存储器装置中的电荷损失扫描操作管理制造方法及图纸

本申请涉及存储器装置中的电荷损失扫描操作管理。一种存储器系统包含存储器装置和以操作方式耦合到所述存储器装置的处理装置。所述处理装置执行包括以下各项的操作：识别所述存储器装置的操作温度；确定所述操作温度满足温度条件；修改用于对所述存储器装置中的一组块中的代表性块执行扫描操作的扫描频率参数；以及在由所述扫描频率参数识别的频率下执行所述扫描操作。所述扫描操作。所述扫描操作。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置中的电荷损失扫描操作管理


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更确切地说，涉及存储器装置中的电荷损失扫描操作管理。

技术介绍

[0002]一种存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可以是例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。大体来说，主机系统可以利用存储器子系统将数据存储在存储器装置处且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]在一方面中，本申请提供一种系统，其包括：存储器装置；以及处理装置，其以操作方式耦合到存储器装置以执行包括以下各项的操作：识别存储器装置的操作温度；确定操作温度满足温度条件；修改用于对存储器装置中的一组块中的代表性块执行扫描操作的扫描频率参数；以及在由扫描频率参数识别的频率下执行扫描操作。
[0004]在另一方面中，本申请进一步提供一种方法，其包括：通过处理装置识别多个温度范围，其中每一温度范围包括起始温度和结束温度；使每一温度范围与用于对存储器装置的一组块执行扫描操作的相应扫描条件相关联；识别存储器装置的操作温度；确定操作温度在多个温度范围中的特定温度范围内；以及响应于确定满足指定扫描条件，执行扫描操作，其中指定扫描条件对应于特定温度范围。
[0005]在另一方面中，本申请进一步提供一种方法，其包括：通过处理装置识别存储器装置的操作温度；确定操作温度满足温度条件；修改用于对存储器装置的一组块中的代表性块执行扫描操作的扫描频率参数；以及在由扫描频率参数识别的频率下执行扫描操作。
附图说明
[0006]根据下文给出的实施方式且根据本公开的一些实施例的附图将更加充分地理解本公开。
[0007]图1示出根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
[0008]图2示出根据本公开的一些实施例的至少部分地由三层级存储器单元所展现的缓慢电荷损失引起的时间电压移位。
[0009]图3为示出根据本公开的一些实施例的阈值电压偏移与编程后时间(即，从单元已被写入以来经过的时间)的相关性的实例曲线图。
[0010]图4A为示出根据实施例的块族如何存在于特定阈值电压偏移区间中的曲线图，所述特定阈值电压偏移区间取决于编程后时间(TAP)。
[0011]图4B为示出根据实施例的块族如何随着编程后时间(TAP)增加而向右移动的曲线图。
[0012]图5示意性地示出根据本公开的实施例的由存储器子系统控制器维持以用于使块
与块族相关联的实例元数据。
[0013]图6示出根据本公开的实施例的基于存储器装置的操作温度的电荷损失扫描操作管理的实例。
[0014]图7为根据本公开的一些实施例的修改块族扫描频率参数的实例方法的流程图。
[0015]图8为根据本公开的一些实施例的基于存储器装置的操作温度管理块族扫描操作的实例方法的流程图。
[0016]图9为本公开的实施例可在其中操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0017]本公开的实施例针对存储器装置中的电荷损失扫描操作管理。存储器子系统可以是存储装置、存储器模块或存储装置和存储器模块的混合。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。大体来说，主机系统可以利用包含一或多个组件的存储器子系统，所述一或多个组件例如存储数据的存储器装置。主机系统可提供待存储于存储器子系统处的数据，且可请求待从存储器子系统检索的数据。
[0018]存储器子系统可利用一或多个存储器装置(包含不同类型的非易失性存储器装置和/或易失性存储器装置的任何组合)存储由主机系统提供的数据。在一些实施例中，非易失性存储器装置可由与非(NAND)型快闪存储器装置提供。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。非易失性存储器装置为一或多个裸片的封装。每一裸片可以由一或多个平面组成。平面可分组成逻辑单元(LUN)。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，NAND装置)，每一平面由一组块组成。“块”在本文中指连续或不连续的一组存储器页。块的实例是可擦除块，其是存储器的最小可擦除单元，而页是存储器的最小可写入单元。每一页包含一组存储器单元(“单元”)。单元为存储信息的电子电路。
