要求，重新调整二次抛光的抛光作业时间。
[0021]红皮抛光皮为含有氧化铈的聚氨酯抛光皮，红皮抛光皮的厚度为1.5mm。黑皮抛光皮为阻尼布抛光皮，黑皮抛光皮的厚度为1mm。一次抛光的抛光量为 0 .026
‑
0 .035mm，一次抛光的抛光时间为 100
‑
140分钟，一次抛光的粉液温度为29.8
‑
30℃。二次抛光的抛光量为 0 .005
‑
0 .015mm，二次抛光的抛光时间为10
‑
20分钟，二次抛光的粉液温度为29.8
‑
30℃。三次抛光的抛光量为 0 .001
‑
0 .002mm，三次抛光的抛光时间为30分钟。步骤S4中的抛光液为二氧化硅抛光液。
[0022]如图1所示，抛光用组合游星轮包括母轮及子轮，所述母轮外圈上设有若干轮齿；所述母轮上设有两个通孔及若干个圆形流粉孔，所述子轮设在母轮的通孔内且尺寸相互配合，子轮上中心配合设置有用于安置方形片的方形单元腔。
[0023]两个通孔尺寸为Φ188.5mm，以母轮直径为对称轴，对称分布，流粉孔以母轮圆心为原点呈内外两本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方形片的抛光工艺，其特征是，其工艺步骤为：S1、抛光材料备用：备用抛光作业时使用的红皮抛光皮和黑皮抛光皮；S2、一次抛光：采用红皮抛光皮配合氧化铈抛光粉使用常规游星轮对方形片毛坯快速抛光，得到半成品；S3、二次抛光：将上述的半成品采用红皮抛光皮配合氧化铈抛光粉使用抛光用组合游星轮对其进行抛光，改善总厚度偏差TTV；S4、三次抛光：将二次抛光的半成品采用黑皮抛光皮配合抛光液使用抛光用组合游星轮对其进行抛光，保证TTV的同时，提高表面光洁度；S5、参数调整：对二次抛光后的方形片进行检测、分析，查看方形片抛光后的TTV是否达到要求，如果未达到要求，重新调整二次抛光的抛光作业时间。2.根据权利要求1所述的一种方形片的抛光工艺，其特征是，所述红皮抛光皮为含有氧化铈的聚氨酯抛光皮，红皮抛光皮的厚度为1.5mm。3.根据权利要求1所述的一种方形片的抛光工艺，其特征是，所述黑皮抛光皮为阻尼布抛光皮，黑皮抛光皮的厚度为1mm。4.根据权利要求1所述的一种方形片的抛光工艺，其特征是，所述一次抛光的抛光量为 0 .026
‑
0 .035mm，一次抛光的抛光时间为 100
‑
140分钟，一次抛光的粉液温度为29.8
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30...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩巍巍，韩威风，纪枭，王丙森，
申请(专利权)人：浙江美迪凯光学半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：