[0019]可由存储器子系统执行数据操作。数据操作可以是主机发起的操作。例如，主机系统可以在存储器子系统上发起数据操作(例如，写入、读取、擦除等)。主机系统可以将存取请求(例如，写入命令、读取命令)发送到存储器子系统，以便将数据存储在存储器子系统处的存储器装置上，且从存储器子系统上的存储器装置读取数据。如由主机请求指定的待读取或写入的数据在下文中被称作“主机数据”。主机请求可以包含用于主机数据的逻辑地址信息(例如，逻辑块地址(LBA)、名称空间)，其为主机系统与主机数据相关联的位置。逻辑地址信息(例如，LBA、名称空间)可以是主机数据的元数据的部分。元数据还可以包含错误处理数据(例如，错误校正码(ECC)码字、奇偶检验码)、数据版本(例如，用于区分所写入数据的新旧)、有效位图(其LBA或逻辑传送单元具有有效数据)、块族信息及类似者。
[0020]存储器装置包含多个存储器单元，其中的每一者可取决于存储器单元类型存储一或多位信息。可通过将某一电压施加到存储器单元来编程存储器单元(向其写入)，这使得存储器单元保持电荷，从而允许调制由存储器单元产生的电压分布。此外，精确地控制存储器单元所存储的电荷的量允许建立对应于不同逻辑电平的多个阈值电压电平，从而有效地允许单个存储器单元存储多位信息：以2
n
个不同阈值电压电平操作的存储器单元能够存储n位信息。因此，可通过将存储器单元所展现的测得电压与一或多个参考电压电平进行比较以便区分用于单层级单元的两个逻辑电平以及区分用于多层级单元的多个逻辑电平来执行读取操作。
[0021]归因于被称为缓慢电荷损失(SCL)的现象，存储器单元的阈值电压随着单元的电荷降级而随着时间改变，其被称作“时间电压移位”(TVS)，因为降级的电荷使得电压分布沿电压轴线朝较低电压电平移位。本文中的TVS将指随时间而变的单元的测得电压的变化。缓慢电荷损失随时间、温度、编程擦除循环(例如，对存储器进行擦除和重新编程)等而变。阈值电压首先快速改变(紧接在存储器单元被编程之后)，且接着相对于从单元编程事件以来经过的时间以大致对数线性方式减慢。缓慢电荷损失还可随着存储器单元的温度升高、编程擦除循环增加、编程电压升高以及其它因素而增大。TVS可以包含不同分量，例如固有电荷损失、系统电荷损失、快速电荷损失等。替换栅极(RG)NAND通常比浮动栅极NAND呈现更多的TVS。TVS还显示出明显的裸片间变化。未能减轻由缓慢电荷损失引起的时间电压移位可能会使读取操作中的原始误码率(或RBER)增大。
[0022]可通过实施采用基于块族(“BF”)的错误避免策略的存储器子系统来减小时间电压移位，因此显著降低存储器子系统展现的误码率。根据本公开的实施例，针对由块族分组的一组经编程存储器单元选择性地跟踪时间电压移位。“读取电平”在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种系统，其包括：存储器装置；以及处理装置，其以操作方式耦合到所述存储器装置以执行包括以下各项的操作：识别所述存储器装置的操作温度；确定所述操作温度满足温度条件；修改用于对所述存储器装置中的一组块中的代表性块执行扫描操作的扫描频率参数；以及在由所述扫描频率参数识别的频率下执行所述扫描操作。2.根据权利要求1所述的系统，其中确定所述操作温度满足所述温度条件包括确定所述操作温度在阈值温度范围之外，其中所述阈值温度范围包括阈值起始温度和阈值结束温度。3.根据权利要求2所述的系统，其中确定所述操作温度在所述阈值温度范围之外包括确定所述操作温度低于所述阈值起始温度或高于所述阈值结束温度。4.根据权利要求3所述的系统，其中修改所述扫描频率参数包括：响应于确定所述操作温度低于所述阈值起始温度，减小所述扫描频率参数。5.根据权利要求3所述的系统，其中修改所述扫描频率参数包括：响应于确定所述操作温度高于所述阈值结束温度，增大所述扫描频率参数。6.根据权利要求1所述的系统，其中修改所述扫描频率参数包括：基于预定义函数修改所述扫描频率参数。7.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括：使多个预定义温度范围中的每一温度范围与多个预定义扫描频率值中的相应扫描频率值相关联；识别所述多个预定义温度范围中的特定温度范围，其中所述操作温度处于所述特定温度范围内；以及将所述扫描频率参数设定为所述多个预定义扫描频率值中的特定扫描频率值，其中所述特定扫描频率值对应于所述特定温度范围。8.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括用以测量所述存储器装置的所述操作温度的一或多个温度传感器。9.一种方法，其包括：通过处理装置识别多个温度范围，其中每一温度范围包括起始温度和结束温度；使每一温度范围与用于对存储器装置的一组块执行扫描操作的相应扫描条件相关联；识别所述存储器装置的操作温度；确定所述操作温度在所述多个温度范围中的特定温度范围内；以及响应于确定满足指定扫描条件，执行所述扫描操作，其中所述指定扫描条件对应于所述特...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：